「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 59 60 61 62 63 64 65 66 67 .... 399 400 次へ＞- The etching method includes etching the titanium-containing layer in a stacked body having the titanium-containing layer and a layer except the titanium-containing layer, by using the etching solution which includes hydrofluosilicic acid, water and the alcohol having the ether linkage.
珪フッ化水素酸、水及びエーテル結合を有するアルコールを含有するエッチング液により、チタン含有層とチタン含有層以外の層を有する積層体中のチタン含有層をエッチングする方法。 - 特許庁 - After machining the first insulation layer 17, an etching liquid capable of securing an etching selection ratio of the dummy gate 32 and the sidewall 10 is supplied to the dummy gate 32, thus wet-etching the dummy gate 32.
第１絶縁層１７の加工後、ダミーゲート３２に、ダミーゲート３２とサイドウォール１０とのエッチング選択比を確保可能なエッチング液を供給することにより、ダミーゲート３２をウェットエッチングする。 - 特許庁 - Since the aperture area ratio of the array substrate 3 is enhanced, the change amount of light emission of an etching gas during dry-etching is made high and timing of just-etching can be easily detected by detecting the change amount.
アレイ基板３の開口面積率が向上するので、ドライエッチング中のエッチングガスの発光の変化量が大きくなり、この変化量を検出することでジャストエッチングのタイミングを容易に検出できる。 - 特許庁 - A second anisotropic etching groove which connects with the first anisotropic etching groove and has the same axis as the first anisotropic etching groove and is a guide for a making position of the core layer of the optical waveguide is formed on the other side of the substrate.
基板の他方には、前記第１の異方性エッチング溝と連通し、同軸で、かつ、光導波路のコア層の作製位置をガイドするように第２の異方性エッチング溝が形成される。 - 特許庁 - To provide a compact ion gun which can make flat both sides of a substrate, an ion beam etching device equipped with it, an ion beam etching equipment, an etching method using the above, and a manufacturing method of a magnetic recording medium.
基板の両面を平坦化できるコンパクトなイオンガン、これを備えたイオンビームエッチング装置、イオンビームエッチング設備、これらを用いたエッチング方法及び磁気記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To obtain a method for etching a semiconductor substrate by immersing it into etching liquid in which etching rate is enhanced while ensuring flatness on the bottom face at the etched part.
半導体基板をエッチング液中に浸すことによりエッチング処理を行なう半導体基板のエッチング方法において、エッチング速度の向上とエッチング部底面の平坦性の確保との両立を図る。 - 特許庁 - The etching stop layer is made of material, the etching-proof property of which is large against etchant in plasma so as to be able to protect the lower electrode when the piezoelectric thin film is eliminated by etching.
このエッチングストップ層は、圧電体薄膜をエッチングして除去したときに下部電極を保護することができるように前記プラズマ中のエッチャントに対して耐エッチング性が大きい材質からなる。 - 特許庁 - A membrane, which is formed on a board composed of an etching layer and a support board, is arranged separately from the support board by a space equal to the thickness of the etching layer, and the etching layer is etched from a membrane side.
メンブレンがエッチング層と支持基板から構成される基板上に作製されており、メンブレンが支持基板とエッチング層の厚み分だけ隔てて配置されており、メンブレン側からエッチング層をエッチングする。 - 特許庁 - A wafer 11, on which a resist pattern 16 is formed, is placed into a dry-etching device, and then dry etching is implemented on an antireflection film 15 and a silicon nitride film 14, using the resist pattern 16 as an etching mask.
レジストパターン１６が形成されたウエハ１１をドライエッチング装置に投入し、レジストパターン１６をエッチングマスクとして、反射防止膜１５及びシリコン窒化膜１４に対してドライエッチングを行なう。 - 特許庁 - In the manufacturing method of an aluminum electrode foil for electrolytic capacitors, a cleaning process for cleaning an etching foil of each electrolytic capacitor by a cleaning liquid is performed, after an etching process for its aluminum foil and before an post-processing for forming a post-processing coating on the surface of its etching foil.
