「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 63 64 65 66 67 68 69 70 71 .... 399 400 次へ＞- To provide a dry etching apparatus which is improved so as to increase etching rate and uniformity of a shape.
エッチングレートや形状の均一性を高めることができるように改良されたドライエッチング装置を提供することを主要な目的とする。 - 特許庁 - Therefore, defective InGaP etching can be prevented.
これにより、ＩｎＧａＰのエッチング不良を防止することが可能となる。 - 特許庁 - To provide an etching method exhibiting high rate of reaction and uniformity.
反応速度が速く、均一性の良いエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a dry etching system and a dry etching method by which a damage to a lower layer can be eliminated and the yield of elements can be improved.
下層のダメージを軽減し、素子の歩留りを向上することのできるドライエッチング装置及びドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - An ultrasonic vibrator 103 is arranged below an etching bus 101.
エッチング槽１０１の下方に超音波振動子１０３を配置する。 - 特許庁 - WET ETCHING SYSTEM AND METHOD FOR DETECTING ETCH RESIDUE USED THEREFOR
ウェットエッチング装置および該装置に用いるエッチング残渣検出方法 - 特許庁 - ETCHING DEVICE AND FABRICATION PROCESS OF SOLAR CELL ELEMENT EMPLOYING IT
エッチング装置およびこれを用いた太陽電池素子の製造方法 - 特許庁 - WET-ETCHING METHOD
ウエットエッチング方法、ウエットエッチング装置および半導体装置の製造方法 - 特許庁 - To facilitate a dry-etching process for forming a contact hole.
接触孔を形成するための乾式エッチング工程を容易にする。 - 特許庁 - In the process, the isotropic etching does not attain to the second insulation film 22.
この際、等方性エッチングは第２絶縁膜２２には及ばない。 - 特許庁 - Moreover, it is preferable that the etching gas is excited with use of microwave.
また、エッチングガスは、マイクロ波を用いて励起されることが好ましい。 - 特許庁 - ETCHING METHOD, AND ETCHED PRODUCT FORMED BY THE SAME
エッチング方法及びその方法によって成形されたエッチング成形品 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD AND METHOD FOR FABRICATING HALFTONE PHASE SHIFTING MASK
ドライエッチング方法およびハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 - 特許庁 - A method of making using lithographic etching technique is also provided.
また、リソグラフィ・エッチング技術を用いた製造方法が提供される。 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING FILM THICKNESS AND ETCHING SYSTEM EMPLOYING IT
膜厚測定方法とその装置およびそれを用いたエッチング装置 - 特許庁 - To solve a problem in known etching gas supply, in order to perform uniform etching, and in order to eventually perform uniform cleaning of the inside of a reaction pipe.
従来のエッチングガス供給の問題を解決し、均一なエッチング、延いては均一な反応管内のクリーニングを行なうこと。 - 特許庁 - To remove unnecessary matters left at the wafer bevel uniformly by etching.
ウェハベベル部に残置している不要物を均一にエッチング除去する。 - 特許庁 - DEVICE AND METHOD OF CLAMPING SEMICONDUCTOR WAFER FOR ETCHING APPARATUS
エッチング装置における半導体ウエハのクランプ装置及びクランプ方法 - 特許庁 - After an anisotropically etching into the spacer film 5 using the etching guard metal film 6, this film 6 is removed.
エッチングガード用メタル膜６をマスクとして，スペーサ膜５に対して異方性エッチングを施した後，エッチングガード用メタル膜６を除去する。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for uniformly etching a photomask.
均一にフォトマスクをエッチングする方法および装置が提供する。 - 特許庁 - A pressure-adjusting valve 8 is connected to each etching liquid jetting pipe 5.
各エッチング液噴射管５にそれぞれ調圧弁８を接続する。 - 特許庁 - The etching method for a surface to be machined uses the photoresist liquid.
前記フォトレジスト液を使用する被加工表面のエッチング方法。 - 特許庁 - ETCHING METHOD OF SILICON NITRIDE FILM IN MANUFACTURING PROCESS OF SEMICONDUCTOR DEVICE
半導体装置製造工程における窒化シリコン膜のエッチング方法 - 特許庁 - To provide a method for etching a chromium layer during photomask fabrication.
ホトマスク製造中にクロム層をエッチングする方法を提供する。 - 特許庁 - THERMAL ETCHING METHOD AND EVALUATION METHOD FOR OXIDE NUCLEAR FUEL PELLET
酸化物核燃料ペレットの熱エッチング方法および評価方法 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DYNAMIC QUANTITY SENSOR
ドライエッチング方法及び半導体力学量センサの製造方法 - 特許庁 - Herein, the roughening of the surface is carried out by a blast by dry ice particles, a sputtering using an inert gas, or a dry etching using an etching gas.
ここで、粗面化にはドライアイス粒子によるブラスト、不活性ガスを用いるスパッタリング、またはエッチングガスを用いるドライエッチングにより行う。 - 特許庁 - Subsequently, the second etching step is conducted with a lower etching pressure to etch the amorphous TiO_2 in a direction perpendicular to its surface.
