「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 45 46 47 48 49 50 51 52 53 .... 399 400 次へ＞- A part 5' of the color insulating film 5 to which the ions are guided is removed by etching utilizing difference in the etching rates.
イオンが導入されたカラー絶縁膜５の一部５’を、エッチングレートの差を利用してエッチングして除去する。 - 特許庁 - The sides 30a, 30b of the guard ring 30 are subjected to anisotropic wet etching after patterning by plasma etching.
ガードリング３０の側面３０ａ，３０ｂは、プラズマエッチングによってパターニングされた後、異方性ウエットエッチングされている。 - 特許庁 - In the VSE, reactive ion etching or wet etching is used in order to etch the surface to be bonded slightly (3).
ＶＳＥは、結合される面を僅かにエッチングするためにリアクチブイオンエッチングまたは湿式エッチングが用いられる（３）。 - 特許庁 - ETCHING METHOD OF DIELECTRIC THIN FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE
誘電体薄膜のエッチング方法及び半導体装置 - 特許庁 - A sidewall of the STI film 15 is retreated by etching the STI film 15 with the use of an isotropic etching technology.
ＳＴＩ膜１５を等方性エッチング技術を用いてエッチングし、ＳＴＩ膜１５の側壁を後退させる。 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING MULTILAYER FILM UTILIZING PRODUCTION PROCESS USING ETCHING TECHNIQUE AND ETCHING FILM PRODUCTION DEVICE THEREFOR
エッチング技術を使った製造工程を利用した多層膜の製造方法及びそのエッチング膜製造装置 - 特許庁 - DIRECT ENERGIZING TYPE CONTINUOUS ELECTROLYTIC ETCHING METHOD AND DIRECT ENERGIZING TYPE CONTINUOUS ELECTROLYTIC ETCHING APPARATUS FOR METALLIC STRIP
金属帯の直接通電式連続電解エッチング方法および直接通電式連続電解エッチング装置 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR ETCHING SIDE OF SEMICONDUCTOR WAFER
半導体ウェーハの片面エッチング方法およびその装置 - 特許庁 - WET ETCHING METHOD AND DEVICE OF COMPOUND SEMICONDUCTOR
化合物半導体のウエットエッチング方法およびその装置 - 特許庁 - A deposit 21 deposited during etching of the insulating film 4 is removed by radical etching without ion impact.
絶縁膜４のエッチング中に堆積した堆積物２１を、イオン衝撃を用いないラジカルエッチングにより除去する。 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD FOR GALLIUM-NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR AND THE LIKE
窒化ガリウム系化合物半導体等のドライエッチング方法 - 特許庁 - To provide a method of selectively etching only the prescribed part of a resin film in an etching of the resin film.
樹脂膜のエッチングにおいて所定の部分のみを選択的にエッチングする方法を提供するものである。 - 特許庁 - The etching plastic contains carbon dioxide fluid in a supercritical state or liquid state, and an etching solution.
エッチング化成品は、超臨界状態または液体状態の二酸化炭素の流体と、エッチング溶液とを含む。 - 特許庁 - GAS FOR DRY ETCHING AND METHOD FOR MACHINING SEMICONDUCTOR DEVICE
ドライエッチング用ガスおよび半導体デバイスの加工方法 - 特許庁 - Passivation treatment is cited as an anti-corrosion film forming treatment, and as for etching, electrolysis etching is preferable.
耐食性被膜形成処理としては不動態化処理が挙げられ、また、エッチングは電解エッチングが好ましい。 - 特許庁 - a method of etching that imitates the broad washes of a water color
水彩画のブロード・ウオッシュをまねたエッチングの手法 - 日本語WordNet - the act of etching metal or glass with a chemical
薬品を使って金属やガラスに彫刻をすること - EDR日英対訳辞書 - METHOD OF SETTING ETCHING PROCESS CONDITIONS, AND CONTROL METHOD
エッチングプロセスの条件出し方法および制御方法 - 特許庁 - The counterbored part 30 is formed by half etching.
座繰り部３０の形成は、ハーフエッチングにより形成する。 - 特許庁 - ETCHING METHOD IN STACKED FILM STRUCTURAL BODY, AND WAFER
積層膜構造体におけるエッチング方法、並びに、ウエハ - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING VERTICAL FACE BY DRY ETCHING
ドライエッチングによる垂直面作製方法及び装置 - 特許庁 - Subsequently, the insulating film 22 is removed by etching while using the mask pattern 23 as an etching mask, thus exposing the liner film 26.
