「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 40 41 42 43 44 45 46 47 48 .... 399 400 次へ＞- To provide an etching solution for etching a thin film of metallic silver or a silver alloy with an adequate precision of a dimension, and to provide an etching method using the solution.
良好な寸法精度で金属銀薄膜または銀合金薄膜のエッチングを可能とするエッチング溶液及びこの溶液を用いたエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - With the formation of the (111) faces by wet etching and the dissolution of side etching by dry etching, the plate-like structure is accurately formed with a required minimum produced area.
ウエットエッチングによる（１１１）面の形成と、ドライエッチングによるサイドエッチングの解消により、板状構造体が必要最低限の作製面積で精度良く形成される。 - 特許庁 - To provide a thickness measuring device for measuring the thickness of a semiconductor wafer while wet etching is being executed, a wet etching device using it, and a wet etching method.
ウエットエッチングの実行中に半導体ウエハの厚みを計測することが可能な厚み計測装置、及びそれを用いたウエットエッチング装置、ウエットエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a separator for multiple layout etching products capable of surely and automatically separating the etching product without the occurrence of dancing in the etching products.
エッチング製品におどりを生じることなく、エッチング製品を確実にかつ自動的に分離することができる多面付けエッチング製品の分離装置を提供する。 - 特許庁 - At the dry-etching, the flow rate of an etching gas and etching time is adjusted so that the cross-section shape of the trench channel 5 comes to be tapered.
ドライエッチング時においては、トレンチ溝５の断面形状が順テーパー形状となるように、ドライエッチング時のエッチングガスの流量およびエッチング時間を調節する。 - 特許庁 - To prevent unexpected abnormality such as the generation of particles, the deterioration of etching uniformity due to the turbulence of plasma or the variation of etching speed in a pretreatment etching module.
前処理エッチングモジュールにおける、パーティクルの発生、プラズマの乱れによるエッチング均一性の悪化、エッチング速度の変動等の突発的な異常を未然に防止する。 - 特許庁 - An SiCN layer 102 as an etching stopper layer is formed on a lower layer, and the SiCN layer 102 is subjected to plasma etching, using plasma of an etching gas containing CF_4 and NF_3.
下層には、エッチストッパー層としてＳｉＣＮ層１０２が形成されており、このＳｉＣＮ層１０２を、ＣＦ_4と、ＮＦ_3とを含むエッチングガスのプラズマを用いてプラズマエッチングする。 - 特許庁 - To provide a wet etching processing method characterized by the effective processing of any impurities generated by the etching reaction, and an etching system implementing such a method.
エッチング反応によって生じた不純物を効果的に処理することを特徴とする湿式エッチング処理方法、及びそれを実施するエッチングシステムを提供すること - 特許庁 - To realize faces usable for an optical reflecting surface by one anisotropic etching with an etching mask of optional shape, using anisotropic etching of Si.
Ｓｉの異方性エッチングを利用して、光学反射面に利用可能な面を、任意の形状を持つエッチングマスクによって一度の異方性エッチングで実現し得るようにする。 - 特許庁 - To provide an etching method which raises the etching selectivity of a metal silicide film to a polycide film in plasma etching of the polycide film.
ポリサイド膜をプラズマエッチング方法によりエッチングするとき、ポリシリコン膜に対する金属シリサイド膜のエッチング選択比を高めることのできるエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an etching method and an etchant for etching a material in which gold and nickel coexist with one liquid and controlling the etching rate of the gold and the nickel.
金とニッケルとが共存する材料の１液でのエッチングを可能にし、さらに金およびニッケルのエッチングレートを制御できるエッチング方法およびエッチング液を提供する。 - 特許庁 - Therefore, when the groove by the etching becomes deeper and liquid pressure becomes difficult to be transmitted to a bottom of the groove by accumulation of the etching solution 4, thickness of the etching controlled coating 5 becomes thin, stabilization of the etching speed is attained, and distribution of amounts of side etching to a depth direction is uniformized, and the anisotropy becomes high.
