「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 67 68 69 70 71 72 73 74 75 .... 399 400 次へ＞- In a process of forming a first conductive wiring layer 11A by etching the first thin conductive film 11, an etching depth can be controlled by stopping the etching with the third conductive film 13.
第１の導電膜１１をエッチングすることにより第１の導電配線層１１Ａを形成する工程では、第３の導電膜１３でエッチングがストップすることにより、エッチングの深さを制御することができる。 - 特許庁 - Therefore, an etching mask is formed, and etching can be carried out, without the use of a patterning process by a lithography technique.
そのため、リソグラフィ技術によるパターニング処理を必要とせずにエッチングマスクの形成、エッチングを行うことが出来ることを特徴としている。 - 特許庁 - The equipment in the etching chamber is wafer supporting parts such as the carrying arm, the holder, etc., of a wafer, upper/lower electrode parts concerned with etching, for example.
エッチングチャンバ内の装備は、例えば、ウェハの搬送アーム、ホルダ等のウェハ支持部やエッチングに関与する上下の電極部といったものである。 - 特許庁 - MIST ETCHING METHOD, APPARATUS THEREOF, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
ミストエッチング方法及び装置ならびに半導体装置の製造方法 - 特許庁 - To provide a thermosetting resin composition excellent in heat resistance and etching property.
耐熱性や耐エッチング性に優れた熱硬化性樹脂組成物を得る。 - 特許庁 - To provide a dry etching system capable of surely detecting the end point of etching by detecting minute changes in emission intensity of plasma.
プラズマの微小な発光強度の変化の検出によるエッチングの終点の検知を確実に行うことができるドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - PLASMA TREATMENT METHOD, PLASMA ETCHING METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING SOLID-STATE IMAGING ELEMENT
プラズマ処理方法、プラズマエッチング方法、固体撮像素子の製造方法 - 特許庁 - To provide a film-forming material which at a low temperature can form a film having high etching resistance and attaining a high etching selectivity ratio in organic-film etching; and a method of forming a pattern with the film-forming material.
低温で、高い耐エッチング性を有し、かつ有機膜に対して高いエッチング選択比を有する膜を形成可能な膜形成用材料、および該膜形成用材料を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma etching method which is capable of increasing an etching rate selection ratio between an oxide film as a lower layer and a tungsten film or a tungsten silicide film.
下層に存在する酸化膜とタングステン、或いはタングステンシリサイドのエッチング速度の選択比を大きくしたプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - The process for forming the groove 12a in the non-magnetic layer includes a process for executing taper etching to the non-magnetic layer by reactive ion etching which uses an etching gas including at least BCl_3 and N_2 out of BCl_3, Cl_2, and N_2.
非磁性層に溝部１２ａを形成する工程は、ＢＣｌ_３、Ｃｌ_２、Ｎ_２のうち少なくともＢＣｌ_３とＮ_２を含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングによって、非磁性層をテーパエッチングする工程を含む。 - 特許庁 - The etching processor includes an etching tub 12 for containing an etchant, drive parts 20, 22, and 24 connected to the etching tub 12, and washing parts 28 and 34 for supplying at least a part of a drive member of the drive part with washing water.
エッチング液を収納するエッチング槽１２と、エッチング槽１２に接続される駆動部２０、２２、２４と、駆動部の駆動部材の少なくとも一部に洗浄水を供給する洗浄部２８、３４とを備える。 - 特許庁 - To provide an etching method capable of precisely controlling depth in micromachining of not more than a wavelength of light, and to provide a method of manufacturing a mold for nanoimprint utilizing an etching method, an inspection method, and etching equipment.
光の波長以下の微細加工における深さ制御を高い精度で行うことが可能なエッチング方法と、これを利用したナノインプリント用モールドの製造方法と検査方法およびエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - After other processes, the second insulating film 16 is etched on the fuse layer 12 in a first etching process selectively for the etching stopper film 14 to expose a surface of the etching stopper film 14.
他の工程を経た後、第１のエッチング工程として、ヒューズ層１２上で、第２の絶縁膜１６をエッチングストッパー膜１４に対して選択的にエッチングすることにより、エッチングストッパー膜１４の表面を露出させる。 - 特許庁 - A square pyramid recessed part 203 is formed by an anisotropic etching.
正四角錐状の凹部２０３は、異方性エッチングにより形成される。 - 特許庁 - To easily control CD in plasma etching processing.
