「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 54 55 56 57 58 59 60 61 62 .... 399 400 次へ＞- In an etching step for forming a via hole 8, mixture gas of C_4H_8, O_2, and Ar is used an etching gas.
ヴィアホール８を形成するためのエッチング工程において、エッチングガスとして、Ｃ_４Ｈ_８、Ｏ_２、及びＡｒの混合ガスを用いる。 - 特許庁 - MACHINING AMOUNT MEASURING INSTRUMENT AND ION BEAM ETCHING EQUIPMENT USING THE SAME
加工量測定装置及びこれを用いたイオンビームエッチング装置 - 特許庁 - A semiconductor layer of the SOI substrate is separated as an element by etching.
ＳＯＩ基板の半導体層をエッチングにより素子分離する。 - 特許庁 - DYNAMIC DRY-ETCHING APPARATUS AND METHOD
ダイナミックドライエッチング装置及びこれを用いたダイナミックドライエッチング方法 - 特許庁 - ETCHING AGENT FOR TITANIUM AND ELECTRONIC PARTS PRODUCED BY USING THE SAME
チタンのエッチング剤及びそれを用いて製作した電子部品 - 特許庁 - The etching layer 4 is formed on the processing layer 3 and subjected to etching treatment so as to have a fine structure.
加工層３の上にエッチング層４が形成されており、エッチング層４は、エッチング処理により微細構造が形成されている。 - 特許庁 - METHOD FOR RECOVERING HYDROCHLORIC ACID AND COPPER FROM COPPER ETCHING WASTE LIQUID
銅エッチング廃液から塩酸及び銅を回収する方法 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR ETCHING INSPECTION OF SEMICONDUCTOR DEVICE
半導体装置のエッチング検査方法、およびエッチング検査装置 - 特許庁 - Etching is performed while pressing the lower surface side of the wafer 1 with a force stronger than pressure being applied from etching liquid E.
ウエハ１がエッチング液Ｅから受ける圧力よりも大きな力で、ウエハ１の下面側を加圧しながらエッチング処理を行う。 - 特許庁 - C4F8 and SF6 are preferable for the etching gas.
エッチングガスとしては、Ｃ_4 Ｆ_8 およびＳＦ_6 を用いることが好ましい。 - 特許庁 - MONITORING METHOD, ETCHING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
モニタ方法、エッチング方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁 - The step (e) is used to detect the material of the nitride film 7 or the cap layer 6 separated by the etching while executing the etching.
工程（ｅ）は、エッチングを行いながら、当該エッチングにより離脱した窒化膜７またはキャップ層６の材質を検出する。 - 特許庁 - DRY PROCESSING DEVICE SUCH AS ETCHING DEVICE AND ASHING DEVICE
エッチング装置やアッシング装置といったようなドライプロセッシング装置 - 特許庁 - An etching stopper film 2 is formed on an interlayer insulating film 1.
層間絶縁膜１の上にエッチングストッパ膜２が形成される。 - 特許庁 - To provide a neutral beam etching device, which can secure acceleration energy necessary in etching, for separately accelerating plasma.
エッチング時に必要な加速エネルギーを確保することができる、プラズマを分離加速させる中性ビームエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - For plasma-etching an opening in the BARC with a large negative etching bias, a polymerizing chemical, such as CHF_3, is utilized.
大きな負のエッチングバイアスにより、ＢＡＲＣに開口部をプラズマエッチングするには、ＣＨＦ_３等の重合化学物質を利用する。 - 特許庁 - A process modified layer generated in the mark of a wafer in a laser marking process is completely removed by etching in a dry-etching process 1.
レーザマーキング工程１０３で生じたウエハのマーク内の加工変質層をドライエッチング工程１で完全にエッチング除去する。 - 特許庁 - A first mask pattern (14) is left by etching the first mask film using the reduced second mask pattern as an etching mask.
縮小された第２のマスクパターンをエッチングマスクとして、第１のマスク膜をエッチングすることにより、第１のマスクパターン(14)を残す。 - 特許庁 - ETCHING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING IT
エッチング装置及びそれを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁 - After that, the film 15 is removed through dry etching, and the unwanted part on the film 14 is removed through wet etching.
その後、ドライエッチングによってパターニング膜１５を除去し、さらに、ウエットエッチングによってシード膜１４の不要部分を除去する。 - 特許庁 - To machine the surface of a semiconductor substrate to an ideal shape by suppressing the generation of side etching in wet etching treatment.
ウエットエッチング処理におけるサイドエッチングの発生を抑制して、半導体基板の表面を理想的な形状に加工する。 - 特許庁 - ETCHING LIQUID AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME
エッチング液およびそれを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁 - To provide wet etching system and method therefor in which wet etching of a polysilicon film can be carried out with high uniformity in the wafer surface.
ウエハ面内での高い均一性をもってポリシリコン膜をウエットエッチングできるエッチング装置およびエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - Fe-Ni-Co ALLOY EXCELLENT IN ETCHING CHARACTERISTIC AND LOW THERMAL EXPANSION CHARACTERISTIC, AND SHADOW MASK EXCELLENT IN ETCHING PIT SHAPE CHARACTERISTIC
エッチング性および低熱膨張特性に優れたＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金およびエッチング孔形状性に優れたシャドウマスク - 特許庁 - ETCHING METHOD FOR REAR SIDE OF SILICON WAFER AND PROTECTING TAPE FOR SILICON WAFER
シリコンウェハ裏面のエッチング方法およびシリコンウェハの保護テープ - 特許庁 - Then, an opening 10 is provided by reactive ion etching.
