「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 33 34 35 36 37 38 39 40 41 .... 399 400 次へ＞- To provide a silicon electrode board coated with an etching resistance film used for a plasma etching device that can keep an etching rate for a long period of time and has a long service life.
エッチングレートが長時間変化することのない使用寿命の長いプラズマエッチング装置に使用する耐エッチング膜被覆シリコン電極板を提供する。 - 特許庁 - An etching device 3 is used in a manufacturing process of a circuit board, and an etching liquid is jetted to a plated substrate material A which is transported horizontally for etching.
このエッチング装置３は、回路基板の製造工程で使用され、水平搬送されるメッキされた基板材Ａに対し、エッチング液を噴射してエッチングする。 - 特許庁 - To provide an etching method which performs the etching treatment in a short time, and can manufacture products produced with the etching technology in a short time.
エッチング処理を短時間で行い、エッチング技術を利用して製造される製品を短時間で製造可能な可能なエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an etching apparatus and an etching control device to improve the production efficiency by achieving the uniform etching on a work.
被加工物に対して均一なエッチングが行えるようにすることで、生産効率を向上できるエッチング装置およびエッチング制御装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a technology which inhibits damage to an object to be wet-etched due to an etching liquid in wet-etching and can obtain a fine etching figure.
ウエットエッチングにおいてエッチング液によるウエットエッチングの対象物の損傷を抑制し、きれいなエッチング形状を得ることのできる技術を提供する。 - 特許庁 - PLASMA ETCHING TREATMENT THAT USES POLYMER ETCHING GASES OF DIFFERENT ETCHING AND POLYMERIZATION DEPOSITION RATES IN DIFFERENT RADIAL GAS INJECTION ZONES BY APPLYING TIME MODULATION
異なるエッチング及び重合体堆積速度の重合エッチングガスを異なる半径方向ガス噴射区域において時間変調で用いるプラズマエッチング処理 - 特許庁 - To provide an etching method which is excellent in controllability and reproducibility of etching when etching the material containing silicon, using the gas containing halogen elements other than fluorine.
弗素以外のハロゲン元素を含むガスを用いてシリコンを含む材料をエッチングする際、エッチングの制御性、再現性に優れたエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an etching method and an etching device, wherein a glass substrate or the like can be subjected to etching with high precision, and the necessity of maintenance can be reduced.
ガラス基板等を高精度でエッチングでき、メンテナンスの必要性を低減できるエッチング方法およびエッチング装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a wet etching device and a wet etching method of a simple configuration, which has a sealing property and reduces a variation in etching amount in the substrate plane.
簡易な構成により、密閉性を有し、かつ、基板面内のエッチング量のばらつきを低減させるウェットエッチング装置およびウェットエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a dry etching device capable of preventing and suppressing the etching of the edge and the rear surface of a wafer and securing the improvement of uniformity of an etching rate in a surface.
ウエハの端部及び裏面のエッチングを防止抑制し、エッチングレートの面内均一性の向上を確保しうるドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an etching agent that can prevent the generation of etching residues completely, and at the same time carry out etching under mild conditions when a transparent conductive film is to be etched.
透明導電膜をエッチングする際に、エッチング残渣を全く発生せず、且つ、穏和な条件下で、エッチングが行えるエッチング剤を提供することにある。 - 特許庁 - The separated water is used as water for controlling the concentration of the regenerated etching solution, and the etching solution freed of the metal to be etched is recycled to an etching process.
分離した水は再生されたエッチング液の濃度調整用水として用いられ、被エッチング金属を取り除かれたエッチング液はエッチングプロセスにリサイクルされる。 - 特許庁 - To provide an etching apparatus which can accurately etch a magnetic material, and an etching method by which the end point of etching of the magnetic material can be surely detected.
磁性体材料を精度よくエッチングするエッチング装置と、磁性体材料のエッチングの終点を確実に検出するエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - In performing the wet etching, this relaxes a difference in the etching rate between a corner 5a of the ridge section 5 and the rest of the parts, thereby allowing the side etching to be restrained.
