「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 52 53 54 55 56 57 58 59 60 .... 399 400 次へ＞- Though the ridge part forming layer 12 can be etched easily, the etching is substantially checked by the etching stop layer 11 under it since the etching rate is large there, and it is finished at the point of time when the etching stop layer 11 is surfaced without progressing to the substrate 10.
リッジ部形成層１２は容易にエッチングされるが、その下のエッチングストップ層１１ではエッチングレート比が大きいため、エッチングは実質的に阻止され、基板１０まで進行することなくエッチングストップ層１１が表出した時点で終了する。 - 特許庁 - An etching pattern is provided on a stopper pattern and a region that is adjacent to and outside the stopper pattern, the depths of the etching patterns provided to the stopper pattern and the region respectively are measured with a probe and compared with each other to measure the amount of overetching, and the etching conditions are specified and monitored by the use of the amount of over etching.
ストッパパターン上とこれに隣接したストッパパターン外にエッチングパターンを設け、探針でこれらのエッチパターンの深さを計測・比較することによって、オーバーエッチ量を計測し、エッチングの条件だし、条件のモニターに用いる。 - 特許庁 - To provide an etching method for electronic parts causing no deterioration in the quality of the product in such a manner that etching does not continuously progress by an etching solution adhered to the surface of a metallic sheet in photoetching executed by an etching solution of ferric chloride.
塩化第二鉄のエッチング液で行うフォトエッチングにおいて、金属板の表面に付着したエッチング液によってエッチングが継続して進むことなく、製品の品位を低下させることのない電子部品のエッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - The etching quantity distributions differ at the angles A-C but these etching steps are repeated to improve the uniformity of the etching quantity over the entire substrate, compared to an etcher for etching a fixed inclination substrate as in the prior art.
各角度Ａ〜Ｃにおけるエッチング量の分布はそれぞれ異なるが、それらのエッチングを重ねて行うことにより、従来のように一定の基板傾きでエッチングを行う装置に比べて基板全体におけるエッチング量の均一性が向上する。 - 特許庁 - When dry-etching both sides of the gate electrode 21 by using chlorine(Cl) and fluorine(F) which are brought into active states in plasma, etching is stopped in an etching stop layer (the barrier layer 17) by the relative selectivity of Al of this etching gas.
ゲート電極２１の両側を、プラズマ中で活性状態となる塩素（Ｃｌ）およびフッ素（Ｆ）を含んだガスを用いてドライエッチングすると、このエッチングガスのＡｌに対する選択性によりエッチングストップ層（障壁層１７）でエッチングが停止する。 - 特許庁 - An etching mask 5 is formed, such that, among etching masks 4A corresponding to a large number of patterns arranged in parallel with each another, up to etching masks 4A arranged inwardly starting from the periphery of a conductive material 14 are connected to adjacent etching masks 4A by connecting parts 7A.
エッチングマスク５が、多数並列配置されたパターンに対応するエッチングマスク４Ａの内、導電性材料１４の外周部から複数個内側までの各エッチングマスク４Ａを隣のエッチングマスク４Ａと連結部７Ａで連結するように形成する。 - 特許庁 - A dry etching characteristic evaluating apparatus 11 detects etching end time, based on the light emission strength of plasma light emission wavelength detected by a plasma light emission detecting part 5, and calculates the etching speed and uniformity by an arithmetic part 14 from the etching end time and the film thickness of a film to be etched.
プラズマ発光検出部５で検出したプラズマ発光波長の発光強度に基づいてエッチング終了時間を検出し、これを被エッチング膜の膜厚とからエッチング速度およびその均一性を演算部１４にて算出する。 - 特許庁 - Using a first etching agent having an etching speed to the second semiconductor layer 25 higher than an etching speed to an insulating layer 23, a portion of the second semiconductor layer 25 positioned on the insulating layer 23 is removed by etching.
第２の半導体層２５に対するエッチング速度が絶縁層２３に対するエッチング速度よりも大きな第１のエッチング剤を用いて、第２の半導体層２５の絶縁層２３の上に位置している部分の一部分をエッチングすることにより除去する。 - 特許庁 - The etching apparatus comprises: an etching chamber 2 to be filled with an inert gas; and a spray unit 30 for spraying an etching fluid onto the article to be etched in the etching chamber 2 filled with the inert gas.
