「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 37 38 39 40 41 42 43 44 45 .... 399 400 次へ＞- To provide a method of etching a carbon-containing film, and to provide a method of fabricating a semiconductor device using the etching method.
炭素含有膜エッチング方法及びこれを利用した半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - LIQUID ETCHING TYPE SURFACE TREATMENT DEVICE AND ITS METHOD
液体エッチング式表面処理装置及び方法 - 特許庁 - METHOD FOR DIVIDING SAPPHIRE WAFER USING DRY ETCHING
ドライエッチングを利用したサファイアウェーハの分割方法 - 特許庁 - To form via-holes, each having a uniform depth, on a silicon by a reactive ion etching method, and to prevent the disappearance of a specific part of a protective film covering a silicon board in an etching process.
反応性イオンエッチング法により、シリコン基板に深さが均一なビアホールを形成する。 - 特許庁 - METHOD FOR FORMING THERMAL SPRAY COATING IN PLASMA ETCHING APPARATUS
プラズマエッチング装置における溶射膜の形成方法 - 特許庁 - To provide an etching method where the same etching liquid is repeatedly used, and a plurality of works composed of aluminum or the alloy thereof can be stably and continuously subjected to etching treatment at almost fixed etching efficiency, and further, the etching liquid can be regenerated, so as to be reused.
同じエッチング液を繰り返し使用して、アルミニウムまたはその合金からなる複数の被処理物を、ほぼ一定のエッチング効率で、安定して連続的にエッチング処理できる上、エッチング液を再生して再使用することも容易なエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - In a surface-working method for the substrate, by forming an etching resistant film whose etching resistant force against etching liquid has distribution in the film on the substrate surface and performing etching via the etching resistant film, recesses and projections are formed on the substrate surface.
エッチング液に対する耐エッチング力が膜内で分布をもつ耐エッチング膜を基板表面に形成し、耐エッチング膜を介してエッチングすることで基板表面に凹凸を形成することを特徴とする基板の表面加工方法により上記課題を解決する。 - 特許庁 - At step (j), etch agent is made to advance into the etching space 105 through the etching hole 14 and to fill the etching space 105, and a recess 13 is formed by etching a substrate 11 in the thickness direction (Z direction) from the surface opposite to the etching space 105.
工程（ｊ）では、エッチング空間１０５に、エッチングホール１４を介してエッチング剤を進入させ、エッチング空間１５をエッチング剤で満たすようにして、基板１１のエッチング空間１０５に臨む表面から厚み方向（Ｚ方向）にエッチングして凹部１３を形成する。 - 特許庁 - The iodine etching solution for etching the noble metal on the semiconductor material comprising both the noble metal and the base metal has an etching rate ratio for the noble metal to the base metal (etching rate of the noble metal/etching rate of the base metal) of ≥0.03.
貴金属と卑金属が共存する半導体材料から貴金属をエッチングするヨウ素系のエッチング液であって、該エッチング液の貴金属と卑金属のエッチングレート比（貴金属のエッチングレート／卑金属のエッチングレート）が０．０３以上である、前記エッチング液。 - 特許庁 - An oxide gas containing oxygen atoms is added to the etching gas in order to reduce an etching speed in a horizontal direction of anisotropic etching by surface-oxidizing an etching sidewall to emphasize anisotropy, and the etching object is etched.
さらに、この腐刻用ガスに、腐刻側壁を表面酸化することにより異方性腐刻の水平方向の腐刻速度を低下させて異方性を強調するために、酸素原子を含む酸化性ガスを添加して、腐刻対象物に対して腐刻を行う。 - 特許庁 - To provide an etching method by which side etching is prevented when wet-etching is applied to a corrosion-proof film formed on a substrate made of a piezoelectric material thereby increasing etching accuracy, and to provide a method for manufacturing a piezoelectric device and a method for manufacturing a piezoelectric oscillating piece both utilizing the etching method and structure of electric corrosion inhibition pattern.
圧電材料である基板に形成した耐蝕膜をウエットエッチングする際に、サイドエッチングを防止し、精度を向上させるエッチング方法とこれを利用した圧電振動片と圧電デバイスの製造方法ならびに電喰抑制パターンの構造を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for controlling the amount of etching in dry etching process that achieves high operating efficiency in simple apparatus structure, and can complete etching by a specific amount of etching accurately without limiting the quality of a workpiece, and to provide a dry etching apparatus.