そのため、ウェットエッチングの際、リッジ部５の角部５ａと他の部分との間のエッチングレートの差が緩和され、サイドエッチングを抑制することが可能となる。 - 特許庁 - Holes 108 are formed by etching the capping layer and the insulating layer on the element isolation structure using the hard mask as an etching mask in a first etching step.
そのハードマスク層をエッチングマスクとした第１エッチング工程で素子分離構造上のキャッピング層と誘電体層をエッチングしてホール１０８を形成する。 - 特許庁 - To improve the etching uniformity of a silicon film by surely removing remaining objects after etching a metal film, and to prevent the generation of the etching residue.
金属膜をエッチングした後の残存物を確実に除去して、シリコン膜のエッチング均一性を向上させ、かつ、エッチング残さの生成を防止する。 - 特許庁 - The trench etching is performed by using a fluorine producing gas which is not coupled with carbon as an etching gas and introducing the etching gas under a working pressure of ≤1.7 Pa.
エッチングガスとして、炭素結合のないフッ素生成ガスを用い、このエッチングガスを１．７Ｐａ以下の作動圧力下で導入してエッチングを行う。 - 特許庁 - Etching processing is performed inside the opening 61a under an etching condition that an etching rate of the first insulating film becomes higher than those of the second insulating film and the silicon nitride film.
第１の絶縁膜のエッチングレートが第２の絶縁膜及びシリコン窒化膜より高くなるエッチング条件で開口部６１ａ内にエッチング処理を施す。 - 特許庁 - To obtain a resist resin composition for glass etching capable of forming a resist film for glass etching excellent in hydrofluoric acid resistance and excellent also in resolution of etching.
フッ酸耐性に優れ、かつエッチングの解像度に優れたガラスエッチング用レジスト膜を形成することができるガラスエッチング用レジスト樹脂組成物を得る。 - 特許庁 - ETCHING COMPOSITION HAVING HIGH ETCHING RATIO, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, METHOD FOR ETCHING OXIDIZED FILM BY USING THE SAME, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
高いエッチング選択比を有するエッチング組成物、その製造方法、これを用いた酸化膜の選択的エッチング方法、及び半導体装置の製造方法 - 特許庁 - The method for forming the trench includes at least three etching steps utilizing at least one of two kinds of etching gases each comprising different compounds as an etching agent.
互いに異なる成分からなる少なくとも２種類のエッチングガスの１をエッチングガスとする少なくとも３つのエッチングステップを含むトレンチ形成方法。 - 特許庁 - To provide an etching method by which the etching rate can be improved at making of a hole, having a relatively high aspect ratio through a silicon oxide film by etching.
シリコン酸化膜に比較的アスペクト比の高いホールをエッチングにより形成する際のエッチングレートを向上させることができるエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma etching method which can further improve both an etching rate and a resist selection ratio compared with a conventional method in executing aspect ratio etching.
アスペクト比エッチングを行う際に，エッチングレートとレジスト選択比の両方を従来以上に向上させることができるプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - Next, an etching nozzle 17 is allocated to one surface side of the base film and the first conductor layer as the mask can be removed by spraying the etching solution 18 from the etching nozzle.
次に、ベースフィルムの一面側にエッチングノズル１７を配置し、そのエッチングノズルからエッチング液１８をスプレーして、マスクとした第１の導体層を除去する。 - 特許庁 - To provide an etching method capable of etching with good controllability without lengthening a process time, and to provide an etching device for performing the method.
プロセス時間を長くすることなく、制御性良好にエッチングを行うことが可能なエッチング方法およびこの方法を行うためのエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - That is, when etching is started for a crystal substrate 1 of the metal mask groove M1, the etching depth of the metal mask groove M2 reaches the etching depth F2.