そして、マスクパターン２３をエッチングマスクとして絶縁膜２２をエッチング除去し、ライナ膜２６を露出させる。 - 特許庁 - LAMINATE FOR WIRING BOARD AND ITS ETCHING METHOD
配線基板用積層体及びそのエッチング加工方法 - 特許庁 - In the etching method where a silver or silver alloy thin film present on the surface of a substrate is subjected to etching with an etching liquid, the etching liquid in which the concentration of silver ions is 0.005 to 1 wt.% is filled into an etching liquid feeding apparatus, and the etching liquid is brought into contact with the surface of the substrate having the silver or silver alloy thin film layer.
基板表面に存在する銀又は銀合金薄膜層をエッチング液によりエッチングする方法であって、銀イオン濃度が０．００５〜１重量％のエッチング液を、エッチング槽又はエッチング液供給装置に充填し、該エッチング液を、銀又は銀合金薄膜層を有する基板表面に接触させるエッチング方法。 - 特許庁 - The plating pretreatment method includes: a first stage etching step of etching the aluminum alloy while making an etching solution having suspended hard particles to flow at a flow rate of 100-150 cm/sec; and the late stage etching step of etching while making the etching solution to flow at the flow rate of 10-50 cm/sec.
硬質粒子を懸濁させたエッチング液を流速１００〜１５０ｃｍ／秒で流動させてアルミニウム合金のエッチングを行うエッチング前期工程と、前記エッチング前期工程の後、前記エッチング液を流速１０〜５０ｃｍ／秒で流動させてエッチングを行うエッチング後期工程とを含むアルミニウム合金のめっき前処理方法を提供する。 - 特許庁 - In a method for evaluating the watermark 20 formed on a semiconductor substrate surface, the semiconductor substrate 10 is etched by anisotropic etching with a high selection ratio wherein the etching speed of the watermark is slower than that of the substrate material, and etching residues whose height is equal to the etching depth in the substrate are extracted from etching residues in a projection shape exposed on an etching surface.
半導体基板表面に形成されたウォーターマークの評価方法であり、ウォーターマークに対するエッチング速度が基板材料よりも遅い高選択比の異方性エッチングによって半導体基板をエッチングし、エッチング表面に露出した突起状のエッチング残渣のうち、基板に対するエッチング深さと等しい高さのエッチング残渣を抽出する。 - 特許庁 - A trench for wiring is micromachined in two stages; a process for selectively etching an organic-based embedded layer 35 at the initial stage of etching by introducing the etching gas into a plasma atmosphere by using the etching gas containing a nitrogen atom; and a process for micromachining the trench for wiring by introducing the etching gas into the plasma atmosphere using the etching gas containing fluorocarbon gas.
窒素原子を含むエッチングガスを用い、このエッチングガスをプラズマ雰囲気中で導入してエッチング初期に有機系の埋込層３５を選択的にエッチングする工程と、フロロカーボンガスを含むエッチングガスを用い、このエッチングガスをプラズマ雰囲気中で導入して配線用のトレンチを微細加工する工程との二段階で配線用のトレンチを微細加工する。 - 特許庁 - To provide an electrode plate for plasma etching improving etching characteristics and improving the yield of a silicon wafer, by fully keeping the adhesion of the electrode plate for plasma etching and a cooling plate and reducing the flatness of the electrode plate, even if the electrode plate for plasma etching is plasma consumed at the time of etching, and to provide a plasma etching device on which the same is mounted.
エッチング時にプラズマエッチング用電極板がプラズマ消耗しても、プラズマエッチング用電極板と冷却板との密着性が充分に保たれ、しかも電極板の平面度が小さいため、結果として、エッチング特性が向上してシリコンウェハーの歩留まりがよくなるというプラズマエッチング用電極板及びそれを装着したプラズマエッチング装置の提供。 - 特許庁 - This method detects the defect by etching an inspection object until at least a part of the defect existing inside the inspection object appears on a surface of the inspection object, and is the defect detecting method comprising an etching step of etching the inspection object by an anisotropic etching method being an etching method comprising a maximum etching speed in the prescribed direction.
被検査物の内部に存する欠陥の少なくとも一部が該被検査物の表面に現れるまで該被検査物をエッチングして欠陥を検出する方法であって、所定方向に最大のエッチングの速度を有するエッチング方法である異方性エッチング方法により被検査物をエッチングするエッチングステップを備えてなる、欠陥検出方法である。 - 特許庁 - The method for manufacturing the mold used for imprint by dry etching a substrate 10 made of quartz by using a dry etching apparatus includes the mask forming step of forming an etching mask 20 having a concave and convex pattern on the substrate 10, and the etching step of forming a protective film 30 on a side of the etching mask 20 and for etching the substrate 10 at the same time.