アルミニウム箔に対するエッチング工程の後、エッチング箔表面に後処理皮膜を形成する後処理工程の前に、エッチング箔を洗浄液で洗浄する洗浄工程を行う。 - 特許庁 - As shown in Fig. 2, a plasma emission intensity is correlative with an SiO_2 etching rate and the etching rate of SiO_2 is increased according to the increase of the plasma emission intensity, which makes it difficult to secure an etching selection ratio.
図２のように、プラズマ発光強度とＳｉＯ_2エッチングレートには相関があり、プラズマ発光強度の上昇に伴いＳｉＯ_2のエッチングレートが増加し、エッチング選択比確保が困難になる。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device provided with an etching process capable of avoiding drop of an etching selection rate, in the case of being accompanied by the formation of two or more kinds of oxide films whose etching characteristics are different from each other.
互いにエッチング特性が異なる２種以上の酸化膜の形成を伴う場合に、エッチング選択比の悪化を回避しうるエッチング工程を含む半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - By using the etching mask having such a pattern shape, when so placing the etching mask as to make parallel the side S11 of the region R with the direction of [011] and when etching the region R, the rectangular emitter region of the HBT is obtained.
このような形状のパターンを有するエッチングマスクを用い、領域Ｒの辺Ｓ_11が〔０１１〕方向に沿うようしてエッチングマスクを配置し、エッチングを行なうと矩形状のエミッタ領域が得られる。 - 特許庁 - The second etching liquid treated is injected into the first treatment container, and a third etching liquid is prepared by adding the HF liquid, and then the metal impurity in the sample surface layer is included in the third etching liquid.
処理後の第２エッチング液を第１処理容器に注入し、ＨＦ液を添加して第３エッチング液を調製し、サンプル表層の金属不純物を第３エッチング液中に含ませる。 - 特許庁 - To enable a distribution of a reaction product on a wafer outer peripheral portion and an incident ion distribution to a wafer outmost peripheral portion to be controlled with a high degree of accuracy, and to perform etching optimally with an etching rate depending on an etching condition.
ウエハ外周部における反応生成物分布とウエハ最外周部への入射イオン分布を高精度に制御でき、エッチング条件に応じたエッチングレートで最適にエッチングを行う。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for dry etching which have excellent detaching characteristics relating to a wafer chuck e.g. an electrostatic chuck, and can carry out stable etching wherein the variation in the dry etching quality can be suppressed.
ウエーハチャック、例えば静電チャックにおいて脱離特性に優れると共に、ドライエッチング品質のバラツキを抑制できる安定したエッチングが行えるドライエッチング方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - In this etching, the silicon nitride film 86 is caused to work as an etching stopper in the etching treatment, as a kind or a condition that a selection ratio can be ensured in an interlayer insulating film for the silicon nitride film.
このエッチングは、シリコン窒化膜に対する層間絶縁膜の選択比が確保されるような種類・条件として、当該エッチング処理においてシリコン窒化膜８６をエッチングストッパとして機能させる。 - 特許庁 - To provide a dry etching processing apparatus and a processing method capable of sharply facilitating the removal of any residue produced by an etching processing, and of making optimum the surface state of a substance to be processed after the etching processing.
エッチング処理で生じた残渣物の除去が極めて容易に行え、エッチング処理後の被処理物の表面状態を最適にできるドライエッチング処理装置と処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a photosensitive hydrofluoric acid etching material having excellent resistance against hydrofluoric acid, an optical pattern etching method which makes etching with concentrated hydrofluoric acid possible, and a method for manufacturing a semiconductor device for achieving simplification and a short period.
フッ酸耐性に優れた感光性フッ酸エッチング材料、濃フッ酸エッチングが可能な光パターンエッチング方法、及び、単純化、短期化を達成できる半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁 - A first etching stop film 118 made of a thin nitride film and a second etching stop film 120 made of a high dielectric film having a different etching selection ratio are formed at the upper portion of the selection line and the word line.
