「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 48 49 50 51 52 53 54 55 56 .... 399 400 次へ＞- ETCHANT FOR CONDUCTIVE FILMS, AND METHOD OF ETCHING CONDUCTIVE FILM
導電膜用エッチング液および導電膜のエッチング方法 - 特許庁 - PHOTORESIST AND/OR REMOVER FOR ETCHING RESISTANT RESIN COMPOSITION
フォトレジスト及び／又は耐エッチング性樹脂組成物用剥離剤 - 特許庁 - ETCHING METHOD AND PRODUCING METHOD OF SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
エッチング方法及び半導体デバイス用基板の製造方法 - 特許庁 - PHOTOSENSITIVE COMPOSITION FOR METAL OR METAL OXIDE ETCHING
金属または金属酸化物エッチング用感光性組成物 - 特許庁 - SYSTEM FOR CONTROLLING CUPRIC CHLORIDE-SODIUM CHLORATE ETCHING SOLUTION
塩化第二銅・塩素酸ナトリウム系エッチング液の管理システム - 特許庁 - CIRCUIT PATTERN FORMING METHOD AND CIRCUIT PATTERN SUBSTRATE FOR ETCHING
回路パターンの形成方法及びエッチング用回路パターン基板 - 特許庁 - METHOD FOR WASHING AIR KNIFE, AIR KNIFE, AND WET ETCHING APPARATUS
エアーナイフの洗浄方法、エアーナイフ及びウェットエッチング装置 - 特許庁 - A conductive layer 3 is formed on the etching stopper film 2.
エッチングストッパ膜２の上に導電層３が形成される。 - 特許庁 - ETCHING METHOD AND, METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE
エッチング方法及び化合物半導体装置の製造方法 - 特許庁 - WET ETCHING PROCESS OF PEROVSKITE FERRODIELECTRIC MATERIAL AND SOLUTION
ペロブスカイト強誘電性材料のウェット・エッチング・プロセスと溶液 - 特許庁 - COMPOSITE SILICON RING FOR PLASMA ETCHING DEVICE FOR SUPPORTING WAFER
ウエハを支持するためのプラズマエッチング装置用複合シリコンリング - 特許庁 - DEVICE FOR FORMING MASK BY PLASMA ETCHING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
半導体基板をプラズマエッチングしてマスクを作るための装置 - 特許庁 - REACTIVE ION ETCHING METHOD AND APPARATUS THEREOF
反応性イオンエッチング方法および反応性イオンエッチング装置 - 特許庁 - ALUMINUM ALLOY EXTRUSION MATERIAL HAVING EXCELLENT ETCHING TREATMENT UNIFORMITY
エッチング処理均一性に優れたアルミニウム合金押出材 - 特許庁 - An etching finish layer is formed on the electrode support layer.
電極支持層上にエッチング終了層を形成する。 - 特許庁 - DEVICE AND METHOD FOR ETCHING PROCESSING AND SEMICONDUCTOR DEVICE
エッチング処理装置およびエッチング処理方法，半導体デバイス - 特許庁 - The fluorine radical contributes to the side etching of the upper layer 34A.
フッ素ラジカルは上層３４Ａのサイドエッチングに寄与する。 - 特許庁 - ETCHANT COMPOSITION FOR MULTIPLE FILM AND ETCHING METHOD FOR THE SAME
多重膜のエッチング液組成物及びそのエッチング方法 - 特許庁 - METHOD FOR RECOVERING INDIUM COMPONENT FROM OXALIC-ACID ETCHING WASTE LIQUID
シュウ酸エッチング廃液からのインジウム成分の回収方法 - 特許庁 - METHOD FOR MINIMIZING CHANGE IN ETCHING RATE OF SEMICONDUCTOR WAFER
半導体ウェハのエッチング速度変化を最小にする方法 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD FOR METAL OXIDE/PHOTORESIST FILM LAMINATED BODY
金属酸化物／フォトレジスト膜積層体のドライエッチング方法 - 特許庁 - INCREASE IN DIE STRENGTH DURING DICING OR ETCHING AFTER DICING
ダイシング中あるいは後のエッチングによるダイ強度の増加 - 特許庁 - Then the surface of this wafer subjected to alkali etching is ground.
次に、このアルカリエッチングされたウェーハ表面を研削する。 - 特許庁 - Carbon monoxide (CO) may also be added to the etching gas.
