「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 32 33 34 35 36 37 38 39 40 .... 399 400 次へ＞- POLISHING COMPOSITION INCLUDING INHIBITOR OF TUNGSTEN ETCHING
タングステンの蝕刻抑制剤を含むポリシング組成物 - 特許庁 - PLASMA ETCHING SILICON ELECTRODE PLATE WHICH IS CAPABLE OF HEAT INSULATION
保温可能なプラズマエッチング用シリコン電極板 - 特許庁 - MEASURING METHOD AND MEASURING APPARATUS OF AMOUNT OF ETCHING
エッチング量の測定方法および測定装置 - 特許庁 - To stationarily control the concn. of an etching soln. in real time, to improve the stability of the formation of an etching pattern and the forming dimensional precision and to suppress the generation of the defect in etching caused by the fluctuation of the compsn. of the etching soln.
エッチング液の濃度をリアルタイムで定常的に管理し、エッチングパターン形成の安定性、形成寸法精度の向上を図り、エッチング液組成変動によるエッチング不良の発生を抑制する。 - 特許庁 - The former etching is switched to the latter etching at a timing when the etching in the highest etching rate pattern (the largest size pattern) proceeds to an interface with a lower insulation film.
この前者のエッチングから後者のエッチングへの切換えを、最もエッチング速度が速いパターン（最もサイズが大きいパターン）におけるエッチングが下地の絶縁膜との界面にまで進行したタイミングで行う。 - 特許庁 - ETCHING METHOD OF OXIDE AND/OR INSULATOR
酸化物および／または絶縁物のエッチング方法 - 特許庁 - METHOD FOR ETCHING SELECTED FILM OF MULTILAYER FILM STRUCTURE
多層膜構造体の選定膜のエッチング方法 - 特許庁 - APPARATUS AND METHOD FOR ETCHING SEMICONDUCTOR WAFER
半導体ウェーハのエッチング装置及びエッチング方法 - 特許庁 - ETCHING METHOD AND APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR WAFER
半導体ウエハのエッチング方法及びエッチング装置 - 特許庁 - Plasma is generated in the etching area to convert the process gas into an etchant gas to realize the anisotropic etching process where etching rate is high, etching selection ratio of substrate vs. resist is high and micro-filling property is reduced.
プラズマをエッチング領域に発生してプロセスガスをエッチングガスに変え、エッチング速度が高く、基板対レジストのエッチング選択率が高く、微小充填性を低減した異方性エッチング処理を実現した。 - 特許庁 - METHOD FOR RECOVERING ACID FROM AQUEOUS ETCHING MIXTURE
水性エッチング混合物からの酸回収方法 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device by the use of an etching technique capable of ensuring a sufficient etching selection ratio between an etched layer and an etching stop film in a dry etching process.
ドライエッチング工程において、エッチングすべき層と、その下のエッチングストッパ膜との十分な選択比を確保することが可能なエッチング技術を用いて半導体装置を製造する方法を提供する。 - 特許庁 - (METH)ACRYLAMIDE PHOSPHATE-BASED SELF-ETCHING DENTAL MATERIAL
（メタ）アクリルアミドホスフェートベースの自己エッチング歯科材料 - 特許庁 - INFRARED LIGHT SENSITIVE ETCHING OR PLATING RESIST
赤外光感受性エッチングまたは鍍金用レジスト - 特許庁 - APPARATUS AND METHOD FOR ETCHING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
半導体基板のエッチング装置及びエッチング方法 - 特許庁 - Reaction gas 37 produced by performing etching in the etching chamber 24 is discharged after etching while introducing etching gas 34 under such a state as not generating plasma.