それらの上部に薄い窒化膜からなる第１のエッチング停止膜１１８と、さらにエッチング選択比の異なる高誘電体膜からなる第２のエッチング停止膜１２０を形成する。 - 特許庁 - The desired pattern is formed by performing an etching treatment of the quartz base 120 using a solution in a state that the etching rate of the quartz base 120 and the etching rate of the modified area 400 are different each other.
石英基板１２０のエッチングレートと、変質領域４００のエッチングレートとが異なる状態において、石英基板１２０を溶液を用いてエッチング処理することで、所望のパターンを形成する。 - 特許庁 - To enable formation of a membrane with high yield without decreasing an etching rate in the case of etching formation of a cavity, when a desired etching hole cannot be formed in a semiconductor device having a membrane.
メンブレンを有する半導体装置において、所望のエッチングホールを形成できない場合でも、空洞部をエッチング形成する際のエッチングレートを落とすことなく歩留まり良くメンブレンを形成できるようにする。 - 特許庁 - The heat radiation structure constituted of a recess or a convex part which is independent of crystal orientation can be formed by carrying out dry etching, wet etching, impurity ion injection and wet etching in this order.
放熱構造は、ドライエッチング、ウエットエッチング、不純物イオンを注入した後ウエットエッチングを行うことで、結晶方位に依存しない凹部あるいは凸部からなる放熱構造を形成することができる。 - 特許庁 - To provide a dry etching method capable of suppressing deterioration in an etching rate caused by the coexistence of an etching gas and a reaction gas for protective film formation, and improving the film deposition rate of the protective film.
エッチングガスと保護膜形成用の反応ガスとの共存を原因とするエッチングレートの低下を抑制でき、かつ、保護膜の成膜レートを向上させることができるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - In this two-step etching, inert gas is added to at least one of primary gas (gas for the primary etching) and secondary gas (gas for the secondary etching).
その２段階のエッチングの際に用いる第１の気体（第１のエッチング用ガス）と第２の気体（第２のエッチング用ガス）の少なくともどちらか一方に、不活性気体を添加することを特徴とする。 - 特許庁 - In the method and the apparatus of the etching manufacturing process of a panel, the panel is placed and fixed flatly in an etching work tank, and a sufficient and appropriate amount of etching liquid for dipping the panel is injected into the tank.
パネルのエッチング製作プロセスの方法及びその装置は、パネルをエッチング作業タンク中に平置き固定し、その後タンク中にそのパネルを浸漬するに充分な適量のエッチング液を注入する。 - 特許庁 - Anisotropic etching of the polysilicon layer is effected through plasma etching process, by employing an etching gas containing chlorine, oxygen and fluorine while utilizing the resist layers 16a-16c as masks to obtain a plurality of polysilicon layers 14a-14c.
塩素、酸素及びフッ素を含むエッチングガスを用い且つレジスト層１６ａ〜１６ｃをマスクとするプラズマエッチング処理によりポリシリコン層を異方性エッチングして複数のポリシリコン層１４ａ〜１４ｃとする。 - 特許庁 - When carrying out the etching of the tungsten layer 17a using the etching gas, the etching progresses in a vertical direction of the substrate and progresses in a horizontal direction of the substrate too.
発明者は、上記エッチングガスを用いて、タングステン層１７ａのエッチングを行うと、タングステン層１７ａのエッチングが基板垂直方向に進むと共に、基板水平方向にも進むことを見出した。 - 特許庁 - To provide an etchant which does not produce a silver residue when etching silver or a silver alloy, and does not change an etching rate even when the etchant has been repeatedly used, and to provide an etching method using the same.
銀又は銀合金をエッチングする際に銀残渣を発生させず、しかもエッチング液を繰り返して使用してもエッチング速度が変化しないエッチング液及びそれを用いたエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing etching parts which is capable of controlling the surface roughness in etching to a specified value or below in etching a metallic base material consisting of an iron-nickel alloy.