不活性ガスが充満されるエッチングチャンバー２と、不活性ガスが充満されたエッチングチャンバー２で、エッチング種を噴射し被加工物に噴霧するスプレー装置３０とを備えているので、スプレー装置の詰りが無く、エッチングばらつきの発生を防止できる。 - 特許庁 - A dry etcher for dry-etching the membrane comprises a mechanism for exhausting an etching gas flowing in between the membrane and an electrode 12 for etching with the etching gas fed to a stencil mask blank 13.
メンブレンをドライエッチングする際に用いるドライエッチング装置は、電極１２上にステンシルマスク基板１３を載置し、このステンシルマスク基板にエッチングガスを供給してエッチングを行う際、メンブレンと電極との間に入り込んだエッチングガスを排気する機構を備えている。 - 特許庁 - To provide a plasma processing method which keeps high etching resistance of a photoresist layer comprising an ArF photoresist or an F2 photoresist when etching an antireflection layer or etching the antireflection layer and an etching objective layer.
反射防止層をエッチングする際、または反射防止層およびエッチング対象層をエッチングする際に、ＡｒＦフォトレジストまたはＦ２フォトレジストからなるフォトレジスト層の耐プラズマ性を高く維持することができるプラズマ処理方法を提供すること。 - 特許庁 - An etching vessel 1 where an etchant 2 is housed, and a substrate holding device which is fixed/held in the etching vessel while an etching surface 3a of a substrate 3 facing downward with the etching surface which forms an angle θ 45° or higher relative to a vertical plane, are provided.
エッチャント２を収容するエッチング槽１、基板３のエッチング面３ａを下向きにしてかつエッチング面が鉛直面と４５度以上の角度θを成すようにしてエッチング槽中に固定保持する基板保持装置（図示しない）を設けた。 - 特許庁 - In this method, the alkaline etching is treated after the acid etching, the concentration of the alkaline etchant is set to be 8 mol/l or more, and the etching rate of the acid etching is set to be 0.2 μm/sec or more in total in the front and rear surfaces of the silicon wafer.
この特徴ある構成は、酸エッチングの後にアルカリエッチングが行われ、アルカリエッチング液の濃度を８ｍｏｌ／ｌ以上とし、かつ酸エッチングのエッチングレートをシリコンウェーハの表面と裏面を合わせた合計で０．２μｍ／秒以上とするところにある。 - 特許庁 - In the manufacturing method for a structure by anisotropic etching, basic etching masks 101, 102a, 102b, and 103 corresponding to the target shape and compensation etching masks 107a, 107b, 107c, and 107d having a connection section connected with the basic etching masks are formed on a single crystal silicon substrate 100.
異方性エッチングによる構造体の作製方法では、単結晶シリコン基板100上に、目標形状に対応する基本エッチングマスク101、102a、102b、103、及び基本エッチングマスクに接続する連結部を持つ補正エッチングマスク107ａ、107ｂ、107ｃ、107ｄを形成する。 - 特許庁 - In the electro-optical device, a resist mask is formed on a TFT array substrate 10, and thereafter, an etching is performed in an etching gas environment containing oxygen, thereby, the resist mask is subjected to the etching and, at the same time, the surface of TFT array substrate 10 is subjected to the etching.
電気光学装置において、ＴＦＴアレイ基板１０にレジストマスクを形成した後、酸素を含有するエッチングガス中でエッチングを行なうことにより、レジストマスクをエッチングしながらＴＦＴアレイ基板１０の表面をエッチングする。 - 特許庁 - To provide an etching method applicable in a process of etching a silicon oxide layer or a silicon nitride layer on a silicon substrate, using etching gas which does not contain global warming gases and achieving a high selection ratio, a high aspect ratio, and a practical etching rate.
シリコン基板上の酸化シリコン層または窒化シリコン層をエッチングする方法において、エッチングガスとして地球温暖化ガスを含まず、しかも高選択比、高アスペクト比、及び実用的なエッチング速度が得られるエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - In a dry etching method with an inductive coupling etching unit, an etching gas contains a chlorine gas and an etching step is carried out with a flow rate of chlorine gas of 0.0025 to 0.034 Pa.m3/sec under the atmosphere that doesn't contain an argon gas and nitrogen gas.
誘導結合型のエッチング装置を用いるドライエッチング方法において、エッチングガスとして塩素ガスを含み、かつアルゴンガス及び窒素ガスを含まない雰囲気中であって、かつ塩素ガスの流量が0.0025Pa・m^3／sec以上0.034Pa・m^3／sec以下で当該エッチングを行なう。 - 特許庁 - To provide an etching method which ensures a larger etching selection ratio of a high melting point metal film for a silicon oxide film as the underlayer without generation of side etching at the time of etching the high melting point metal film using the silicon compound film as the underlayer.
