「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 70 71 72 73 74 75 76 77 78 .... 399 400 次へ＞- To provide an etching or coating device having a simple structure to the best of its ability from which, conventional weak point is eliminated, and to provide an etching or coating method.
できるだけ構造が簡単で、従来の欠点を除去したエッチングあるいはコーティング装置およびその方法を得ることを目的とする。 - 特許庁 - Masking and etching processes are carried out with a bit-line layer 50.
マスキングおよびエッチング工程がビット線層５０に対して実行される。 - 特許庁 - The semiconductor device manufacturing method removes a required area of the surface of an SOI board by etching by using an oxide film area of the SOI board as an etching stopper.
本発明はＳＯＩ基板の表面の所望の領域をＳＯＩの酸化膜領域をエッチングストッパとして利用してエッチング除去する。 - 特許庁 - To provide a wiring electrode for an organic EL display device in which formation is possible by wet etching and which is hard to be etched at the time of dry etching of the insulating film since a difference between etching rates of an insulating film is large, the organic EL display device equipped with the wiring electrode, and its manufacturing method.
ウェットエッチングにより形成が可能であり、絶縁膜のドライエッチング時に絶縁膜のエッチングレートとの差が大きくエッチングされ難い、有機ＥＬ表示装置用の配線電極を提供する。 - 特許庁 - At the removing of the insulating layer, a barrier metal layer 26 is used as an etching stopper film.
このとき、バリアメタル層２６をエッチングストッパー膜として用いている。 - 特許庁 - USE OF FLUORIDATION ADDITIVE IN ETCHING OR POLISHING OF INTEGRATED CIRCUIT
集積回路のエッチングまたはポリッシングにおけるフッ素化添加剤の使用 - 特許庁 - Then, when an etching rate of the silicon wafer 52 is defined as R1, and the etching rate of the resist pattern 64 is defined as R2, a selection ratio (R1/R2) is 0. 5 to 1. 5, and etching is performed on condition that R1 is 5 to 40 nm/minute.
このとき、シリコンウエハ５２のエッチングレートをＲ１、レジストパターン６４のエッチングレートをＲ２としたとき、選択比（Ｒ１／Ｒ２）が０．５〜１．５であって、且つ、Ｒ１が５〜４０ｎｍ／分の条件でエッチングを行う。 - 特許庁 - To prevent side etching at both longitudinal ends of a plate-like structure.
板状構造体の長手方向両端部のサイドエッチングを防止する。 - 特許庁 - Therefore, the etching depth can be controlled in situ.
したがって、Ｉｎ−ｓｉｔｕでエッチングの深さの制御が可能となる。 - 特許庁 - The sheet etching/conveying device is composed of: a frame; a transmission shaft; etching solution spray tubes arrange at both the edges of the frame; and a vertical trasfer mechanism installed by being supported by the frame.
フレーム、伝動軸、フレーム両端に配置される腐蝕液スプレイ管、及び、フレームに穿架された垂直転送機構から構成される。 - 特許庁 - An etching stopper film 12 having an etching speed slower than the etching speed of an inter-layer insulating film 8 is buried in the inter-layer insulating film 8, so that the side face of a silicon active layer 3 constituting an MOSFET element can be surrounded.
層間絶縁膜８のエッチング速度よりも遅いエッチング速度を有するエッチングストッパー膜１２をＭＯＳＦＥＴ素子を構成するシリコン活性層３の側面を囲むように層間絶縁膜内８に埋め込む。 - 特許庁 - To improve an etching characteristic in a working method for forming a fine rugged pattern by etching one state of a phase transition material.
相変化材料の一方の状態をエッチングして微細な凹凸パターンを形成する加工方法において、エッチング特性を向上させる。 - 特許庁 - ETCHING LIQUID, REFILLING LIQUID, AND FORMING METHOD OF CONDUCTOR PATTERN USING IT
エッチング液と補給液及びこれを用いた導体パターンの形成方法 - 特許庁 - Thereafter, dry etching is applied to Si remaining on the contact part to perforate the contact part.
その後、コンタクト部に残存するＳｉをドライエッチングにて開口する。 - 特許庁 - ETCHING SOLUTION FOR ALUMINUM THIN FILM AND METHOD FOR FORMING ALUMINUM THIN PATTERN
アルミニウム薄膜のエッチング液およびアルミニウム薄膜パターン形成方法 - 特許庁 - The method further comprises the steps of then dipping the film in an etching liquid, etching the film to a desired depth, then separating the protective film of gold, and cutting the film to obtain the AT cut crystal substrate.
次にエッチング液に浸漬し、所望の深さまでエッチングした後、金の保護膜を剥離し、切断して、ＡＴカット水晶基板を得る。 - 特許庁 - The substrate is subjected to light etching before freeze cleaning.