プラズマエッチング処理において、ＣＤを容易に制御できるようにすること。 - 特許庁 - To perform uniform etching, and eventually perform uniform cleaning in a reaction tube.
均一なエッチング、延いては均一な反応管内のクリーニングを行なう。 - 特許庁 - PRODUCTION OF METALLIC FOIL LAMINATED BODY FOR ETCHING AND ETCHED METALLIC FOIL
エッチング用金属箔積層体及びエッチド金属箔の製造方法 - 特許庁 - In the etching apparatus, pressure exerted on the object is minimized during an etching process for thinning the thickness of the object, and the etching solution is applied to entire surface of the object under uniform pressure.
エッチング装置は対象物の厚さを薄くエッチングする過程において対象物に加えられる圧力を最小化し、エッチング溶液を対象物の全領域に均一の圧力でエッチング溶液を提供する。 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF ETCHING LIQUID AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING THE SAME
エッチング液及びこれを用いた液晶表示装置の製造方法 - 特許庁 - Assist gas 95 can be fed in place of the etching liquid 94.
また，エッチング液９４の代わりにアシストガス９５を供給してもよい。 - 特許庁 - The stirring member 2 is disposed on the bottom face 1a of the etching bath 11.
この場合、攪拌部材２を、エッチング槽１１の底面１ａに配置する。 - 特許庁 - To process a chamber with a high accuracy by wet etching.
ウェットエッチングによって高精度でチャンバを加工することを課題とする。 - 特許庁 - To provide an etching method of etching a nitride semiconductor which is excellent in controllability, stability and accuracy, and capable of carrying out etching at a high aspect ratio, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device by the use of the same.
制御性及び安定性が高く、更に高精度且つ高アスペクト比の加工が可能な窒化物半導体のエッチング方法及び該エッチング方法を利用した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - It is then rotated at a low speed (about 0-50 rpm), and the etching solution is poured and deposited on the wafer surface such that the etching solution remains on the wafer.
続いて、低速（約０〜５０ｒｐｍ）で回転し、蝕刻溶液を注入し、ウエハ表面に堆積させ、蝕刻溶液をウエハ上に留まらせる。 - 特許庁 - ETCHING METHOD AND ETCH PROFILE SHAPED PRODUCT MADE BY THE METHOD
エッチング方法及びその方法によって成形されたエッチング成形品 - 特許庁 - TINNING METHOD TO MAGNESIUM ALLOY, AND ETCHING LIQUID FOR MAGNESIUM ALLOY
マグネシウム合金へのすずめっき方法及びマグネシウム合金のエッチング液 - 特許庁 - To provide a method of etching which can make etching anisotropically to the direction of film thickness in a short time resulting in uniform and nice profile of etching.
本発明は、短時間でエッチングされる膜の厚さ方向に対して異方的にエッチングすることができ、かつ、エッチング形状がきれいで均一に整ったエッチングをすることができるエッチング方法を提供せんとするものである。 - 特許庁 - WET ETCHING METHOD, MICRO MOVABLE ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
ウエットエッチング方法、マイクロ可動素子製造方法、およびマイクロ可動素子 - 特許庁 - To suppress generation of crystal deposits of etching liquid effectively.
エッチング液の結晶析出物の発生を効果的に抑制すること。 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
ドライエッチング方法、及び半導体装置の製造方法、半導体装置 - 特許庁 - FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND ETCHING BACK METHOD
強誘電体メモリ素子及びその製造方法並びにエッチバック方法 - 特許庁 - ETCHING METHOD AND APPARATUS THEREOF, AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE
エッチング方法およびエッチング装置ならびに半導体装置の製造方法 - 特許庁 - LIQUID CHEMICAL DEVICE, ETCHING DEVICE, AND METHOD OF MANAGING CONCENTRATION OF ETCHANT
薬液装置およびエッチング装置ならびにエッチング液濃度の管理方法 - 特許庁 - To provide a plasma dry etching method for reducing differences in etching shapes and preventing charging damage, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device.
エッチング形状差を改善し、チャージングダメージを引き起こすことのないプラズマドライエッチング方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Side etching of the gate insulation film of the channel region through region selective etching of the silicon oxide film by dry etching of poor selectivity, or leaving of the gate insulation film on the source and drain regions will be involved in the process.