本発明は、簡単な装置構成で、高稼動率を実現し、被処理物の材質を限定せず、高精度に所定のエッチング量でエッチングを終了することができるドライエッチングのエッチング量制御方法及びドライエッチング装置を提供することにある。 - 特許庁 - This surface treatment device is provided with an etching chamber 2 etching the treating object using an etching liquid, a washing chamber 3 washing the treating object after etching; and multiple carrying rollers 4 carrying the treating object to the washing chamber 3 from the etching chamber 2.
エッチング液を用いて被処理物に対するエッチング処理を行うエッチング室２と、エッチング処理後の被処理物に対する水洗処理を行う水洗室３と、エッチング室２から水洗室３に被処理物を搬送する複数の搬送ローラー４を備える。 - 特許庁 - Then, an interlayer insulating film is formed at the upper layer of the etching stopper film, and a contact hole for exposing the etching stopper film is opened by such etching as the interlayer insulating film is selectively removed from the etching stopper film, before the etching stopper film at the bottom of the contact hole is removed.
次に、エッチングストッパ膜の上層に層間絶縁膜を形成し、エッチングストッパ膜に対して選択的に層間絶縁膜を除去するエッチングによりエッチングストッパ膜を露出させるコンタクトホールを開口し、次に、コンタクトホール底部のエッチングストッパ膜を除去する。 - 特許庁 - METHOD FOR MONITORING AND CONTROLLING ETCHING PROCESS
エッチングプロセス監視方法及びエッチングプロセス制御方法 - 特許庁 - The fine hole in the pyramid shape is provided by etching.
該四角錐状の細孔は、エッチングにより設ける。 - 特許庁 - ETCHING METHOD OF ORIGINAL BODY SURFACE WITH PORE THEREON
細孔が存在する原体表面のエッチング方法 - 特許庁 - METHOD OF FORMING ETCHING PATTERN AND FINE PATTERN WORK
エッチングパターン形成方法、及び微細パターン加工品 - 特許庁 - The bit line 3 is covered with etching stopper films 4 and 5.
ビット線３はエッチングストッパ膜４，５によって覆う。 - 特許庁 - In such a case, the etching allowance is 0.01-10 μm.
この場合、エッチングしろが０．０１〜１０μｍである。 - 特許庁 - An etching suppressing portion is formed above the connecting portion.
接続部の上方にエッチング抑制部を形成する。 - 特許庁 - After that, width of the mask pattern is reduced by etching.
その後、エッチングによりこのマスクパターンの幅を狭める。 - 特許庁 - The barrier layer 105 is formed by wet etching.
バリア層１０５は、ウェットエッチングによって形成される。 - 特許庁 - The supporting sections 20 and void sections 21 are formed by etching the substrate 1 through an etching process in which at least one isotropic etching step is performed prior to at least one anisotropic etching step.
尚、支持部２０及び空隙部２１は少なくとも一回の等方性エッチング工程が少なくとも一回の異方性エッチング工程に先行してなるエッチング工程による基板１のエッチングによって作製される。 - 特許庁 - That is, a first etching step employs an etching method in which the etching rate to at least a second film and a third film is high, and the first etching step is continued until at least a first film is exposed.
すなわち、第１のエッチング工程には、少なくとも第２の膜及び第３の膜に対するエッチングレートが高いエッチング方法を採用し、第１のエッチング工程は少なくとも第１の膜を露出するまで行う。 - 特許庁 - When providing a mask 16 on the semiconductor layer and etching the semiconductor layer except the mask, etching is performed in two steps, and the desired depth (d) of etching is a total value of the depth d_1 and d_2 in both steps of etching.
半導体層にマスク１６を設けて半導体層のマスク以外の部分をエッチングする際に、２回に分けてエッチングし、所望のエッチングの深さｄは両方のエッチングの深さｄ_１、ｄ_２さを合計した値とする。 - 特許庁 - METHOD AND SYSTEM FOR DRY-ETCHING METAL NITRIDE
金属窒化物を乾式エッチングする方法及びシステム - 特許庁 - ETCHING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN TYPE GLASS SUBSTRATE
エッチング装置及び薄型ガラス基板の製造方法 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR ETCHING RESIN AND PRINTED BOARD
樹脂のエッチング方法、エッチング装置およびプリント基板 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR ETCHING
半導体装置の製造方法及びエッチング方法 - 特許庁 - TENSION TYPE SHADOW MASK AND ITS ETCHING TREATMENT METHOD
展張型シャドウマスクおよびそのエッチング処理方法 - 特許庁 - For this reason, etching can be conducted correctly.