よって、エッチングによる溝が深くなってエッチング液４の液溜りにより液圧が溝底まで伝わり難くなったときにエッチング抑制被膜５の厚さを薄くでき、エッチング速度の安定化を図れると共に深さ方向へのサイドエッチング量の分布を均一化でき異方性を高くできる。 - 特許庁 - Next, the remaining part 22 of the cap film 20 and the low dielectric film 10 are etched at the same time under second etching condition different from the first etching condition (second etching step).
次に、第１のエッチング条件とは異なる第２のエッチング条件で、キャップ膜２０の残部２２と低誘電率膜１０とを一括してエッチングする（第２のエッチング工程）。 - 特許庁 - After that, a partial etching process of flattening the surface of the wafer W by partially etching it with active seed gas G by SF6 gas in a partial etching device 2 is carried out.
しかる後、局部エッチング装置２においてウエハＷ表面をＳＦ6ガスに因る活性種ガスＧで局部エッチングして平坦化する局部エッチング工程を実行する。 - 特許庁 - The etching stop layer 11 is formed of a material which is etched with a first etchant at an etching speed slower than the etching speed of the diffusion source layer 12 for the first etchant and etched with a second etchant at an etching speed faster than the etching speed of the contact layer 10 for the second etchant.
エッチングストップ層１１を、第１エッチャントに対するエッチング速度が第１エッチャントに対する拡散源層１２のエッチング速度よりも遅く、かつ、第２エッチャントに対するエッチング速度が第２エッチャントに対するコンタクト層１０のエッチング速度よりも速い材料で形成する。 - 特許庁 - The mask blank 1 comprises a light-shielding film 12 and a resist film 14 layered on a light-transmitting substrate 11, wherein the etching rate of the resist film 14 in dry etching using an etching gas containing a chlorine-based gas is 0.5 time or less as the etching rate of the light-shielding film 12 in the same dry etching.
透光性基板１１上に遮光性膜１２およびレジスト膜１４が積層されたマスクブランクス１において、塩素系ガスを含むエッチングガスを用いたドライエッチングにおけるレジスト膜１３のエッチング速度が、当該ドライエッチングにおける遮光性膜１２のエッチング速度の０．５倍以下である。 - 特許庁 - To provide an etching replenishment liquid, where, at the time when a copper thin film is etched, the problem of the change in an etching rate is not caused, and to provide an etching method for a copper thin film using the same.
銅薄膜のエッチングにあたり、エッチング速度変化の問題を生じさせないエッチング補給液及び、これを用いた銅薄膜エッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To obtain an etching agent which is capable of etching a copper film at a high etching rate by a simple chemical etching method of immersing the low-resistance copper film in a static state into an aqueous solution of an inexpensive and easily available reagent when this copper film is used as a wiring material and hardly gives rise to the occurrence of abnormal etching and pattern thinning.
低抵抗の銅膜を配線材料として用いる場合に、安価で入手容易な試薬の水溶液に静止状態で浸漬するという簡便なケミカルエッチング法により銅膜を高いエッチングレートでエッチングでき、しかも異常エッチングやパターン細りが起こり難いエッチング剤を得る。 - 特許庁 - Provided are: a method for etching a glaze substrate, which enables application of a deep and even etching at one time by etching while applying an ultrasonic wave to an etching liquid and removing a reaction product by the cavitation; and a method for manufacturing a partially convexed protrusion type glazed substrate by using the etching method.
エッチング液に超音波をかけ、そのキャビテーションにより反応生成物を除去しながらエッチングを行うことにより、一度に深く均一なエッチングを施すことが可能なグレーズ基板のエッチング方法、およびそのエッチング方法を用いた部分凸型グレーズ基板の製造方法。 - 特許庁 - Next, an etching mask 14 is formed, a part of the p-GaN layer 12 is subjected to dry etching (fig. 1b), and the etching mask 14 is removed after executing SC1, SC2 cleaning (fig. 1c).
