「etching」を含む例文一覧(19972)

＜前へ 1 2 .... 36 37 38 39 40 41 42 43 44 .... 399 400 次へ＞
  • RESIN ETCHING LIQUID, METHOD FOR ETCHING RESIN, METHOD FOR RELEASING RESIN AND METHOD FOR PRODUCING FLEXIBLE PRINTED WIRING BOARD
    樹脂エッチング液、樹脂エッチング方法、樹脂剥離方法、およびフレキシブルプリント配線板の製造方法 - 特許庁
  • A mask opening 4a with a tilt is formed by applying wet etching to the etching openings.
    このエッチング開口部を湿式エッチングすることにより、傾斜を有するマスク開口部４ａが形成される。 - 特許庁
  • A hole of inversely tapered profile is formed by boring an etching guide hole and performing crystal anisotropic etching.
    エッチング誘導孔を形成し結晶異方性エッチングを実施して、逆テーパー形状の孔を形成する。 - 特許庁
  • ETCHING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR ELEMENT
    エッチング方法及び半導体素子の製造方法 - 特許庁
  • MANUFACTURING METHOD OF ETCHING LIQUID AND FLEXIBLE WIRING BOARD
    エッチング液及びフレキシブル配線板の製造方法 - 特許庁
  • BARC ETCHING CONTAINING SELECTIVE ETCHING CHEMICALS AND HIGH POLYMERIC GAS FOR CONTROL OF CD
    選択性エッチング化学薬品及びＣＤ制御のための高重合性ガスを含むＢＡＲＣエッチング - 特許庁
  • METHOD OF ETCHING ANODE FOIL OF ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITOR
    アルミニウム電解コンデンサ陽極箔のエッチング方法 - 特許庁
  • To provide an etching method for realizing a semiconductor substrate with good verticality and flatness on the etching face.
    エッチング面における垂直性や平滑性の良好な半導体基板のエッチング方法を提供する。 - 特許庁
  • By executing etching in this state, the wall surface of the multilayer insulating layer 2 is protected from an etching solution.
    その状態でウェットエッチングを行うことにより，多重絶縁層２の壁面をエッチング液から保護する。 - 特許庁
  • ELECTROSTATIC CHUCK AND DRY ETCHING DEVICE WITH THE SAME
    静電チャックおよびこれを備えるドライエッチング装置 - 特許庁
  • With the pattern as a mask, reactive ion etching is conducted with a mixed gas of CF4/O2 for etching the SiO2.
    このパターンをマスクにＣＦ_4／Ｏ_2の混合ガスで反応性イオンエッチングを行いＳｉＯ_2をエッチングする。 - 特許庁
  • To provide an etching apparatus for more reliably preventing the etching of the sidewalls of a groove.
    溝の側壁がエッチングされるのをより確実に防止することができるエッチング装置などを提供する。 - 特許庁
  • ETCHING SOLUTION AND ARRAY SUBSTRATE FOR ELECTRONIC APPARATUS HAVING COPPER WIRING PATTERNED AND FORMED BY ETCHING SOLUTION
    エッチング溶液及びエッチング溶液でパターン形成された銅配線を有する電子機器用アレー基板 - 特許庁
  • Secondarily, etching is stopped in the middle of a first insulating layer 2 in the case of dry etching of the antireflection film 7.
    第２に反射防止膜７のドライエッチングの際に第１の絶縁膜２の途中でエッチングを止める。 - 特許庁
  • ETCHING LIQUID OF COMPOUND SEMICONDUCTOR FILM, MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND ETCHING METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR FILM
    化合物半導体膜のエッチング液およびその製造方法ならびに化合物半導体膜のエッチング方法 - 特許庁
  • The etching liquid for etching a transparent conductive film contains halogen acid and a metal halide, and the liquid further contains an oxidizer.
    ハロゲン酸およびハロゲン金属塩、さらには酸化剤を含有する透明導電膜のエッチング液。 - 特許庁
  • To make etching treatment where semiconductor such as silicon is dipped in etching liquid a process superior in controllability.
    シリコンなどの半導体をエッチング液に浸漬して行なうエッチング処理を制御性の良いプロセスとする。 - 特許庁
  • ETCHING METHOD, CONTROL PROGRAM FOR EXECUTING ETCHING METHOD, CONTROL PROGRAM STORAGE MEDIUM, AND PROCESSING APPARATUS
    エッチング方法、エッチング方法を実行するための制御プログラム、制御プログラム記憶媒体及び処理装置 - 特許庁
  • WET ETCHING DEVICE FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT AND WET ETCHING METHOD FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME
    半導体素子製造用湿式エッチング装置及びこれを用いた半導体素子の湿式エッチング方法 - 特許庁
  • To provide a method which continuously performs acid etching at a high etching rate without exchanging a treatment liquid.
    処理液を交換することなく、高いエッチング速度で酸エッチングを継続して行う方法を提供する。 - 特許庁
  • This shutter closes during an etching so that etching gas or plasma may not be in contact with the camera.
    エッチング中はこのシャッターが閉じていて、エッチングガスやプラズマがカメラに接触しないようになっている。 - 特許庁
  • METHOD FOR ETCHING III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR
    ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体のエッチング方法 - 特許庁
  • To prevent corrosion caused by a residual etching material after etching a metal film used in a semiconductor device.
    半導体装置で使用される金属膜のエッチング後の残留エッチング材による腐食を防止する。 - 特許庁
  • NANOMASK ETCHING BY NEUTRAL CHLORINE ATOM PARALLEL BEAM
    中性塩素原子平行ビームによるナノマスクエッチング - 特許庁
  • PIEZOELECTRIC VIBRATOR, FILM THICKNESS SENSOR, ETCHING AMOUNT SENSOR AND FILM THICKNESS DETECTION METHOD AND ETCHING AMOUNT DETECTION METHOD
    圧電振動子、膜厚センサ、エッチング量センサ及び膜厚検出方法並びにエッチング量検出方法 - 特許庁
  • Additionally, etching gas containing C_4F_6 and that without containing C_4F_6 are used for successive etching.