このため、エッチング等を正確に行なうことができる。 - 特許庁 - WIRING FILM FOR DISPLAY WITH EXCELLENT WET ETCHING PROPERTY
ウェットエッチング性に優れた表示装置用配線膜 - 特許庁 - MEMBER FOR PLASMA ETCHING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
プラズマエッチング装置用部材及びその製造方法 - 特許庁 - In a first etching process, the surface of a crystal material is wet-etched using a first etching composite containing a buffered hydrofluoric acid as a main component to perform an etching process over a wide area by a required etching quantity.
第１エッチング工程において、バッファード弗酸を主成分として含有する第１エッチング組成物を用いて水晶材料の表面をウエットエッチングし、広い範囲で必要なエッチング量だけエッチング加工する。 - 特許庁 - To provide an etching processing apparatus and an etching method for suppressing an increase in moisture concentration in an etching liquid when replenishing a constituent liquid chemical to the etching liquid including at least one constituent liquid chemical and water.
少なくとも一の成分薬液と水とを含むエッチング液に一の成分薬液を補給する際の、エッチング液中の水分濃度の上昇を抑制できるエッチング処理装置およびエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - Further, by etching the silicon wafer 21 in the additional etching time, the groove of the wanted depth is accurately formed on the silicon wafer 21 by real etching, without relying on preliminary data about an etching rate which is obtained by an experiment.
さらに、この追加エッチング時間でシリコンウェハ２１をエッチングすることで、実験によるエッチングレートに関する事前データに頼ることなく、リアルエッチングでシリコンウェハ２１に所望の深さの溝を正確に形成することができる。 - 特許庁 - To provide an etching acid waste liquid disposal system which can be made compact and prevent the enormous quantity of waste of etching acid, and to provide an etching acid waste liquid disposal method, and an etching acid waste liquid disposal apparatus applied thereto.
コンパクトに構成でき膨大なエッチング酸の浪費を防止することができるエッチング酸廃液処理システム及びエッチング酸廃液処理方法及びこれに適用するエッチング酸廃液処理装置を提供する。 - 特許庁 - METHOD AND SYSTEM FOR ETCHING PRINTED WIRING BOARD
プリント配線基板のエッチング方法及びエッチング装置 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR ETCHING, AND METHOD FOR FORMING ELEMENT
エッチング方法、エッチング装置および素子形成方法 - 特許庁 - WAFER CARRIER, AND WAFER ETCHING METHOD USING SAME
ウェーハキャリヤおよびそれを使用したウェーハエッチング方法 - 特許庁 - METHOD FOR DRY-ETCHING LOW DIELECTRIC CONSTANT INTERLAYER INSULATING FILM
低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法 - 特許庁 - ADDITIVE FOR SUPPRESSING SIDE ETCHING OF COPPER PRINTED CIRCUIT BOARD
銅プリント配線板のサイドエッチング抑制用添加剤 - 特許庁 - ETCHING SYSTEM AND PRODUCTION OF PATTERN FORMING SUBSTRATE
エッチング装置及びパタ—ン形成基板の製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR DETECTING ETCHING END POINT OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
半導体基板のエッチング終了点検出方法 - 特許庁 - A second barrier (126) is deposited after the sputter etching.
スパッタエッチングの後に、第２のバリア（126）が堆積されれる。 - 特許庁 - ETCHING PROCESSING METHOD OF REAR SURFACE OF SUBSTRATE AND, DEVICE THEREFOR
基板裏面のエッチング処理方法およびその装置 - 特許庁 - To produce a planar antenna without depending on the etching technology.
エッチング技術によらず平面アンテナを作成する。 - 特許庁 - A film for etching rate evaluation is formed on one main surface of a wafer, the film for etching grate evaluation is dry etched, the other main surface of the wafer is evaluated according to the etching rate of the etching rate evaluating film.
ウエーハの一方の主面にエッチングレート評価用膜を成膜し、該エッチングレート評価用膜をドライエッチングし、該エッチングレート評価用膜のエッチングレートにより該ウエーハの他方の主面の面状態を評価するようにした。 - 特許庁 - METHOD FOR ETCHING ORGANIC FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING ELEMENT
有機膜のエッチング方法及び素子の製造方法 - 特許庁
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