次に、エッチングマスク１４を形成し、ｐ−ＧａＮ層１２の一部をドライエッチングし（図１ｂ）、ＳＣ１、ＳＣ２洗浄を行った後エッチングマスク１４を除去する（図１ｃ）。 - 特許庁 - A semiconductor wafer 18 placed in a treatment tank 1 is subjected to an etching treatment, by repeating a treatment of supplying an etching solution 2 in an etching solution tank 9 to the treatment tank 1, and returning the supplied etching solution 2 into the etching solution tank 9.
エッチング液タンク９内のエッチング液２を処理槽１内に供給し、この供給されたエッチング液２をエッチング液タンク９内に回収することを複数回繰り返すことにより、処理槽１内に配置された半導体ウエハ１８に対してエッチング処理を行なう。 - 特許庁 - To provide an etching method uniformly bringing an etching liquid into contact with a glass surface and uniformly etching the glass surface and to provide a device used to the method.
ガラス表面に均一にエッチング液を接触させ、ガラス表面を均一にエッチングすることが可能なエッチング方法及びこの方法に使用する装置の提供。 - 特許庁 - The reaction products produced by the chlorine series etching seeds have a higher vapor pressure than the reaction products produced by the fluorine series etching seeds, so that the etching rate of chlorine series etching seeds is slow, the reaction products of the fluorine series etching seeds are attached to the oxide film 2 and the tungsten film 3 and conducive to an improvement in shape controllability.
塩素系エッチング種から生成される反応生成物は弗素系反応生成物の蒸気圧より高いのでエッチング速度は遅く、反応生成物は酸化膜２とタングステン膜３の表面に付着し、形状の制御性を向上させるためにも有効となる。 - 特許庁 - To provide a dry etching apparatus reducing the dispersion, due to position of etching rate, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device which uses the dry etching apparatus and the semiconductor device manufactured by the method and a method for manufacturing an electrode of the dry etching apparatus used for the dry etching apparatus.
エッチングレートの位置によるばらつきが低減されたドライエッチング装置、そのドライエッチング装置を用いた半導体装置の製造方法、および、その製造方法により製造された半導体装置、ならびに、ドライエッチング装置に用いられるドライエッチング装置の電極の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The element isolation film and the buried oxide film 105 are removed through dry etching, the etching blocking film 155 is removed through wet etching and a hole exposing the support substrate is formed.
素子分離膜及び埋没酸化膜１０５を乾式エッチングで、エッチング阻止膜１５５を湿式エッチングで除去して支持基板を露出させるホールを形成する。 - 特許庁 - A lamination process of laminating a quartz substrate 1 to a silicon substrate 2 whose etching rate is different from that of the quartz substrate 1, a polishing process of polishing the quartz substrate 1, a base etching process of etching the silicon substrate 2, and a quartz etching process of etching the quartz substrate 1 are included.
水晶基板１と、水晶基板１とはエッチングレートが異なるシリコン基板２とを貼り合わせる貼合工程と、水晶基板１を研磨する研磨工程と、シリコン基板２をエッチングするベースエッチング工程と、水晶基板１をエッチングする水晶エッチング工程とを含むようにした。 - 特許庁 - The first chrome layer 21 having a low etching rate is used as an etching stopper, the second chrome layer 23 having a higher etching rate is selectively etched to form an optical grating 19.
エッチングレートが小さい第１のクロム層２１をエッチングストッパとして、エッチングレートが大きい第２のクロム層２３を選択的にエッチングして、光学格子１９を形成する。 - 特許庁 - In a process for manufacturing a recess-gate type FET, a recess etching process (S105) subjects it to an aqueous solution containing aqueous ammonia for selective etching with GaAs in wet-etching.
リセスゲート型のＦＥＴ製造工程において、リセスエッチングプロセス（Ｓ１０５）はアンモニア水を含む水溶液でウエットエッチングでＧａＡｓの選択エッチング（リセスエッチング（Ｓ１０５））を行う。 - 特許庁 - When a concave portion 8 is formed in a substrate 7 by an etching gas, it is necessary that an etching stopper be formed in the substrate 7, because etching of silicon is performed isotropally.