次いで、反応性イオンエッチングにより、開口部１０を形成する。 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, SINGLE PARTICLE ETCHING MASK, AND FINE STRUCTURE
半導体発光素子、単粒子エッチングマスク及び微細構造体 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING STAINLESS STEEL SHEET EXCELLENT IN FLATNESS AFTER ETCHING
エッチング後の平坦性に優れたステンレス鋼板の製造方法 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR SUBSTRATE FOR MEASURING AMOUNT OF ETCHING AND ITS MEASUREMENT METHOD
エッチング量計測用半導体基板及びその計測方法 - 特許庁 - The invention provides a method for forming a photomask by etching chromium.
クロムをエッチングしホトマスクを形成する方法が提供される。 - 特許庁 - DRY ETCHING DEVICE, METHOD, AND CRYSTAL OSCILLATOR WITH FILM
ドライエッチング装置および方法ならびに膜付き水晶振動子 - 特許庁 - ETCHING METHOD FOR SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING CRYSTAL VIBRATOR
基板のエッチング方法および水晶振動子の製造方法 - 特許庁 - To prevent a break of a piezoelectric wafer by plasma etching.
プラズマエッチングすることによる圧電体ウエハの割れを防止する。 - 特許庁 - The etching is performed in the width direction of the fluid-channel grooves 19.
エッチング方向は、液流路用溝１９の幅方向である。 - 特許庁 - Consequently, the etching away of the processed layer A3 from the side face can be prevented in a second etching treatment process.
これによって、第２エッチング処理工程において、被処理層Ａ３が前記側面からエッチングされることを防止することができる。 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, ETCHING APPARATUS, AND STORAGE MEDIUM
半導体装置の製造方法、エッチング装置及び記憶媒体 - 特許庁 - MATERIAL FOR Fe-Ni LEAD FRAME EXCELLENT IN ETCHING WORKABILITY
エッチング加工性に優れたＦｅ—Ｎｉ系リ—ドフレ—ム用材料 - 特許庁 - In addition, the etching characteristic is improved by regulating the wafer temperature.
加えて、ウェハ温度を調節してエッチング特性を改善する。 - 特許庁 - After the maintenance of the dry etching unit, an adherent layer 11 is formed first on the surface of the upper electrode 8, which faces the etching film.
ドライエッチング装置のメンテナンス後に、まず、上部電極８の被エッチング膜との対向面上に密着層１１を形成する。 - 特許庁 - ETCHING METHOD OF SILICON MATERIAL, DEVICE THEREFOR AND SILICON FORM
シリコン材のエッチング方法とその装置並びにシリコン成形体 - 特許庁 - ATMOSPHERIC PRESSURE PLASMA ETCHING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SOI SUBSTRATE
大気圧プラズマエッチング装置及びＳＯＩ基板の作製方法 - 特許庁 - ALUMINUM FOIL FOR ETCHING AND ALUMINUM ELECTRODE FOIL FOR ELECTROLYTIC CAPACITOR
エッチング用アルミニウム箔及び電解コンデンサ用アルミニウム電極箔 - 特許庁 - This method is characterized by etching a HfO_2 film 105 of a wafer W with an etching gas containing hexafluoroacetylacetone (Hhfac).
ヘキサフルオロアセチルアセトン（Ｈｈｆａｃ）を含むＨｈｆａｃ含有エッチングガスでウェハＷのＨｆＯ_２膜１０５をエッチングする。 - 特許庁 - After that etching for the remaining electrode film 12 is made by Ar ion milling being slightly over etching and the electrode film 12 is eliminated completely.
この後、残った電極膜１２を、Ａｒイオンミリングでオーバーエッチングぎみにエッチングし、電極膜１２を完全に除去する。 - 特許庁 - To improve a molybdenum etching process suitable for photomask fabrication.
フォトマスク製作に適したモリブデンエッチングプロセスの改良を行う。 - 特許庁 - METHOD FOR PLASMA ETCHING CHROMIUM LAYER SUITABLE FOR PHOTOMASK FABRICATION
フォトマスク製作に適したクロム層をプラズマエッチングするための方法 - 特許庁 - METHOD FOR FORMING THROUGH HOLE BY REACTIVE ION ETCHING AND SUBSTRATE HAVING THROUGH HOLE FORMED BY REACTIVE ION ETCHING
反応性イオンエッチングによる貫通孔の形成方法及び反応性イオンエッチングにより形成された貫通孔を有する基板 - 特許庁 - METHOD FOR ETCHING MOLYBDENUM LAYER SUITABLE FOR PHOTOMASK FABRICATION
フォトマスク製作に適したモリブデン層をエッチングするための方法 - 特許庁 - The method includes a step of patterning the buffer film 3 by dry etching performed by the use of an etching gas containing oxygen.
本製造方法は、バッファ膜３を酸素含有エッチングガスによりドライエッチングしてバッファ膜パターンを形成する工程を含む。 - 特許庁 - A lower electrode is formed by etching the lower electrode layer using the resist pattern and the capacitor dielectric film as the etching mask.
レジストパターン及びキャパシタ誘電体膜をエッチングマスクとして、下部電極層をエッチングすることにより、下部電極を形成する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