また、エッチングガスに、一酸化炭素（ＣＯ）を添加しても良い。 - 特許庁 - Etching gas being used in the step (b) contains sulfur fluoride.
工程（ｂ）で使用されるエッチングガスは、フッ化硫黄を含む。 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR WAFER ETCHING APPARATUS AND METHOD THEREFOR
半導体ウェハエッチング装置および半導体ウェハエッチング方法 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURE, AND DRY ETCHING METHOD
半導体装置およびその製造方法、ドライエッチング方法 - 特許庁 - ETCHING METHOD, METHOD OF MANUFACTURING CAPACITOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
エッチング方法、キャパシタの製造方法、および半導体装置 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR ETCHING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
半導体エッチング方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁 - GAS CHARGING MEANS FOR PLASMA ETCHING APPARATUS AND GAS SHOWER PLATE
プラズマエッチング装置用のガス導入手段及びガスシャワープレート - 特許庁 - Then an electrode is formed by etching the copper foil.
次いで、銅箔をエッチングすることにより電極を形成する。 - 特許庁 - The independent electrodes are projected by an etching treatment, etc.
なお、独立電極はエッチング処理等により突出させる。 - 特許庁 - The third layer is etched using the mask pattern as an etching mask.
マスクパターンをエッチングマスクとして第３の層をエッチングする。 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD AND CAPACITY FORMING METHOD USING THE SAME
ドライエッチング方法及びそれを用いた容量形成方法 - 特許庁 - ETCHING METHOD OF WAFER AND PRODUCTION METHOD OF THIN FILM MAGNETIC HEAD
ウエハのエッチング方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 - 特許庁 - A plasma processing method uses CxHyFz gas, and etching is carried out under low pressure (≤1.0 Pa).
CxHyFzガスを用い、低圧力(1.0Pa以下)にてエッチングを行う。 - 特許庁 - Then a damaged layer 104 is removed by wet etching.
次に、ダメージ層１０４をウェットエッチングによって除去する。 - 特許庁 - LIQUID COMPOSITION FOR ETCHING METALLIC THIN FILM CONSISTING ESSENTIALLY OF SILVER
銀を主成分とする金属薄膜のエッチング液組成物 - 特許庁 - ETCHING LIQUID COMPOSITION OF THIN FILM TRANSISTOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY
薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング液組成物 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR CLEANING, AND METHOD AND APPARATUS FOR ETCHING
クリーニング方法及び装置並びにエッチング方法及び装置 - 特許庁 - At this point, etching is stopped at a point in the SIPOS film 6.
このとき、エッチングはＳＩＰＯＳ膜中で停止させる。 - 特許庁 - ETCHING METHOD OF ORGANIC BASED INSULATING FILM AND DUAL DAMASCENE PROCESS
有機系絶縁膜のエッチング方法およびデュアルダマシンプロセス - 特許庁 - METHOD OF RECOVERING ETCHING DAMAGE OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR
３−５族化合物半導体のエッチングダメージ回復方法。 - 特許庁 - Thereafter, the etching layer 408 is etched to a desired dimension.
その後エッチング層４０８は、所望の寸法にエッチングされる。 - 特許庁 - PLASMA ETCHING METHOD AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM
プラズマエッチング方法およびコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 - 特許庁 - Also, for the mesh material of the etching jig, the one constituted of an etching-solution-resistant material is used.
また、エッチングジグのメッシュ材料は、耐エッチング溶液の材質で構成されたものを用いることにより課題を解決する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a multilayer film utilizing a production process using an etching technique, and to provide an etching film production device therefor.
エッチング技術を使った製造工程を利用した多層膜の製造方法及びそのエッチング膜製造装置。 - 特許庁 - Since the second and fourth surfaces are planar, the application of a microfabrication technology such as dry etching and wet etching is facilitated.
また、第２、４の面が平面であることから、ドライエッチング、ウエットエッチングのような微細加工技術の適用が容易になる。 - 特許庁 - Additionally, the optical fiber 12 is dipped in an etching solution 71 containing etching fluid 74 and an etched part 12'D is etched.
そして、光ファイバ１２を、腐食液７４を含むエッチング溶液７１に浸し、被エッチング部分１２’Ｄをエッチングする。 - 特許庁 - The etching protective film which is not etched but remaining on a side wall part of the step 22 forms an etching protective film 23' for separation.
ここで段差２２の側壁部にエッチングされずに残ったエッチング保護膜が分離用エッチング保護膜２３’を構成する。 - 特許庁
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