エッチングガスにより基板７に凹部８を形成する場合、等方的にシリコンのエッチングが行なわれるため、エッチングストッパを基板７内に形成する必要がある。 - 特許庁 - Next, dry etching is performed to the etching film (ferroelectric material 2) to form the reaction product 9 made from etching gas and the ferroelectric material 2 on the adherent layer 11.
次いで、被エッチング膜（強誘電体材料２）をドライエッチングして、密着層１１上にエッチングガスと強誘電体材料２との反応生成物９を形成する。 - 特許庁 - In the copper foil 1 of an electronic circuit where a circuit is formed by etching, a metal or alloy layer 7 having an etching rate lower than that of copper is formed on the etching face side.
エッチングにより回路形成を行う電子回路用銅箔１において、エッチング面側に銅よりエッチングレートの遅い金属又は合金層７を形成した。 - 特許庁 - On the basis of the relation, etching is completed at the time point when the temperature increase amount of the etching chemical liquid L reaches a prescribed value corresponding to a set etching amount.
この関係に基づいて、エッチング薬液Ｌの温度上昇量が、設定されたエッチング量に対応する所定値に達した時点でエッチングを終了させる。 - 特許庁 - To provide a method capable of using an etching gas that has low global-warming coefficient in applying anisotropic plasma etching to a silicon substrate for depth etching, generating byproducts having low global-warming coefficients in etching processing, and obtaining high etching speed.
シリコン基板に異方性プラズマエッチングを施して、深堀エッチングを行う際に、地球温暖化係数が小さいエッチングガスを用いるようにし、かつエッチング処理に際して地球温暖化係数が小さい副次生成物が生成するようにし、しかも高いエッチング速度が得られるようにする。 - 特許庁 - When the chuck 40 is positioned on the etching stage 22, the chuck 40 is elevated toward an etching tank 25, and the wafer 28 held by the chuck 40 is stored in the etching tank 25.
チャック４０がエッチングステージ２２に位置されると、チャック４０がエッチング槽２５に向けて上昇され、チャック４０に保持されたウェーハ２８がエッチング槽２５に収容される。 - 特許庁 - To provide the etching method of a gallium nitride compound semiconductor, which suppresses an etching rate and etching dispersion by previously introducing O2 gas to etching gas, improves the controllability and the workability of a dry etching rate and can obtain the satisfactory reproducibility of an electric characteristic.
あらかじめエッチングガスにＯ_2ガスを導入することによりエッチングレートとエッチングばらつきを抑制し、ドライエッチングレートの制御性および作業性を向上させ、かつ良好な電気的特性の再現性を得る為の窒化ガリウム系化合物半導体のエッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - For the etching, the oxygen concentration of the acidic aqueous solution 3 put in the etching tanks 1a to 1c is controlled independently by the etching tanks 1a to 1c.
エッチングを実行するに際しては、エッチング槽１ａ〜１ｃに入った酸性水溶液３の各水素イオン濃度を、それぞれのエッチング槽１ａ〜１ｃで独立して制御する。 - 特許庁 - Further, by the relative movement between the panel and the etching solution, the residue formed by etching is rapidly separated from the surface and the etching efficiency can be enhanced.
またそのパネルとエッチング液間の相対運動により、エッチングで出る残渣を迅速にその表面から分離し、エッチング効率を高める目的を達成するものである。 - 特許庁 - In the etching method, cerium (TV) nitrate ammonium is replenished into the etching solution in the process of etching in such a manner that the weight ratio of quadrivalent cerium to hexavalent chromium is controlled to ≥17.
エッチング中のエッチング液に６価クロムに対する４価セリウムの重量比が１７以上となるように硝酸第二セリウムアンモニウムを補給するエッチング方法。 - 特許庁 - To provide an electrolytic etching aluminum foil having narrow and long etching pits in which an aspect ratio of the etching pit to be obtained based on an average length/average diameter exceeds 45.