鉄−ニッケル合金からなる金属基材をエッチングする際エッチング時の表面粗さを一定の値以下に制御することができるエッチング部品の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To form a high aspect etching pattern without being accompanied with positive-negative reverse or increasing the number of etching steps, to improve etching durability of a photoresist pattern and to prevent line thinning by electron beam irradiation.
ポジネガ反転を伴うことなく、エッチング回数増なく、高アスペクトエッチングパターンを形成でき、また、フォトレジストパターンのエッチング耐性を向上させ、電子ビーム照射によるライン細りを防止できる。 - 特許庁 - DRY ETCHING APPARATUS, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING DRY ETCHING APPARATUS THEREOF AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED BY THE METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE USED FOR THE DRY ETCHING APPARATUS
ドライエッチング装置、そのドライエッチング装置を用いた半導体装置の製造方法、および、その製造方法により製造された半導体装置、ならびに、ドライエッチング装置に用いられる電極の製造方法 - 特許庁 - A process for creating a close contact layer is provided with a dry etching step for etching a material for the close contact layer by using an etching gas including at least a hydrogen atom component and a nitrogen atom component.
本発明は、密着層を作成する工程に、少なくとも水素原子成分及び窒素原子成分を含むエッチングガスにより密着層の材料をエッチングするドライエッチング工程を設ける。 - 特許庁 - To provide an electrolytic etching apparatus and a method ensuring good electrolytic etching of a metal film such as a ruthenium (Ru) film where a bubble is not produced and the etching shape does not become irregular.
ルテニウム（Ｒｕ）膜などの金属膜を電解エッチングした場合に気泡が発生せず、エッチング形状に凹凸が生じず、良好にエッチングすることができる電解エッチング装置及び方法を提供する。 - 特許庁 - An etching time is shortened and a spreading amount α of an opening 6a of an etching mask 6 is suppressed by improving the etching rate of the unnecessary pattern 4b by the ion implantation.
イオン注入により不要パターン４ｂのエッチングレートを向上させることで、エッチング時間を短くすることができエッチングマスク６の開口部６ａの広がり量αを抑制することができる。 - 特許庁 - The etching solution for etching a compound semiconductor film selectively etches Al_xGa_1-xAs layer (0.4≤x≤1), where the etching solution is an aqueous solution including an anion with iodine atoms.
Ａｌ_xＧａ_1-xＡｓ（０．４≦ｘ≦１）層を選択的にエッチングするエッチング液であって、前記エッチング液がヨウ素原子含有アニオンを含む塩酸酸性水溶液よりなる化合物半導体膜のエッチング液とする。 - 特許庁 - To provide the manufacturing method of etching foil for aluminum electrolytic capacitor, capable of uniformly etching an aluminum foil, of yielding high electrostatic capacitance, and of obtaining an etching foil having robust folding strength.
アルミニウム箔のエッチングを均一に行うことができ、高い静電容量が得られ、かつ、折曲強度の強いエッチング箔を得ることができるアルミニウム電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Further, solid matter containing components eluted from the glass substrate is separated and removed from the etching solution by adding a barium-containing solution to the etching liquid after the etching treatment.
また、エッチング処理した後のエッチング液にバリウム化合物を含む溶液を添加することで、前記ガラス基板から溶出した成分を含む固形物を前記エッチング溶液から分離し、除去する。 - 特許庁 - To provide an etching method of a high selectivity nitride compound semiconductor layer excellent in controllability and reproducibility of etching depth, and a semiconductor device manufactured using the etching method.
エッチング深さの制御性や再現性に優れた、より選択性の高い窒化物化合物半導体層のエッチング方法、並びに、そのエッチング方法を用いて製造された半導体デバイスを提供すること。 - 特許庁 - When the core layer 206 is etched with the etching mask 150A, the slope 208 is formed because etching progresses in proportion to the thickness of the etching mask 150A in the end part of the core layer 206.