即ち、メタルマスク溝部Ｍ１の水晶基板１がエッチングされ始めるときに、メタルマスク溝部Ｍ２のエッチング深さはエッチング深さＦ２まで達していることになる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device capable of evaluating differences between an etching rate of a dense pattern and etching rates of other parts in a dry etching.
ドライエッチングにおける、パターンが密な部分のエッチングレートとその他の部分のエッチングレートとの差を評価することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma etching method by which an entirely uniform surface etching can be performed even on a large-size substrate, and no deterioration is caused in etching form.
大型の基板であっても、その表面全体を均一にエッチングすることができ、また、エッチング形状の悪化が生じないプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a dry etching apparatus capable of readily performing etching, whose sectional form is vertical and whose in-plane uniformity is superior, even under various etching conditions.
多種のエッチング条件下においても、断面形状が垂直で面内均一性の良いエッチングを容易に行なうことができる、ドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - To form groove structure consisting of <111> planes for which the amount of etching is controlled by utilizing the anisotropic etching of Si, only by performing anisotropic etching once.
Ｓｉの異方性エッチングを利用してエッチング量の制御された＜１１１＞面からなる溝構造を、一回（一度）の異方性エッチングだけで作製する。 - 特許庁 - In the correlation relation acquiring process, there are performed in order a step of acquiring etching apparatus log in the etching process for each semiconductor wafer and measurement of the etching size.
相関関係取得工程は、各半導体ウェハに対するエッチング処理におけるエッチング装置ログの取得、及び、エッチング寸法の測長を順に行う。 - 特許庁 - Moreover, wet etching is performed to a necessary minimum so as to strictly control the ridge width since side etching can be minimized by wet etching.
また、ウェットエッチングを必要最小限にとどめることにより、ウェットエッチングによりサイドエッチングを最小限にとどめてリッジ幅を厳密に制御することができる。 - 特許庁 - ETCHING GAS COMPOSITION FOR ETCHING SILICON OXIDE AND POLYSILICON SIMULTANEOUSLY, ETCHING METHOD BY USE THEREOF AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY THEREBY
シリコン酸化物とポリシリコンを同時にエッチングするためのエッチングガス組成物、これを利用したエッチング方法およびこれを利用した半導体メモリ装置の製造方法 - 特許庁 - Since channel length is determined by an etching apparatus, stable channel length can be obtained, by using the same device for trench etching and the etching of the gate electrode.
また、チャネル長はエッチング装置で決まるので、トレンチエッチング及びゲート電極のエッチングは同一の装置を使うことで、安定したチャネル長を得ることができる。 - 特許庁 - Then, an etching groove is formed by etching a region not covered by the protection layer of the epitaxial film, and the epitaxial film is separated by etching the exfoliation layer.
次に、エピタキシャルフィルムの保護層で覆われていない領域をエッチングしてエッチング溝を形成し、剥離層をエッチングして、エピタキシャルフィルムを分離する。 - 特許庁 - To provide an etching solution for etching copper on a wafer at a high etching rate while controlling the corrosion of other metals to an extremely low level.
ウエハ上の銅を、他の金属の腐食を極めて低く抑ながら高いエッチング速度でエッチングすることが可能な銅エッチング液を提供する。 - 特許庁 - The use of this type of etching gas allows good etching selectivity for a resist mask to be obtained while securing an etching rate of the electrode layer 4.
また、この種のエッチングガスを用いることで、電極層４のエッチングレートを確保しつつ、レジストマスクに対する良好なエッチング選択性を得ることができる。 - 特許庁 - To provide a substrate etching apparatus, capable of uniformly etching the entire surface of a substrate even when the substrate is large, and which is free from deterioration of etching shapes.
大型の基板であっても、その表面全体を均一にエッチングすることができ、また、エッチング形状の悪化が生じない基板エッチング装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma etching chamber of a plasma etching system used in an etching system for producing a photomask, and a method for producing a photomask using it.