平均長さ／平均直径により求めるエッチングピットのアスペクト比が４５を超えるような、細くて、長いエッチングピットを形成した電解エッチングアルミニウム箔の提供。 - 特許庁 - To provide an etching method capable of dry etching even for copper or materials containing copper at an enough speed without causing problems such as side etching and surface roughness.
銅や銅を含む材料に対しても、サイドエッチングや表面荒れ等の問題を発生させることなく、かつ充分な速度でドライエッチングできるエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - A wiring etching resist pattern 30 is formed on a metal foil 2, and checking etching resist patterns 31 are formed adjacent to the wiring etching resist pattern 30.
金属箔２上に配線用エッチングレジストパターン３０が形成され、配線用エッチングレジストパターン３０の近傍に複数の検査用エッチングレジストパターン３１が形成されている。 - 特許庁 - To provide a silicon etching method and a silicon etching apparatus which suppress the quantity of consumption of a drug, and enables silicon etching with good selectivity.
薬液の消費量を抑制することができ、また、シリコンを良好な選択性でエッチングすることができるシリコンエッチング方法およびシリコンエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an anisotropic etching processing method where etching rate is high, etching selection ratio of substrate vs. resist is high and micro-filling property is reduced.
本発明は、エッチング速度が高く、基板対レジストのエッチング選択率が高く、微小充填性を低減した異方性エッチング処理方法を提供する事を目的とする。 - 特許庁 - Then, the second polysilicon electrode is prevented from being thinned out by the side wall product which is a by-product produced by anisotropic etching while the etching residues are removed by isotropic etching.
次に、等方性エッチングでエッチング残存物を除去しつつ、第２ポリシリコン電極の細りを異方性エッチング時の副産物である側壁生成物で防止する。 - 特許庁 - To provide an etching method for etching a non-conductive substrate surface, especially a polyamide surface or an ABS plastic surface before a metal layer is formed on the surface; and an etching solution.
本発明は、金属層の形成の前に、非導電性基板表面のエッチング、特にポリアミドまたはABSプラスチック表面をエッチングするための方法及びエッチング溶液に関する。 - 特許庁 - An etching residue produced on a crystal piece formed in a crystal wafer by an etching technique, in particular, wet etching is removed by picosecond laser being a pulse laser.
エッチング技術により、特にウェットエッチングによって水晶ウェハに形成される水晶片に生じたエッチング残りをパルスレーザであるピコ秒レーザによって除去する。 - 特許庁 - An etching groove is formed by laser-etching only the semiconductor layer 11 and an element separation groove 17 is formed by cleaving the semiconductor layer 11 with the etching groove as a trigger.
半導体層１１のみをレーザエッチングしてエッチング溝を形成し、このエッチング溝をトリガーとして半導体層１１を劈開することにより素子分離溝１７を形成する。 - 特許庁 - This method for etching the resin film, characterized by irradiating laser light before the etching and/or during the etching.
本発明のエッチング方法は、樹脂膜をエッチングするに際し、該エッチング前および該エッチング中の少なくとも一方において、レーザーを照射することを特徴とするものである。 - 特許庁 - When etching gas plasma is formed on the boards 7, and the respective boards 7 are subjected to an etching process, the difference between the etching speed in the outer peripheral part of each board 7 and that at the center part thereof is reduced.
基板７上にエッチングガスプラズマを形成し、各基板７をエッチング処理する際に、各基板７の外周部分と中央部分のエッチング速度の差が小さくなる。 - 特許庁 - To provide an etching method for making an etching rate and an etching selection rate with respect to an organic Si low dielectric constant film to be high and etching a SiC part when the SiC part of a body to be processed is etched by the plasma of etching gas with the organic Si low dielectric constant film as a mask.
有機Ｓｉ系低誘電率膜をマスクとして被処理体のＳｉＣ部分をエッチングガスのプラズマによりエッチングする場合に、エッチングレートおよび有機Ｓｉ系低誘電率膜に対するエッチング選択比を高くしてエッチングすることができるエッチング方法を提供すること。 - 特許庁
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