「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 55 56 57 58 59 60 61 62 63 .... 399 400 次へ＞- The organic vessel is used for containing the etching liquid of organic molecules.
有機容器は有機分子のエッチング液を入れるのに用いる。 - 特許庁 - To form a conductive layer for setting etching species of an ion free at the time of making a through hole on a substrate by reactive ion etching.
反応性イオンエッチングにより基板に貫通孔を開ける際、イオン等のエッチング種を逃がすための導電層を形成する。 - 特許庁 - To provide a silicon wet etching process using a parylene mask.
パリレンマスクを用いたシリコン湿式エッチング方法を提供する。 - 特許庁 - A methane-containing gas, for example, is desirable as an etching gas.
エッチングガスとしては、例えばメタン（ＣＨ4 ）を含むものが好ましい。 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD OF MULTILAYER FILM COMPRISING COMPOUND SEMICONDUCTOR
化合物半導体から構成される多層膜のドライエッチング方法 - 特許庁 - The third stage is performed by a wet etching process, and the fourth stage is performed by laser beam work or reactive ion etching.
第３段階は湿式蝕刻工程によりなされ、第４の段階はレーザービーム加工または反応性イオン蝕刻によりなされる。 - 特許庁 - An oxidized film on the wirings 4 is removed by wet etching.
配線４上の酸化膜をウェット・エッチングにより除去する。 - 特許庁 - To provide a dry etching method which improves uniformity an etching rate, in a center part and peripheral part of a substrate and in all the peripheral parts thereof.
基板の中央部と周辺部、周辺部全般においてエッチングレート均一性の良いドライエッチング処理を提供する。 - 特許庁 - Therefore the warp due to the etching stopper layer can be suppressed compared with the case in which the etching stopper layer is formed whole area of the substrate.
このため、基板全面にエッチングストッパ層を形成するよりも、エッチングストッパ層に起因した反りを低減することが出来る。 - 特許庁 - THIN-FILM TRANSISTOR HAVING ETCHING RESISTANCE, AND PRODUCTION METHOD THEREOF
エッチング耐性を有する薄膜トランジスタ、及びその製造方法 - 特許庁 - To provide a method of reducing a part which is not etched when an etching film is formed into an extremely fine pattern by patterning through wet etching.
ウェットエッチングを用いてエッチング被膜を微細なパターンにパターニングする際に、エッチング残りを低減する方法を提供する。 - 特許庁 - Thus, the uniform emulsified etching surface can be obtained.
これより、均一な白濁状のエッチング面を得ることができる。 - 特許庁 - ETCHING METHOD AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURE USING THE SAME
エッチング方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁 - To provide a dry etching apparatus, with which information effective for an actual plasma etching process can be monitored more precisely and which is of high reliability.
実際のプラズマエッチングプロセスに有効な情報をより正確にモニタリングできる高信頼性のドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - TREATMENT METHOD FOR COPPER ETCHING WASTE LIQUID, AND CHEMICAL USED THEREFOR
銅エッチング廃液の処理方法及びそれに使用する薬剤 - 特許庁 - A wafer load part L loads wafers turning to dry etching objects.
ウェーハロード部Ｌは、ドライエッチング対象となるウェーハをロードする。 - 特許庁 - RADICAL PRODUCING METHOD, ETCHING METHOD, AND APPARATUS USED FOR THEM
ラジカル発生方法、エッチング方法、およびこれらに用いる装置 - 特許庁 - ETCHING LIQUID AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR USING THE SAME
エッチング液及びこれを用いた薄膜トランジスタの製造方法 - 特許庁 - In this way, the optimum end point of etching is easily detected.
これにより、適正なエッチングの終点を容易に検出する。 - 特許庁 - METHOD OF FORMING RESIST PATTERN WITH IMPROVED DRY- ETCHING STRENGTH
ドライエッチング耐性の向上したレジストパターンを形成する方法 - 特許庁 - AUTOMATIC ETCHING DEVICE OF GLASS FOR THIN-FILM TRANSISTOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY
薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ用ガラスの自動エッチング装置 - 特許庁 - To prevent the variation of an etched depth in an etching process where the etching of the depth less than the thickness of a film to be etched is conducted.
被エッチング膜の厚さよりも小さい深さのエッチングを行うエッチング加工におけるエッチング深さのばらつきを抑える。 - 特許庁 - There the respective treatments of lapping, etching and polishing are performed continuously.
ここでラッピング、エッチング、研磨の各処理を連続的に行う。 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR DETECTING ETCHING ENDING POINT
エッチング終点検出方法およびエッチング終点検出装置 - 特許庁 - To provide a via structure and a via etching process of forming the same.