次いで、エッチング圧力を低くした第２のエッチング工程を実施し、アモルファスＴｉＯ_２をその表面に垂直な方向にエッチングする。 - 特許庁 - DRY ASHING METHOD FOR ASHING TiN LAYER WITHOUT ISOTROPIC ETCHING
ＴｉＮ層を等方性エッチングなしにアッシングするドライアッシング方法 - 特許庁 - Since wet etching is accelerated in the area irradiated with the laser 14 as compared with other areas, the production of etching residue can be suppressed.
レーザー１４が照射された領域は、他の領域に比べてウェットエッチングの進行が早まるため、エッチング残渣の発生が抑制される。 - 特許庁 - To reduce the wet etching rate of silicon nitride lower than the silicon oxide.
窒化ケイ素のエッチング率を酸化ケイ素のエッチング率よりも低くする。 - 特許庁 - To provide an etching device for semiconductor wafers, which has good efficiency of etching and is free from the risk of breakage of a semiconductor wafer in a surface direction.
エッチングの効率が良く、かつ、半導体ウエハが面方向に破損するおそれのない半導体ウエハのエッチング装置を実現する。 - 特許庁 - ETCHING DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF SOLAR CELL, AND SOLAR CELL
エッチング装置、太陽電池セルの製造方法、および太陽電池セル - 特許庁 - Only a semiconductor layer at the bottom of the mask is left by dry etching (S5).
ドライエッチングにより、マスクの下部の半導体層のみを残す（Ｓ５）。 - 特許庁 - An aqueous solution containing phosphoric acid, nitric acid and an organic acid salt is used as an etching solution composition for etching the metal film on a substrate.
リン酸、硝酸、有機酸塩を含有する水溶液を、基板上の金属膜をエッチングするためのエッチング液組成物として用いる。 - 特許庁 - Fe-Ni BASED ALLOY THIN SHEET FOR SHADOW MASK HAVING EXCELLENT ETCHING PROPERTY
エッチング性に優れたシャドウマスク用Ｆｅ−Ｎｉ系合金薄板 - 特許庁 - Thereafter, etching is continued for a predetermined time, and the etching conditions are changed appropriately, thus forming the surface shape of the wafer freely.
その後、エッチングを所定時間継続し、かつエッチング条件を適宜変更することで、ウェーハの表面形状を自由に造り込める。 - 特許庁 - A photoresist 10 is used as an etching mask, to perform etching on an interlayer insulating film 9 for exposing the upper surface of a metal silicide layer 8.
フォトレジスト１０をエッチングマスクとして用いて、金属シリサイド層８の上面が露出するまで層間絶縁膜９をエッチングする。 - 特許庁 - A dry etching device 1 is equipped with an inert gas supply source 31.
ドライエッチング装置１に不活性ガス供給源３１を備える。 - 特許庁 - After the dry etching of the surface 9a, an adhesive layer is removed by wet etching and the crystal substrate 9 is peeled off the supporting substrate 11.
表面９ａのドライエッチング後に、ウエットエッチングにより粘着剤層を除去して支持基板１１から水晶基板９を剥離する。 - 特許庁 - Fig. 5 is a graph showing a degree of consumption by the etching gas of a shield ring for insulating the circumference of an upper electrode of the plasma etching apparatus.
図５はプラズマエッチング装置の上部電極の周囲を絶縁するシールドリングのエッチングガスによる消耗度を示すグラフである。 - 特許庁 - The diffusion barrier film pattern is formed by dry-etching a diffusion barrier film and the seed film pattern is formed by wet-etching a seed film.
拡散防止膜パターンは拡散防止膜を乾式エッチングして形成され、シード膜パターンはシード膜を湿式エッチングして形成される。 - 特許庁 - An etching device 1 has a processing unit 2 and a control unit 3.
エッチング装置１は、処理ユニット２と制御ユニット３とを有する。 - 特許庁 - To enable etching of the edge part of a wafer without using a photoresist by forming a second notch groove in a rotary holding plate of an etching apparatus.
エッチング装置の回転保持板に第２の切欠溝を形成することによって、フォトレジストを使用せずにウェーハのエッジ部をエッチングする。 - 特許庁 - A second trench 225b is formed by etching one portion of the insulation film by a third etching process with the hard mask pattern as a mask.
前記ハードマスクパターンをマスクとした第３エッチング工程によって前記絶縁膜の一部をエッチングして第２トレンチ２２５ｂを形成する。 - 特許庁 - The aluminum foil for an electrolytic capacitor is used for DC etching.
直流エッチングに供される上記の電解コンデンサ用アルミニウム箔。 - 特許庁 - To produce an etching proximity effect correction model correcting a mask pattern with respect to an etching proximity effect with high accuracy.
エッチング近接効果に対するマスクパターンの補正を非常に高精度で行うことができるエッチング近接効果補正モデルを作成する。 - 特許庁 - APPARATUS AND METHOD FOR BONDING NANO-CHIP BY ELECTROLYTIC ETCHING
電解エッチングを用いたナノチップの接着装置及び接着方法 - 特許庁 - REACTIVE ION ETCHING CHAMBER THAT CONTAINS MANY TREATMENT STATIONS EXCLUDING COUPLINGS AMONG THEM
多数の処理ステーションを含む結合を除くリアクティブイオンエッチングチャンバ - 特許庁 - An in-situ etching agent supports the growth of selective silicon epitaxy.
インサイチュエッチング剤は、選択的シリコンエピタキシーの成長を支持する。 - 特許庁
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