ドライエッチング装置を用いて石英製の基板１０をドライエッチングすることにより、インプリントに用いるモールドの製造方法において、基板１０に凹凸パターンを有したエッチングマスク２０を形成するマスク形成ステップと、エッチングマスク２０の側壁への保護膜３０の形成と基板１０のエッチングとを同時に行うエッチングステップとを含む。 - 特許庁 - To provide an etching composition for an aluminum-containing material with which high etching precision, particularly, high linear working precision can be obtained without causing pitting corrosion while a high etching speed (high etch rate) is held in etching for an aluminum-containing material.
アルミニウム含有材料のエッチングにおいて、高エッチングスピード（高エッチレート）を維持したまま、孔食を生じず、高エッチング精度、特に高直線加工精度を得ることのできるアルミニウム含有材料用エッチング組成物を提供すること。 - 特許庁 - To provide an etching gas which can achieve high selectivity for photoresist, suppression of increase in surface roughness, and high etching rate of a silicon oxide film, and to provide an etching method using the etching gas by utilizing a material having a low environmental load.
フォトレジストに対する高い選択性、表面粗度上昇の抑制と、シリコン酸化膜の高いエッチングレートを達成させることのできるエッチングガスおよびそれを用いたエッチング方法を、環境負荷の低い材料により提供する。 - 特許庁 - The pattern forming method comprises a step for forming an etching mask 2 on the surface of a substrate 1 of a sintered body material and a step for dry-etching the material through the etching mask 2 as a mask, wherein the cross sectional area of the etching mask 2 is a trapezoid.
焼結体素材の基板１の表面にエッチングマスク２を形成する工程と、前記エッチングマスク２をマスクとしてドライエッチングする工程を含むパターン形成方法において、前記エッチングマスク２の断面形状が台形をなす。 - 特許庁 - To provide an etching liquid composition having an appropriate etching rate and stable performance with respect to zinc dissolution without generating residuals in etching a transparent conductive film with zinc oxide as a main component, and also to provide an etching method.
酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜のエッチングにおいて残渣の発生がなく、適度なエッチングレートを有し、亜鉛の溶解に対してエッチング性能が安定しているエッチング液組成物及びエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - An internal cooling part 16 and an external cooling tank 17 to keep the temperature of the etching solution in an etching tank 10 to be constant are arranged inside and outside the etching tank 10 containing the etching solution consisting of chemicals and their mixture, respectively.
化学薬品およびその混合液のエッチング液の入ったエッチング槽１０の内部と外部に、エッチング槽１０内のエッチング液の温度を一定に保つための内部冷却部１６と外部冷却槽１７を設ける。 - 特許庁 - By the etching high selectivity, etching rate is decreased in the silicon nitride film 13 when etching is made to progress until the silicon oxide film 14 in a central part of an etching region is eliminated entirely, so that a fuse melting part can be formed stably.
エッチング高選択性により、エッチング領域中央部のシリコン酸化膜１４がすべて除去されるまでエッチングを進めても、シリコン窒化膜１３でエッチング・レートが低下するので、安定してヒューズ溶断部を形成することができる。 - 特許庁 - The etching method using the etching solution includes just immersing the thin film of metallic silver or the silver alloy into the etching solution in a resting state in an etching step, and does not need such a streaming of a solution or a swinging of a substrate as to have been carried out in a conventional method.
そして、このエッチャントを用いる際は、エッチング時に、静止状態のエッチング溶液に金属銀薄膜または銀合金薄膜を浸漬させるだけで足り、従来例のような溶液流動化や基板の揺動を要しない。 - 特許庁 - To provide a dry etching method wherein reproducibility of etching rate is good and execution is enabled by small man day and low cost in a dry etching method in which a semiconductor substrate is etched perpendicularly by alternately changing etching gas and passivation formation gas.
エッチングガスと保護膜形成ガスを交互に切り替えて、半導体基板を垂直方向にエッチングするドライエッチング方法において、エッチングレートの再現性が良く、小さな工数と低コストで実施できるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - This patterning method includes at least three steps of etching processes, in which a fluorine-containing gas is used for etching at a first step, a chlorine-containing gas is used for etching at a second step, and a bromine-containing gas is used for etching at a third step.
このパターニング法は、少なくとも３段階のエッチングプロセスを含み、第一の段階ではフッ素を含むガスが、第二の段階では塩素を含むガスが、第三の段階では臭素を含むガスがエッチングのために使用される。 - 特許庁 - To provide an etching jig capable of uniformly etching a piezoelectric element plate such as a crystal plate which is an object to be worked in a wet type etching device used when etching the piezoelectric element plate such as the crystal plate.