エッチング室２４でエッチング処理を行ったことにより発生する反応ガス３７を、エッチング処理後に、プラズマを発生させない状態でエッチングガス３４を導入しながら反応ガス３７を排気する。 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR MAULTILAYER FILM
化合物半導体多層膜のドライエッチング方法 - 特許庁 - METHOD FOR PLASMA ETCHING AND METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOMASK
プラズマエッチング方法及びフォトマスクの製造方法 - 特許庁 - PLASMA CLEANING METHOD FOR MICROWAVE PLASMA ETCHING APPARATUS
マイクロ波プラズマエッチング装置のプラズマクリーニング方法 - 特許庁 - ETCHING METHOD FOR SEMICONDUCTOR WAFER AND ITS DEVICE
半導体ウェーハのエッチング方法およびその装置 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD OF III-FAMILY NITRIDE SEMICONDUCTOR
ＩＩＩ族窒化物半導体のドライエッチング方法 - 特許庁 - MIRROR FINISH ETCHING LIQUID FOR COPPER AND COPPER ALLOY
銅及び銅合金の鏡面仕上げエッチング液 - 特許庁 - TRENCH ETCHING METHOD OF SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
炭化珪素半導体基板のトレンチエッチング方法 - 特許庁 - METHOD OF CLEANING METALLIC SURFACE AFTER POLYIMIDE ETCHING
ポリイミドエッチング後の金属表面清浄化方法 - 特許庁 - POWDER ETCHING METHOD AND PHOTORESIST USING THEREFOR
パウダーエッチング方法及びそれに使用するフォトレジスト - 特許庁 - SELECTIVE ETCHING METHOD AND SILICON SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
選択エッチング方法及びシリコン単結晶基板 - 特許庁 - ETCHING PROCESSING METHOD OF PIEZOELECTRIC WAFER, AND PIEZOELECTRIC DEVICE
圧電ウエハのエッチング加工方法および圧電デバイス - 特許庁 - To reduce the time for etching treatment and the time, starting from the end of etching to the start of cleaning, to make the occurrence of etching irregularity during the time less likely to occur, and to reduce the installation space for an etching apparatus.
エッチング処理の時間およびエッチング終了から洗浄開始までの時間を短縮することにより、その間においてエッチングむらが生じにくいようにし、また設置面積を小さくする。 - 特許庁 - DRY ETCHING SYSTEM HAVING FUNCTION OF INTERMEDIATE LENGTH MEASUREMENT
中間測長機能を備えたドライエッチングシステム - 特許庁 - To provide an etching apparatus which can make small a difference between an etching removal amount at a central part of an object to be processed and an etching removal amount of an outer periphery thereof.
被処理物の中心部のエッチング除去量と外周部のエッチング除去量との差を小さくすることができるエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an etching method which can reduce deposition of particles on a liquid crystal display panel, in an etching apparatus to be used in a step of manufacturing the panel, and the etching apparatus.
液晶表示パネルの製造工程で使用されるエッチング装置において、パーティクル付着を低減させるエッチング方法及びエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an etching device easy in process control and controllable under a fixed condition about etching performance with a small amount of a chemical, and an etching solution management method.
プロセス管理が容易で、少量の薬液でエッチング性能を一定条件下に制御可能なエッチング装置及びエッチング液管理方法を提供する。 - 特許庁 - The unevenness of an aperture dimensionality by etching is suppressed by preventing the etching rate from becoming quick as the etching step progresses, and a process efficiency is improved.
エッチング工程が進むにつれてエッチングレートが速くなるのを防ぐことで、エッチングによる開口寸法のバラつきを抑えて、加工精度を向上させる。 - 特許庁 - The etching rate of alkali etching is slower than that of acid etching, the reaction of the wafer to an elution is comparatively gentle and the quantity of bubbles which are generated in the solution is inhibited.
アルカリエッチングは酸エッチングよりエッチング速度が遅く、かつ比較的ウェーハ溶失の反応がゆるやかで、発生する気泡の量が抑制される。 - 特許庁 - To control etching amount at a channel part by measuring the film thickness of a source electrode from an etching-resistant reference surface, which is not etched at the etching of the channel part.
チャネル部のエッチング時にエッチングされない耐エッチング性基準面からソース電極の膜厚を測定して、チャネル部のエッチング量を管理可能する。 - 特許庁 - To provide an etching depth distribution measuring device capable of measuring etching depth distribution in a substrate surface by a nondestructive method, and to provide an etching depth distribution measuring method.
基板表面のエッチング深さの分布を非破壊で測定することができるエッチング深さ分布測定装置およびエッチング分布測定方法を提供する。 - 特許庁 - The imprint mold has an etching rate gradient film where an etching rate shows gradient distribution, and a rough pattern provided on the etching rate gradient film.