フォトマスク製造のためのエッチング工程に使われるプラズマエッチング装置のプラズマエッチングチャンバと、これを利用したフォトマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To obtain an etching device employing an etching pot in which etching liquid is prevented from leaking to the non-processing surface side due to a defect or a crack at the thin part of an article being processed.
エッチングポットを用いるものにあって、被処理物の薄肉部分の欠陥や亀裂に起因してエッチング液が非処理面側に漏れることを防止する。 - 特許庁 - To improve the planar uniformity of etching when a treatment substrate is enlarged and a treated etching film is formed to a double layer in a dry etching technique.
ドライエッチング技術において、処理基板の大型化や被処理エッチング膜の複層化を行う場合のエッチングの面内均一性を向上させる。 - 特許庁 - To provide an apparatus for coating an etching-resistant layer for manufacturing a quality-enhanced shadow mask by forming the etching-resistant layer while removing air bubbles from a coating solution for the etching- resistant layer.
耐エッチング層塗布液の気泡を除去して耐エッチング層を形成し品位を向上するシャドウマスク製造用耐エッチング層塗布装置を提供する。 - 特許庁 - To conduct etching of wafers into uniform sheet by sheet in succession without lowering the throughput, in a sheet type of drying etching device and a dry etching method.
枚葉式のドライエッチング装置およびドライエッチング方法において、スル−プットを落とさずにウェハのエッチングが一枚づつ連続して一様にできるようにする。 - 特許庁 - Further, the substrate has, on the above light shielding layer 12, a metal compound film as an antireflection layer 13 which can not be substantially etched by chlorine-based dry etching containing no oxygen (Cl-based dry etching) but can be etched by at least one of chlorine-based dry etching containing oxygen ((Cl+O)-based dry etching) and fluorine-based dry etching (F-based dry etching).
そしてこの遮光層１２の上に、酸素非含有塩素系ドライエッチング（Ｃｌ系）では実質的なエッチングがされず、かつ酸素含有塩素系ドライエッチング（（Ｃｌ＋Ｏ）系）あるいはフッ素系ドライエッチング（Ｆ系）の少なくとも一方のエッチングでエッチングが可能な金属化合物膜が反射防止層１３として備えられている。 - 特許庁 - A photomask substrate 11 has, on one principal face, a metal film as a light shielding layer 12 which can not be substantially etched by chlorine-based dry etching containing oxygen ((Cl+O)-based dry etching) but can be etched by chlorine-based dry etching containing no oxygen (Cl-based dry etching) and by fluorine-based dry etching (F-based dry etching).
フォトマスク基板１１の一方主面に、酸素含有の塩素系ドライエッチング（（Ｃｌ＋Ｏ）系ドライエッチング）では実質的なエッチングがされず、かつ酸素非含有の塩素系ドライエッチング（Ｃｌ系ドライエッチング）およびフッ素系ドライエッチング（Ｆ系ドライエッチング）でエッチングが可能な金属膜が遮光層１２として備えられている。 - 特許庁 - To provide a plasma etching method in which process control is facilitated and etching rate is highly uniform over the surface to be etched.
プロセス制御が容易で、エッチングレートの面内均一性の優れたプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - Namely, etching is not applied on the oxide film 122.
すなわち、酸化膜１２２のエッチングは行われない。 - 特許庁 - METHOD AND SYSTEM FOR TUNGSTEN PLASMA ETCHING
タングステンプラズマエッチング方法とタングステンプラズマエッチング装置 - 特許庁 - To inhibit deposition of a reaction product that is generated in dry etching, and to carry out etching with high machining accuracy.
ドライエッチング時に生じる反応生成物の付着を抑制して、高い加工精度でエッチングを行う。 - 特許庁 - The wet etching or dry etching of the resultant structure makes the surface of the low-melting-point glass 13 porous.
ウェットエッチング処理又はドライエッチング処理により低融点ガラス１３の表面をポーラス状にする。 - 特許庁
- 特許庁
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