「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 44 45 46 47 48 49 50 51 52 .... 399 400 次へ＞- DRY ETCHING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR APPARATUS
ドライエッチング装置および半導体装置の製造方法 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND DRY ETCHING APPARATUS
半導体装置の製造方法およびドライエッチング装置 - 特許庁 - PLASMA ETCHING SILICON ELECTRODE PLATE GENERATING LESS PARTICLES
パーティクル発生の少ないプラズマエッチング用シリコン電極板 - 特許庁 - CRYSTALLINE ANISOTROPIC DRY ETCHING METHOD FOR SILICON AND DEVICE THEREOF
シリコンの結晶異方性ドライエッチング方法、および装置 - 特許庁 - To provide a silicon electrode plate achieving uniform plasma etching even when the etching is carried out for a long time.
長時間プラズマエッチングを行っても均一なエッチングを行うことができるシリコン電極板を提供する。 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
ドライエッチング方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
ドライエッチング方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND DRY ETCHING DEVICE
半導体装置の製造方法及びドライエッチング装置 - 特許庁 - The etching stop film 112 is removed by second etching gas so such that the metal wiring 110 is exposed.
続いて金属配線１１０が露出されるように第２のエッチングガスでエッチング停止膜１１２を除去する。 - 特許庁 - To provide a production equipment for etching products capable of extremely enhancing the production efficiency of the etching products.
エッチング製品の製造効率を著しく高めることができるエッチング製品の製造設備を提供する。 - 特許庁 - To provide an etching liquid for copper and a copper alloy which achieves uniform half etching, and also, whose regeneration is facilitated.
均一なハーフエッチングが可能で、かつ再生が容易な銅および銅合金用のエッチング液を提供する。 - 特許庁 - COPOLYMER PHOTORESIST HAVING IMPROVED ETCHING RESISTANCE
改善された耐エッチング性を有する共重合体フォトレジスト - 特許庁 - DRY ETCHING DEVICE AND ITS REACTANT GAS SUPPLY METHOD
ドライエッチング装置およびその反応ガス供給方法 - 特許庁 - CRYSTAL PROCESSING METHOD, CRYSTAL PLATE OBTAINED BY THE METHOD, AND ETCHING COMPOSITE FOR WET ETCHING OF CRYSTAL
水晶加工方法、該加工方法により得られた水晶板、及び水晶のウエットエッチング用エッチング組成物 - 特許庁 - The etching rate of the mask and etching portions can be measured easily and accurately by referring to this reference surface.
この基準面を参照することで、マスク部及びエッチング部のエッチングレートを容易に、且つ正確に測定できる。 - 特許庁 - METHOD OF ETCHING TOP ELECTRODE/FERROELECTRIC STACK FILM
上部電極／強誘電体積層膜のエッチング方法 - 特許庁 - TREATMENT OF OPTICAL ELEMENT SURFACE BY ION BEAM ETCHING
イオンビームエッチングによる光学素子表面の処理方法 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD AND WET ETCHING APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
半導体装置の製造方法及びウェットエッチング装置 - 特許庁 - METHOD FOR REDUCING NOTCHING GENERATED AT REACTIVE ION ETCHING
反応性イオンエッチング時に生じるノッチング低減方法 - 特許庁 - A first mask is formed on the etching mask stack.
第１のマスクが、エッチングマスクスタックの上に形成される。 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING DEVICE AND PLASMA ETCHING DEVICE
半導体装置の製造方法及びプラズマエッチング装置 - 特許庁 - This reaction rate limiting type etching is executed with an acid etching liquid containing hydrofluoric acid and nitric acid, and further containing acetic acid.
反応律速型エッチングはフッ酸及び硝酸を含む酸エッチング液により行われ、酢酸を更に含む。 - 特許庁 - The silicon nitride film 7 is used as an etching mask in the step of forming a hole 20 by etching.
また、シリコン窒化膜７は、エッチングによりホール２０を形成する工程においてエッチングマスクとして利用される。 - 特許庁 - In the method for manufacturing anisotropic etching is carried out on a substrate, isotropic etching is performed.
本発明は、マスクを形成し、基板に異方性エッチングを行った後、等方性エッチングを行うことを特徴とする。 - 特許庁 - INDIRECT ENERGIZING TYPE CONTINUOUS ELECTROLYTIC ETCHING METHOD AND INDIRECT ENERGIZING TYPE CONTINUOUS ELECTROLYTIC ETCHING APPARATUS FOR METALLIC STRIP
金属帯の間接通電式連続電解エッチング方法および間接通電式連続電解エッチング装置 - 特許庁 - A selection ratio K is acquired from the etching amount of the first semiconductor region and the etching amount of the first mask layer.
第１の半導体領域のエッチング量および第１のマスク層のエッチング量から選択比Ｋを得る。 - 特許庁 - A hybrid porous tube body 100 is obtained by putting the base material 3 under an etching removal process by a wet etching method (d).