本発明のインプリントモールドは、エッチングレートが傾斜分布を示すエッチングレート傾斜膜と、該エッチングレート傾斜膜に凹凸パターンを設けることを特徴とする。 - 特許庁 - After removal of the resist 8, the anti-reflective film 6, second etching stopper film 4 and first etching stopper film 2, which are exposed by the entire-surface etching, are removed.
レジスト８を除去し、全面エッチングにより露出している無機反射防止膜６、第２エッチングストッパ膜４、第１エッチングストッパ膜２を除去する。 - 特許庁 - To provide an etching method for performing stable etching treatment, a method for manufacturing a microstructure, and an etching apparatus.
本発明は、安定したエッチング処理を行うことができるエッチング処理方法、微細構造体の製造方法、およびエッチング処理装置を提供する。 - 特許庁 - With the resist mask 12 as the etching mask, anisotropic etching is carried out by using the resist mask 12 as an etching mask to form cavity parts, of which the wall surfaces are vertical in the silicon substrate 10 as shown by Fig (d).
レジストマスク１２をエッチングマスクとして、異方性エッチングを行い、シリコン基板１０に壁面が垂直な窪み部を形成する（ｄ）。 - 特許庁 - Instead of the wet etching, dry etching with a gas which has a higher etching rate to the adhesives than to the resin mold material can be carried out.
ウェットエッチングの代わりに、接着剤に対するエッチング率が樹脂型材料に対するエッチング率より大きいガスによるドライエッチングとすることもできる。 - 特許庁 - To provide an etching apparatus for diamond, enabling a high selection ratio of a diamond substrate with respect to a mask, a high etching speed, and a flat etching surface.
マスクに対するダイヤモンド基材の選択比が高く、エッチング速度が速く、且つエッチング面が平坦になるダイヤモンドのエッチング装置を提供すること。 - 特許庁 - A controller 190 detects the etching amount on the basis of the mass difference of the LCD substrate before and after etching, and decides whether etching should be performed again or not.
コントローラ１９０は、エッチング前後のＬＣＤ基板３０の質量差に基づいてエッチング量を検出し、再度エッチングを行なうか否かを判断する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a metal etching product, and the metal etching product having high aspect ratio in the opening hole parts and high precise etching cross sectional shape.
開孔部が高アスペクト比、且つ高精細なエッチング断面形状を有する金属エッチング部品の製造方法及び金属エッチング部品を提供する。 - 特許庁 - To provide a bevel etching apparatus which is relatively simple in structure and can perform bevel etching without deforming a substrate, and to provide a bevel etching method.
比較的簡単な構成で、基板を変形させることなくベベルエッチングを行うことができるベベルエッチング装置およびベベルエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a thin-film transistor capable of performing desired etching without dependence of the film thickness of an ohmic contact layer or an etching rate during dry etching.
オーミックコンタクト層の膜厚やドライエッチング時のエッチングレートに依存せず所望のエッチングが可能となる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide: a plasma etching method to perform an etching such that even a deep hole is in an excellent shape; a plasma etching apparatus; and a computer-readable storage medium.
深さが深いホールであっても、良好な形状にエッチングすることのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体を提供する。 - 特許庁 - In an initial stage of etching, the first etching step in which a relatively high etching pressure is set is conducted to isotropically etch an opening region of a mask pattern.
エッチング開始当初はエッチング圧力を比較的高めに設定した第１のエッチング工程を実施し、マスクパターンの開口領域を等方エッチングする。 - 特許庁 - Even if etching liquid is supplied onto the edge the wafer, no etching liquid enters the inside of the back surface of the wafer, thus etching merely the edge reliably.
ウエ−ハの端面にエッチング液を供給しても、エッチング液がウエ−ハの裏面内方に入り込むことはなく、端面だけを確実にエッチングすることができる。 - 特許庁 - To provide a method and apparatus for detecting the end point of etching by which the end point of etching can be detected with high precision and to provide a dry etching system provided with the same apparatus.
エッチング終点を精度よく検出できるエッチング終点検出方法及び装置並びに同装置を備えたドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁
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