ケイ素化合物膜を下地膜とした高融点金属膜をエッチングする場合において、サイドエッチングを生じさせずに下地の酸化ケイ素膜に対する高融点金属膜のエッチング選択比が大きいエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - In the patterning method of impurity doped indium oxide thin film, the patterning method includes: a process for etching the impurity doped indium oxide thin film in a dry etching method; and a process for etching the impurity doping indium oxide thin film, which was subjected to the dry etching method, in a wet etching method.
不純物ドープ酸化インジウム薄膜のパターニング方法において、ドライエッチング法により該不純物ドープ酸化インジウム薄膜のエッチングを行う工程と、ウェットエッチング法により前記ドライエッチング法を行った不純物ドープ酸化インジウム薄膜のエッチングを行う工程とを行うパターニング方法を用いる。 - 特許庁 - To reduce equipment cost by suppressing the installing number of densitometers 70 for measuring the concentration of etching liquids to control the concentration in an etching device provided with a plurality of treatment parts 20 performing etching treatment using the etching liquids, and to improve the accuracy of etching treatment by increasing the accuracy of the measurement.
エッチング液を用いてエッチング処理を行う複数の処理部２０，２０，…を備えたエッチング装置において、エッチング液の濃度を濃度計７０で測定して濃度管理を行う際に、濃度計７０の設置数を抑えて設備コストの低減を図るとともに、測定精度を高めてエッチング処理の精度向上に貢献できるようにする。 - 特許庁 - In an etching method, which is so arranged as to perform the etching treatment of a multilayer film by repeating the etching treatment plural number of times, next etching treatment is performed under the condition, that a last reference position θ1 with respect to a chamber of a semiconductor substrate which was used in the last etching, be readjusted to the next reference position θ2.
エッチング処理を複数回繰り返すことで、多層膜のエッチング処理を行うようにしたエッチング方法において、直前にエッチングしたときに使用した半導体基体のチャンバーに対する直前の基準位置θ１を、次の基準位置θ２に再調整した状態で、次のエッチング処理を行う。 - 特許庁 - To provide an etching agent capable of etching a Cu film by an easy chemical etching method being a dipping method by rest process in the case that a Cu film of low resistance is used as a wiring material, small in the secular change of the etching grade and capable of preventing the occurrence of a pattern thinning phenomenon caused by the dispersion of the side etching amount of the Cu film.
低抵抗のＣｕ膜を配線材料として用いる場合に、静止による浸漬法という簡易なケミカルエッチング法でＣｕ膜をエッチングでき、しかもエッチングレートの経時変化が少なく、Ｃｕ膜のサイドエッチング量のバラツキに起因するパターン細り現象が生じるのを防止できるエッチング剤の提供。 - 特許庁 - High dependency of the etching rate distribution on the gas flow field is well known but when an etching gas introducing method, an etching gas discharging method or a uniforming ring 5 being driven in a reaction chamber 1 is employed, the etching gas flow field in the reaction chamber 1 can be operated to realize a desired etching rate distribution and a highly uniform etching rate for each of different kinds of multilayer film.
エッチングレート分布はガス流れ場依存性が大きな事で知られているが、エッチングガス導入方法、もしくはエッチングガス排気方法、もしくは反応室１内で駆動する均一化リング５を用いると、反応室１内のエッチングガス流れ場の操作が可能となり、所望のエッチングレート分布と異種積層膜の膜種毎高エッチングレート均一性保持を実現できる。 - 特許庁 - METHOD OF ETCHING AND METHOD OF FORMING CONTACT HOLE USING THIS
エッチング方法及びこれを使用したコンタクトホールの形成方法 - 特許庁 - To provide a dry etching method required for micromachining a proper shape, a micromachining method and a mask for dry etching.
良好な形状の微細加工を行うことができるドライエッチング方法、微細加工方法及びドライエッチング用マスクを提供する。 - 特許庁 - By provision of the opening portion, controllability of etching is improved.
開口部を設けることでエッチングの制御性が向上する。 - 特許庁 - To provide an etching mask for forming an accurate pattern.
正確なパターンの形成ができるエッチング用マスクを提供する。 - 特許庁 - The diffusion source layer 12 and etching stop layer 11 are removed in order.
拡散源層１２、エッチングストップ層１１を順次除去する。 - 特許庁 - An etching layer 72 enclosed with an anti-etching layer 71 is buried in an outer region separated from the pressure reference chamber 88.