水晶板などの圧電素板をエッチング加工する際に使用する湿式のエッチング装置で、被加工物である水晶板などの圧電素板が均一にムラが無くエッチング処理ができるエッチングジグを得ることを目的とする。 - 特許庁 - Furthermore, in between a first silicon layer etching step and an adhesion layer etching step, a boundary etching step of etching the boundary between the first silicon layer and the adhesion layer by a plasma of mixture of first and second gases is executed.
加えて、第１シリコン層のエッチング工程と接着層のエッチング工程との間には、第１ガスと第２ガスとの混合ガスのプラズマにより、第１シリコン層と接着層との境界をエッチングする境界エッチング工程を実施する。 - 特許庁 - To provide an etching method of large etching selectivity of a high melting point metallic film to a silicon oxide film as a substrate without generating side etching in etching of a high melting point metallic film wherein a silicon compound film is a substrate film.
ケイ素化合物膜を下地膜とした高融点金属膜をエッチングする場合において、サイドエッチングを生じさせずに下地の酸化ケイ素膜に対する高融点金属膜のエッチング選択比が大きいエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an etching device for wet-etching a silicon substrate which is arranged to suppress the decrease in the etching rate resulting from the decrease in the oxidation-reduction potential of an etchant, and the deterioration in the in-plane uniformity of the amount of etching owing to the reduction in the circulating flow rate of the etchant.
シリコン基板をウエットエッチングするエッチング装置において、エッチング液の酸化還元電位の低下によるエッチングレートの低下や、エッチング液の循環流量の低下によるエッチング量の面内均一性の低下を抑制する。 - 特許庁 - Since a copper chloride etching liquid whose concentration is retained to the one directly before saturation is used in etching for a printed circuited board, etching on which a long time is spent is possible, and, fine control is possible even in etching to a thinner and more precise printed circuit board.
プリント配線板のエッチングにおいて飽和直前の濃度に維持された塩化銅エッチング液を用いるので、時間をかけたエッチングが可能であり、より薄く精密なプリント配線板のエッチングでも細かい制御ができる。 - 特許庁 - To provide a dry etching method for preventing borderless etching by using new materials as an etching reducing film in the selective etching method of a silicon oxide film, and a method for manufacturing a semiconductor device.
シリコン酸化膜の選択エッチング方法において、エッチング抑制膜として新規な材料を用いることにより、ボーダレスなエッチングにならないドライエッチング方法及びこの方法を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma etching method and a device that can perform effective etching processing by generating plasma effective for etching of a substrate by controlling radical species or ion species effective for the etching of the substrate.
基板のエッチングに対して効果的なラジカル種又はイオン種の密度を制御することにより、エッチングに対して有効なプラズマを生成して効果的なエッチング加工を行うことができるプラズマエッチング方法及び装置を提供すること。 - 特許庁 - When etching a substance comprising one or more of atoms out of Si, Sn as an etching object by discharging an etching gas, an interhalogen compound gas not containing carbon atoms is used as the etching gas.
Ｓｉ，Ｓｎのうち１種類以上の原子で構成された物質を腐刻対象物として、腐刻用ガスの放電により腐刻を行う際に、腐刻用ガスとして炭素原子を含まないハロゲン間化合物ガスを使用する。 - 特許庁 - (e) A reactive ion etching utilizing the trench etching mask 32 is carried out by using a reactive gas having a high etching selection ratio between a monocrystalline silicon and a silicon oxide, thereby performing an anisotropic etching for the monocrystalline silicon layer 21C.
（ｅ）トレンチエッチングマスク３２を利用した反応性イオンエッチングを、単結晶シリコン及び酸化シリコン間のエッチング選択比が高い反応性ガスを使用して行うことにより単結晶シリコン層２１Ｃを異方性エッチングする。 - 特許庁 - To provide a method of controlling an etching solution reducing the amount of cerium ammonium nitrate and perchloric acid and also giving an excellent etching face in a method of subjecting a chromium film to etching with an etching solution containing cerium ammonium nitrate and perchloric acid.
硝酸セリウムアンモニウムと過塩素酸を含むエッチング液でクロム膜をエッチングする方法において、硝酸セリウムアンモニウムの消費量を節減し、かつ優れたエッチング面を与えるエッチング液の管理方法を提供する。 - 特許庁 - Etching for forming a side wall 51 is performed by two steps of reactive ion etching (RIE) and wet etching, i.e. a silicon oxide film 5A is left on an LDD layer 4 on a silicon substrate 1 by the RIE and the silicon oxide film 5A is removed by the wet etching.
サイドウォール５１形成時のエッチングをＲＩＥとウエットエッチングの二段階で行い、ＲＩＥでシリコン基板１のＬＤＤ層４上に酸化シリコン膜５Ａを残存させ、ウエットエッチングでこの酸化シリコン膜５Ａを除去する。 - 特許庁