このエッチングマスク１５０Ａによりコア層２０６をエッチング加工すると、コア層２０６の端部ではエッチングマスク１５０Ａの膜厚に比例して加工が進行し傾斜面２０８が形成される。 - 特許庁 - A dry etching step of a phase shifter film in a phase shift mask essentially comprises predicting an etching rate in the next process substrate by using a correlation between an average phase difference in a plasma current-voltage and the etching rate of the phase shifter film observed during the etching process and using changes in the phase difference output with time, and then setting an optimum etching time to carry out the etching process.
位相シフトマスクに於ける位相シフター膜のドライエッチング工程に於いて、エッチング処理中に観測されるプラズマ電流−電圧間の位相差の平均値と位相シフター膜のエッチング速度の相関関係と位相差出力の経時変化とを用いて次回処理基板に於けるエッチング速度を予測し、然る後、最適エッチング時間を設定してエッチング処理を行なう過程が含まれてなることを基本とする。 - 特許庁 - In the wiring etching method, including a step of etching a wiring film formed on a semiconductor substrate by plasma etching, etching is carried out under CW conditions (condition for causing continuous plasma discharge), until a prescribed film thickness prior to etching of the wiring film extending throughout the entire film thickness, and subsequently etching is carried out under TM conditions (condition for causing intermittent plasma discharge).
半導体基板上に形成された配線膜をプラズマエッチング法によりエッチングする工程を含む配線エッチング方法において、前記配線膜が全膜厚にわたってエッチングされるよりも前の所定の膜厚まではＣＷ条件（プラズマ放電を連続的に放電させる条件）でのエッチングを行い、それ以降はＴＭ条件（プラズマ放電を断続的に放電させる条件）でのエッチングを行う。 - 特許庁 - In performing the etching treatment of a resin member using desmear liquid consisting of alkali permanganic acid etching liquid, the resin member is immersed for the etching treatment into the desmear liquid wherein etching speed is adjusted using at least one of the accelerator for accelerating the etching speed and the inhibitor for inhibiting the etching speed of the desmear liquid for a resin forming the resin member.
アルカリ過マンガン酸エッチング液から成るデスミア液を用いて樹脂部材にエッチング処理を施す際に、前記樹脂部材を形成する樹脂に対する前記デスミア液のエッチング速度を促進する促進剤と、前記エッチング速度を抑制する抑制剤との少なくとも一方を用いて、前記エッチング速度を調整したデスミア液に前記樹脂部材を浸漬してエッチング処理することを特徴とする。 - 特許庁 - The recessed parts 12 are formed by a plurality of times of isotropic etching.
凹部１２は、複数回の等方性エッチングによって形成される。 - 特許庁 - Organic layers outside the display region 24 are removed by dry etching.
表示領域２４外の有機層は、ドライエッチングによって除去する。 - 特許庁 - Then, the Si nitride film 3 and the Si oxide film 2 are subjected to an etching process.
次いで、Ｓｉ窒化膜３及びＳｉ酸化膜２をエッチングする。 - 特許庁 - In this case, the protective insulating film has the mold layer and an etching selection ratio.
この際、保護絶縁膜はモールド層とエッチング選択比を有する。 - 特許庁 - Thereafter, the etching mask is removed, and a metal film 110 is formed.
つづいて、エッチングマスクを除去して、金属膜１１０を形成する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a silica fine structure, such that when a silica layer is subjected to dry etching, etching can be stopped at a desired level.
シリカ層を乾式エッチングする時、希望する位置でエッチングを停止することのできるシリカ微細構造の製造方法を提供する。 - 特許庁 - It is further rotated at a low speed (about 0-50 rpm), and paddle wet etching is performed while keeping the etching solution on the wafer.
さらに、低速（約０〜５０ｒｐｍ）で回転し、蝕刻溶液をウエハ上から離脱しないように滞留させてパドル湿式蝕刻を行う。 - 特許庁
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