基材３をウエットエッチング法によりエッチング除去して混成型多孔質管体１００を得る〔（ｄ）〕。 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
ドライエッチング方法、及び半導体素子の作製方法 - 特許庁 - The phase difference of 180° is formed by etching the layer 310 of the glass or quartz by using the etching mask.
このエッチングマスクを用いてガラスもしくは石英の層３１０をエッチングして１８０°の位相差を形成する。 - 特許庁 - To control an etching form arbitrarily and precisely by using a capacity coupling type plasma etching device.
容量結合型のプラズマエッチング装置を用いてエッチング形状を任意かつ精密に制御できるようにすること。 - 特許庁 - An initial trench 4 is formed by etching an Si substrate 1 through reactive ion etching by using an oxide film mask 2 as a mask.
酸化膜マスク２をマスクとして、Ｓｉ基板１を反応性イオンエッチングして初期のトレンチ４を形成する。 - 特許庁 - METHOD OF PROCESSING SEMICONDUCTOR WAFER AND PLASMA ETCHING APPARATUS
半導体ウエーハの加工方法及びプラズマエッチング装置 - 特許庁 - ETCHING MASK, METHOD FOR FORMING CONTACT HOLE WHICH USES THE ETCHING MASK AND SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED BY THE METHOD
エッチングマスク及びエッチングマスクを用いたコンタクトホールの形成方法並びにその方法で形成した半導体装置 - 特許庁 - The high accurate pixel electrode pattern is formed when the etching of the pixel electrodes 6 is carried out by a dry etching method.
画素電極６のエッチングをドライエッチングによって行えば、高精度な画素電極パターンを形成できる。 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR ETCHING GALLIUM NITRIDE
窒化ガリウムのエッチング方法および窒化ガリウムのエッチング装置 - 特許庁 - SILICON ELECTRODE PLATE FOR PLASMA ETCHING OF SUPERIOR DURABILITY
耐久性に優れたプラズマエッチング用シリコン電極板 - 特許庁 - The method remarkably improves etching homogeneity of the wet etching process which selectively eliminates the oxidized film.
又、酸化膜を選択的に除去するウエットエッチング工程のエッチング均一性を大きく向上させることができる。 - 特許庁 - PROCESS FOR ETCHING NICKEL ALLOY BY ELECTROCHEMICAL TECHNIQUE
ニッケル合金の電気化学的手法によるエッチング加工 - 特許庁 - The BARC etching includes a high polymeric gas for controlling the CD and selective etching chemicals together.
ＢＡＲＣエッチングは、ＣＤ制御のための高重合性ガスと一緒に選択性エッチング化学薬品を含む。 - 特許庁 - The nitride silicon film 9 functions as an etching stopper during the etching process of a BPSG film 11 formed on it.
窒化シリコン膜９は、その上に形成したＢＰＳＧ膜１１をエッチングする際にエッチング・ストッパとして機能する。 - 特許庁 - NOTCH-FREE ETCHING OF HIGH ASPECT RATIO SOI STRUCTURES USING ALTERNATING DEPOSITION AND ETCHING AND USING PULSED PLASMA
交互の付着およびエッチングおよび有パルスプラズマを使用する高縦横比ＳＯＩ構造のノッチ無しエッチング - 特許庁 - An etching liquid is jetted on the wafers 1 through the plates 8 and 8, and an etching treatment is performed on the wafers.
上記エッチング液噴出プレ−ト（８），（８）から上記ウエ−ハ（１）にエッチング液を噴出し、エッチング処理をする。 - 特許庁 - REMOVAL AGENT FOR DRY ETCHING RESIDUE AFTER FORMING PLATINUM FAMILY PATTERN
白金族パターン形成後のドライエッチング残渣除去剤 - 特許庁 - To suppress dispersion of the line width in etching of a multilayer film.
多層膜のエッチングでの線幅のばらつきを抑える。 - 特許庁 - To suppress variation of etching in a plane of a wiring board when the wiring board is manufactured by etching.
エッチングにより配線基板を製造する場合、配線基板の面内におけるエッチングのばらつきを抑制すること。 - 特許庁 - PHOTOMASK HAVING SELF-MASKING LAYER AND METHOD OF ETCHING THE SAME
自己マスク層を有するフォトマスクとそのエッチング方法 - 特許庁 - When a conductive thin film is etched, etching is selectively performed by using an etching solution made of an oxidizing agent and a chelating agent.
導電薄膜をエッチングする際、酸化剤とキレート剤とからなるエッチング液で選択的にエッチングする。 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD OF II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のドライエッチング方法 - 特許庁 - An etching speed is thereby averaged and predicted, and "burrs" are removed by performing etching up to the proper timing.
それによりエッチング速度を平均化するとともに予測可能にし、適切な時点までエッチングして「ばり」も無くす。 - 特許庁 - CHEMICAL ETCHING METHOD FOR IMPACT PLATE FOR GOLF CLUB HEAD
ゴルフ・クラブ・ヘッド用打撃プレートの化学的エッチング方法 - 特許庁
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