また圧力基準室８８から分離された外方領域に耐エッチング層７２で包囲されたエッチング層７１を埋設する。 - 特許庁 - ETCHING METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING CIRCUIT DEVICE BY USING IT
エッチング方法およびそれを用いた回路装置の製造方法 - 特許庁 - A stirrer 72, an etching solution supply port 24a, etc., are provided on an etching head 24 for covering the top of the pot 22.
エッチングポット２２の上面側に被せられるエッチングヘッド２４に、撹拌機７２やエッチング液供給口２４ａ等を設ける。 - 特許庁 - This makes an etching pattern 42 formed on the oxide film 14.
これにより酸化膜１４にエッチングパターン４２が形成される。 - 特許庁 - The SiO2 layer 2 exposed as the result of this etching is removed.
このエッチングによって露出したＳｉＯ_2 層２を除去する。 - 特許庁 - An aqueous solution containing oxalic acid, hydrochloric, and interfacial active agent is used as an etching liquid (composition of etching liquid for conductor film).
シュウ酸と、塩酸と、界面活性剤とを含有する水溶液をエッチング液（導電膜用エッチング液組成物）として用いる。 - 特許庁 - Plural characteristics are etched in the etching layer through the first and second sets of the characteristics in the etching mask stack.
エッチングマスクスタック内の第１組の特徴および第２組の特徴を通して、複数の特徴がエッチング層内にエッチングされる。 - 特許庁 - PHOTOSENSITIVE FILM, SCREEN PRINTING PLATE, AND PHOTOSENSITIVE FILM FOR ETCHING
感光性フィルム、スクリーン印刷版およびエッチング用感光フィルム - 特許庁 - The secondary gas is a gas for etching the base film 110.
第２のガスは、下地膜１１０をエッチングするためのガスである。 - 特許庁 - A substrate 120 is horizontally placed in the etching bus 101.
エッチング槽１０１内には基板１２０を水平に配置する。 - 特許庁 - The via hole is formed by etching the gate insulating layer and protective insulating layer in an etching step of one insulating layer.
前記バイアホールは、１つの絶縁層のエッチングステップによって、前記ゲート絶縁層と前記保護絶縁層をエッチングして形成される。 - 特許庁 - MICROSTRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND ETCHING DEVICE
微小構造体およびその製造方法並びにエッチング装置 - 特許庁 - To provide a dry etching apparatus in which a damage removing unit is stably operated before the exhaust of etching starts.
エッチング処理の排気が始まったときには除害装置が安定して稼動しているようにするドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - To enable silicon compound to be removed from waste etching solution at a high removal rate and waste etching solution to be recycled without disposing it.
エッチング液から高い除去率でケイ素化合物を除去することができ、エッチング液を処分することなく再利用する。 - 特許庁 - To solve the conventional problem of supplying an etching gas to do uniform etching, and eventually do uniform cleaning of the inside of a reaction pipe.
従来のエッチングガス供給の問題を解決し、均一なエッチング、延いては均一な反応管内のクリーニングを行なうこと。 - 特許庁 - To provide a method and a device for determining the etching rates of cleaning liquid and whether the ratio between the etching rates is within a desired range.
洗浄液のエッチレート及びエッチレートの比が所望の範囲内であるか否かを判定する方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - Furthermore, the panel 7 is made to become a thin film by etching the panel 7.
またさらに、パネル７をエッチングしてパネル７を薄膜化する。 - 特許庁 - The fluoric intermediate gases COF_4 react with water and become fluoric etching gases of HF or the like with oxide silicon etching ability.
フッ素系中間ガスのＣＯＦ_４は、水と反応して酸化シリコンのエッチング能を有するＨＦ等のフッ素系エッチングガスとなる。 - 特許庁 - RESIST FOR METAL FOIL ETCHING, AND METAL FOIL PATTERN FORMING METHOD
金属箔エッチッング用レジスト、及び金属箔パターン形成方法 - 特許庁 - To obtain an etching shape having no p-n difference while preventing a base HfSiON film from penetrating during dry etching of metal gates.
メタルゲートのドライエッチング時に、下地ＨｆＳｉＯＮ膜の突き抜けを防止しながら、ｐ−ｎ差の無いエッチング形状を得る。 - 特許庁 - To optimize the polished state of a crystal blank whose oscillation frequency is not deteriorated and an etching condition by a wet etching method.
湿式エッチング法により発振周波数の劣化しない水晶ブランクの研磨状態とエッチング条件の最適化を図る。 - 特許庁 - Plasma is used for energy excitation of reactive etching gas.
反応性エッチングガスをエネルギー励起するためにプラズマを用いる。 - 特許庁
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