凍結洗浄処理前に基板に対してライトエッチングを実行している。 - 特許庁 - The chamber 10 is a chamber storing an etching liquid 5 under fixed pressure.
チャンバ１０は、エッチング液５を一定の圧力下で貯溜する室である。 - 特許庁 - ETCHING METHOD FOR TRANSPARENT CONDUCTIVE SUBSTRATE, AND SUBSTRATE MANUFACTURED BY THE SAME
透明導電基板のエッチング方法とその製造方法からなる基板 - 特許庁 - To easily form a pattern without the need for etching or the like.
エッチングなどを必要とせずに、パターンを容易に形成できるようにする。 - 特許庁 - An etching pot 1 is filled up with heated etching liquid 23, a wafer 7 is supported on the bottom of the pot as its periphery is sealed, and the etched surface of the wafer 7 facing upward is in contact with the etching liquid 23.
エッチングポット１の内部に、加熱されたエッチング液２３が満たされるとともに、底面部にウエハ７が外周部をシールした状態で支持され、上向きのウエハ７の被エッチング面がエッチング液２３に接している。 - 特許庁 - Then, the pad oxide film 2 is removed to made it retreat by etching in a step (h).
次に（ｈ）にてパット酸化膜２をエッチング除去して後退させる。 - 特許庁 - The etching conditions are controlled to obtain specified increase in the reflected light area and when the area reaches the specified value, etching is terminated.
所定の反射光面積の増加になるようにエッチング条件を制御し所定の反射光面積に達したらエッチングを終了する。 - 特許庁 - An etching detection layer 3 for detecting an end point of etching in the opening process is formed to contact the protective film 4.
そして、開口工程におけるエッチングの終点を検出するためのエッチング検出層３が保護膜４と接するように形成されている。 - 特許庁 - Fe-Ni ALLOY STOCK FOR SHADOW MASK HAVING EXCELLENT PROPERTY OF PIERCING BY ETCHING
エッチング穿孔性に優れたＦｅ−Ｎｉ系合金シャドウマスク用素材 - 特許庁 - To realize a working method using wet etching which does not deteriorate element characteristics, because when working of a nitride based compound semiconductor layer is performed by dry etching, etching damage is left, which becomes a cause of deterioration of element characteristics.
窒化物系化合物半導体層の加工をドライエッチングにより行うとエッチングダメージが残り素子特性を悪化させる原因となるため、素子特性を悪化させないウエットエッチングによる加工方法の実現を図る。 - 特許庁 - A metal film 24 is patterned in the shape of an interconnect 20 by etching.
金属膜２４を配線２０の形状にエッチングしてパターニングする。 - 特許庁 - ETCHING OF MATERIAL USING HARD MASK AND PLASMA ACTIVATING ETCHANT
ハ—ドマスクおよびプラズマ活性化エッチャントを使用した材料のエッチング方法 - 特許庁 - A frame-like etching stopper 7 is provided in the SOI substrate 2 using a material not corroded with etching liquid for the insulating layer 4 and a piezoelectric resistive element 8 is provided at a part of an active layer 5 inside the etching stopper 7.
ＳＯＩ基板２には、絶縁層４用のエッチング液に浸食されない材料を用いて枠状のエッチングストッパ７を設け、活性層５のうちエッチングストッパ７の内側部位にピエゾ抵抗素子８を設ける。 - 特許庁 - To provide a method and apparatus of an etching fabrication process of a panel.
パネルのエッチング製作プロセスの方法及びその装置を提供する。 - 特許庁 - To solve the problem that etching stop occurs when pressure in a treatment container is relatively high and plasma is not stable when the pressure is relatively low, when an etching gas such as C_4F_8 is used when performing a plasma etching of an SiO_2 film via a resist pattern.
レジストパターンを介してＳｉＯ_２膜をプラズマエッチングする際、Ｃ_４Ｆ_８等のエッチングガスを用いると、処理容器内圧力が比較的高ければエッチングストップが起こり、比較的低ければプラズマが安定しない。 - 特許庁 - To provide a jig for aligning a semiconductor wafer with an external circumferential ring in order to prevent excessive etching on the external circumference of the wafer and carry out uniform etching, and to provide a method of plasma etching using it.
ウエーハの外周部における過剰なエッチングを防ぐとともに均一にエッチングするための半導体ウエーハと外周リングとの位置合せ用治具及びこれを用いた半導体ウエーハのプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - A buffer layer 4 of two kinds or more of materials which are different in an etching speed in a prescribed etching condition is formed on the emitter layer 3.
エミッタ層３上に所定のエッチング条件におけるエッチング速度が異なる２種類以上の物質の緩衝層４を形成する。 - 特許庁 - METHOD FOR ANALYZING PERIPHERY OF SILICON WAFER AND ETCHING DEVICE USING THE SAME
シリコンウェーハ周辺部の分析方法およびこれに用いるエッチング装置 - 特許庁 - The etching liquid is recovered by a suction recovering head 11, and the still remaining etching liquid is waterdripped and eliminated by an air knife 15.