選択性の悪いドライエッチングで酸化シリコン膜の領域選択エッチングをしてチャネル領域のゲート絶縁膜をサイドエッチングしたり、ソース、ドレイン領域上のゲート絶縁膜を残したりすることがない。 - 特許庁 - In the glass substrate 6 of the active matrix substrate 2, an etching speed by etching solution is lower than that of a glass substrate 7 of the facing substrate 3.
そして、アクティブマトリクス基板２のガラス基板６は、エッチング溶液によりエッチングされる速度が対向基板３のガラス基板７よりも小さい。 - 特許庁 - To provide etching liquid capable of reducing variation in etching rate in the (211) face orientation of a silicon substrate at the time of wet etching the silicon substrate, and to provide its production process and a manufacturing process of a liquid ejection head.
シリコン基板をウェットエッチングする際に、シリコン基板の（２１１）面方位のエッチングレートのばらつきを低減することができるエッチング液及びその製造方法、並びに液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide etching liquid capable of reducing variation in etching rate in the (100) face orientation of a silicon substrate at the time of wet etching the silicon substrate, and to provide its production process and a manufacturing process of a liquid ejection head.
シリコン基板をウェットエッチングする際に、シリコン基板の（１００）面方位のエッチングレートのばらつきを低減することができるエッチング液及びその製造方法、並びに液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁 - ETCHING RESIST COMPOSITION, METHOD FOR FORMING PATTERN AND METHOD FOR MANUFACTURING CIRCUIT BOARD USING THE SAME, AND WATER-SOLUBLE POLYMER FOR ETCHING RESIST COMPOSITION
エッチングレジスト組成物、これを用いたパターン形成方法及び配線基板の製造方法およびエッチングレジスト組成物用水溶性重合体 - 特許庁 - To control etching size with high accuracy by restraining a long-term and short-term temporal change of the etching size without increasing processing time.
処理時間を増加させずに、エッチング寸法の長期的及び短期的な経時変化を抑制して高い精度でエッチング寸法を制御する。 - 特許庁 - IGNITION-INITIATING AGENT WITH PHOTO ETCHING FILAMENT PREVENTED FROM STATIC DISCHARGING
静電気放電から保護されたホトエッチングフィラメントを有する点火起爆剤 - 特許庁 - To provide a method of recovering copper as copper oxide from a liquid mixture composed of waste water of etching and waste liquid of etching containing high contents of copper chloride.
エッチング排水と塩化銅含有濃厚エッチング廃液の混合液から銅を酸化銅として回収するための方法を提供する。 - 特許庁 - The diameter of the fiber inserting holes 5 after etching is set at approximately 125 μm.
エッチング後のファイバ挿入穴５直径は、１２５μｍ程度とする。 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD OF SILICON NITRIDE FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THIN-FILM TRANSISTOR
窒化シリコン膜のドライエッチング方法および薄膜トランジスタの製造方法 - 特許庁 - An etching stopper film 16 having a slower etching rate than that of an interlayer insulating film, is formed on an upper surface of the interlayer insulating film 15 covering wiring 13.
配線１３を覆う層間絶縁膜１５の上面に、層間絶縁膜よりもエッチング速度の遅いエッチングストッパ膜１６を形成する。 - 特許庁 - Further the second substrate is subjected to dry etching and wet etching to form an ink ejection port, and the latent image pattern is eluted to form the ink channel.
そして、第２の基板をドライエッチング及びウェットエッチングしてインク吐出口を形成し、潜像パターンを溶出してインク流路を形成する。 - 特許庁 - On the upper plane of the silicon substrate 32, a recessed part 37 having a truncated pyramid shape is formed by etching through the etching holes 36, 104.
シリコン基板３２の上面には、エッチングホール３６、１０４を通してエッチングすることにより、角錐台状をした凹部３７が形成されている。 - 特許庁 - To provide an etching method which can uniformly remove the entire face of a layer which comes into contact with a semiconductor layer on a substrate, and can also adjust the etching amount, and can restrict an excess etching on the semiconductor layer.
基板上の半導体層に接する被エッチング層を全面均一に除去できると共に、そのエッチング量を調整でき、半導体層への過剰エッチングを抑制することが可能なエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - By using the resist pattern 4 as a mask, the insulation film 2 is subjected to wet etching.
レジストパターン４をマスクに用いて、絶縁膜２をウエットエッチングする。 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
ドライエッチング方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