ビア構造とそれを形成するビアエッチングプロセスを提供する。 - 特許庁 - COMPOSITION SUBSTRATE FOR REMOVING ETCHING RESIDUE AND USE THEREOF
エッチング残渣を除去するための組成物基板及びその使用 - 特許庁 - METHOD FOR REGENERATING FERRIC CHLORIDE ETCHING WASTE SOLUTION AND DEVICE THEREFOR
塩化第二鉄エッチング廃液の再生方法及びその装置 - 特許庁 - The etching stopper film 3 prevents etching from propagating to the semi-transmissive film 2 when the light shielding film 4 is etched.
エッチングストッパー膜３は、遮光膜４をエッチングする際にエッチングが半透過膜２まで進行しないようにするものである。 - 特許庁 - APPARATUS AND METHOD FOR ETCHING WAFER EDGE
ウェーハのエッジ部をエッチングするためのエッチング装置及びその方法 - 特許庁 - NEW MATERIAL FOR CONTACT ETCHING LAYER THAT ENHANCES DEVICE PERFORMANCE
デバイス性能を向上させるコンタクト・エッチング層用の新材料 - 特許庁 - CONCENTRATION MEASURING DEVICE AND CONCENTRATION MEASURING METHOD OF ETCHING LIQUID COMPONENT
エッチング液成分の濃度測定装置および濃度測定方法 - 特許庁 - GAS BLOW-OFF PLATE OF PLASMA ETCHING APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
プラズマエッチング装置のガス吹き出し板及びその製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR ETCHING PTFE MATERIAL, AND HIGH-FREQUENCY WAVE GUIDE
ＰＴＦＥ材料のエッチング方法、及び、高周波導波管 - 特許庁 - The rib is easily and accurately machined with etching.
リブはエッチングにより容易に高精度に加工することができる。 - 特許庁 - To provide a stock for shadow mask, free from dispersion of electron beam transmission hole diameter at etching and excellent in property of piercing by etching.
エッチング加工に際して電子線透過孔径のばらつきがないエッチング穿孔性に優れたシャドウマスク用素材の提供。 - 特許庁 - ETCHING METHOD AND MANUFACTURING METHOD FOR PRINTED WIRING BOARD USING IT
エッチング方法とそれを用いたプリント配線板の製造方法 - 特許庁 - A bias power applied to a wafer is reduced in over etching.
ウェハにバイアスをかけることが、オーバーエッチングにおいて低減される。 - 特許庁 - The through-hole 60 is formed by etching.
また、貫通孔６０をエッチング加工により形成するようにした。 - 特許庁 - Etching is performed by the dry etching on a reverse surface 9b to the depth where a remaining part of the outer shape cross section of the crystal device is removed.
裏面９ｂのドライエッチングで水晶デバイスの外形断面の残りの一部が除去される深さまでエッチングする。 - 特許庁 - To provide a solid source etching device and a method for carrying out dry etching by a simple device configuration.
簡単な装置構成によりドライエッチングを行うことができる固体ソースエッチング装置及び固体ソースエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - METHOD OF ETCHING ORGANIC FILM, PRODUCTION OF MAGNETIC HEAD AND MAGNETIC HEAD
有機膜エッチング方法、磁気ヘッドの製造方法及び磁気ヘッド - 特許庁 - To provide an etching method in which no deposition is left when etching an inorganic film to which a heat resistant polymer protection film is applied.
耐熱性高分子保護膜を被膜した無機膜のエッチング時にデポジションが残らないエッチング処理方法に関するものである。 - 特許庁 - Next, the laminated substrate is exposed to an anisotropic etching medium.
次に、積層された基板を異方性エッチング媒体にさらす。 - 特許庁 - A process of etching an active component from the Si mechanism layer is included.
Ｓｉ機構層から活動部品をエッチングする工程を含む。 - 特許庁 - In etching, a substrate 1 is transferred to an etching device in such a state that an intermediate reference body 20 is arranged on the transfer direction side of the substrate 1.
エッチングにおいては、基板１の搬送方向側に中間基準体２０を配置して、エッチング装置に搬送する。 - 特許庁 - The abnormality in the pretreatment etching due to arc discharge or the like is prevented.
アーク放電等による前処理エッチング異常が防止される。 - 特許庁 - By using the hard mask pattern, the etching object film is etched.
ハードマスクパターンを用いて上記エッチング対象膜をエッチングする。 - 特許庁 - First, a resist 30 is used as a mask, and the cap film 20 is etched to partway under first etching condition (first etching step).
まず、レジスト３０をマスクとして、第１のエッチング条件でキャップ膜２０を途中までエッチングする（第１のエッチング工程）。 - 特許庁 - MICROFABRICATED OBJECT, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND ETCHING DEVICE
微細加工体、およびその製造方法、ならびにエッチング装置 - 特許庁 - The copper foil 26 is removed during etching in an intermediate processing step.
銅箔２６は、中間処理工程のエッチング時に除去される。 - 特許庁
- 特許庁
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