そのエッチング液を吸引回収ヘッド１１によって回収し、なお残留しているエッチング液をエアナイフ１５によって液切り除去する。 - 特許庁 - A first semiconductor region is etched, and an etching amount of the first semiconductor region and an etching amount of a first mask layer are measured.
第１の半導体領域をエッチングするとともに、第１の半導体領域のエッチング量および第１のマスク層のエッチング量を測定する。 - 特許庁 - To provide a device for supplying atmospheric pressure plasma etching gas with which a silicon oxide to be etched can be etched surely and selectively at a high etching rate.
エッチングすべき酸化シリコンを確実に選択的にしかも高エッチングレートでエッチングできる常圧プラズマエッチング用ガス供給装置を提供する。 - 特許庁 - With this etching method, a high etching rate of 480-490 nm/min can be realized at etching of the silicon oxide film not forming a resist film thicker than needed, but relatively thinly.
本発明に係るエッチング方法は、レジスト膜を必要以上に厚くせずに比較的薄く形成することにより、シリコン酸化膜をエッチングする際に４８０〜４９０ｎｍ／ｍｉｎの高エッチングレートを実現する方法である。 - 特許庁 - An element 26 is obtained by etching all of the sacrificial metal 12.
犠牲金属１２の全てをエッチングすることによって、エレメント２６を得る。 - 特許庁 - An insulating layer 6 is formed on the etching stopper film 6es ((C)step).
エッチングストッパ膜６ｅｓ上に絶縁層６が形成される（（Ｃ）工程）。 - 特許庁 - To provide a silicon electrode plate for plasma etching with superior cracking resistance, the silicon electrode plate for plasma etching free of cracking even in, especially, high-output plasma etching and having the superior cracking resistance.
耐割れ性に優れたプラズマエッチング用シリコン電極板に関するものであり、特に高出力でプラズマエッチングを行なっても割れが発生することのない耐割れ性に優れたプラズマエッチング用シリコン電極板を提供する。 - 特許庁 - CONTROL METHOD OF PLASMA ETCHING PROCESS DEVICE AND TRIMMING AMOUNT CONTROL SYSTEM
プラズマエッチング処理装置の制御方法およびトリミング量制御システム - 特許庁 - IMPROVED METHOD OF STRIPPING HOT MELT ETCHING RESIST FROM SEMICONDUCTOR
半導体上からホットメルトエッチングレジストを剥離する改良された方法 - 特許庁 - The etching process is the process for forming a plurality of concave parts by etching a base material from above the resist film after the exposure/development process.
エッチング工程は、露光・現像工程の後に、レジスト膜の上から母材をエッチングすることにより複数の凹部を形成する工程である。 - 特許庁 - After etching a semiconductor substrate through mixed acid etching, the stain film adhered to the surface of the semiconductor substrate upon the mixed acid etching is removed by washing the semiconductor substrate with stain film removing solution containing at least one of aqueous ammonia, alkali ion water or hot water.
半導体基板を混酸エッチング後に、アンモニア水、アルカリイオン水、温水の少なくとも１つを含むステイン膜除去液で洗浄して、混酸エッチングの際に表面に付着したステイン膜を除去する。 - 特許庁 - Since a silicon nitride film 22 has a higher etching speed than a silicon oxide film 24, this sacrificing film is rapidly etched when removed by etching.
また、この犠牲膜をエッチングで除去する際に、シリコン窒化膜２２はシリコン酸化膜２４よりエッチング速度が大きいため、早くエッチングされる。 - 特許庁 - A plurality of etching liquid jetting pipes 5, which jet an etching liquid 7 towards the substrate 1, are provided side by side in the width direction of the substrate 1.
基材１の幅方向に並べて配設された、基材１に向けてエッチング液７を噴射する複数のエッチング液噴射管５を具備する。 - 特許庁 - INK FOR ETCHING RESIST AND FORMATION METHOD OF RESIST PATTERN USING THE SAME
エッチングレジスト用インクおよびそれを用いたレジストパターンの形成方法 - 特許庁 - To provide a plasma etching apparatus in which a more easily formable upper electrode is provided and which enhances more precise etching uniformity.
より成形の容易な上部電極が提供されより精密にエッチング均一性を向上させることができるプラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - The trenches with differences in trench depths can be easily formed by forming hard masks for etching the substrate by using the micro loading effect and by using an etching method in which the selectivity of the semiconductor substrate and etching is widely adopted.
マイクロローディング効果によって基板をエッチングするためのハードマスクを形成し、半導体基板とエッチングの選択比が大きく取れるエッチング方法を用いて、容易に深さの異なるトレンチを形成することができる。 - 特許庁
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