    また、Ｃ_４Ｆ_６を含むエッチングガスと、Ｃ_４Ｆ_６を含まないエッチングガスとを用いて順次エッチングを行う。 - 特許庁
  • SELECTING ETCHANT AND ETCHING METHOD OF SiN FILM
    ＳｉＮ膜の選択エッチング液及びエッチング方法 - 特許庁
  • DRY ETCHING METHOD OF Yb DOPED POLYSILICON GATE
    ＹＢがドープされたポリシリコンゲートのドライエッチング方法 - 特許庁
  • Then, the remaining deposits DP2 on the first etching stopper electrode 20P are removed by wet etching.
    その後、第１のエッチングストッパー電極２０Ｐ上の残留堆積物ＤＰ２をウェットエッチングにより除去する。 - 特許庁
  • The layer has a higher etching selectivity to the InP clad layer, so that it remains on the BJ connection after mesa etching.
    本層は、InPクラッド層に対してエッチング選択性が高いので、メサエッチング後もBJ接続上に残存する。 - 特許庁
  • Anisotropic etching (second process) having etching selectivity in a thickness direction is performed and a hole is prepared (c).
    厚さ方向にエッチング選択性を有する異方性エッチング（第２工程）を行って、穴を作成する（ｃ）。 - 特許庁
  • PLASMA ETCHING METHOD, PLASMA ETCHING APPARATUS, COMPUTER STORAGE MEDIUM, AND STORAGE MEDIUM WITH TREATMENT RECIPE STORED THEREON
    プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、コンピュータ記憶媒体及び処理レシピが記憶された記憶媒体 - 特許庁
  • PLASMA ETCHING ELECTRODE PLATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
    プラズマエッチング用電極板およびその製造方法 - 特許庁
  • A second mask pattern (15) is left by etching the second mask film using the resist pattern as an etching mask.
    レジストパターンをエッチングマスクとして、第２のマスク膜をエッチングすることにより、第２のマスクパターン(15)を残す。 - 特許庁
  • WAFER WET PROCESSING METHOD AND WAFER ETCHING APPARATUS
    ウェハのウェット処理方法及びウェハのエッチング装置 - 特許庁
  • SELECTIVE ISOTROPIC ETCHING PROCESS FOR TITANIUM-BASED MATERIAL
    チタンベース材料の選択的等方性エッチングプロセス - 特許庁
  • METHOD OF FORMING RECESS ON SILICON SUBSTRATE BY ANISOTROPIC ETCHING AND METHOD OF USING PLASMA ETCHING SYSTEM
    シリコン基板に凹部を異方性エッチングにより形成する方法およびプラズマエッチングシステムの使用方法 - 特許庁
  • WAFER ETCHING APPARATUS AND WAFER WET PROCESSING METHOD
    ウェハのエッチング装置、及びウェハのウェット処理方法 - 特許庁
  • To obtain an etching method for excellently forming etching pits on aluminum foil even through a non-electrolytic process.
    アルミニウム箔に無電解によってもエッチングピットを良好に形成することができるエッチング方法を得る。 - 特許庁
  • A silicon wafer W before etching is pulled out of the cassette 12 on loader side and is carried to an etching stage S.
    ローダ側カセット１２からエッチング前のシリコンウェーハＷが抜き取られ、エッチングステージＳに移送される。 - 特許庁
  • The silicon substrate 250 is thereafter removed by wet etching with the silicon oxidized layer 225 as an etching stopper.
    その後、シリコン酸化層２２５をエッチングストッパーとして、ウエットエッチングによりシリコン基板２５０を除去する。 - 特許庁
  • The portable etching chamber facilitate a process for etching the MEMS substrate held therein.
    可搬式エッチングチャンバは、その中に収容されたＭＥＭＳ基板をエッチングするための工程を容易にする。 - 特許庁
  • The thickness of the etching stop layer 15 in the infrared layer is different from that of the etching stop layer 15 in the red laser.
    赤外レーザのエッチングストップ層１５の厚さと赤色レーザのエッチングストップ層１５の厚さとは異なる。 - 特許庁
  • PLANARIZATION TREATMENT METHOD AND WET ETCHING CONTROL APPARATUS
    平坦化処理方法及びウェットエッチング制御装置 - 特許庁
  • Nothing rivals his racehorse etching.
    競走馬を描いたエッチングで彼に並ぶものはいない。 - Tatoeba例文
  • To provide an etching method which can enhance the selectivity ratio and improvement of etching form.
    選択比の向上，及びエッチング形状の改善を図ることの可能なエッチング方法を提供する。 - 特許庁
  • In this case, etching time is adjusted in such a way that the thickness of each of the glass substrates 1, 21 is reduced by 75 μm via etching.
    その際、エッチング時間を、ガラス基板１、２１の厚みを７５μmエッチングする様に調整する。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method of color filter which permits the removal of resist as a pattern mask for etching concurrently with dry etching of a colored layer.
    着色層のドライエッチング処理と共にエッチング用パターンマスクをなすレジストの除去を可能とする。 - 特許庁
  • In etching of the via-hole, a ratio of O_2/CO of about 7/90 is found to be preferable for excellent etching.
    ビアホールをエッチングするとき、約７：９０のＯ_２：ＣＯ比が優れたエッチングを得るために観測された。 - 特許庁
  • To exhaust gas in a dry etching system efficiently.
    ドライエッチング装置などの排気を効率よく行う。 - 特許庁
＜前へ 1 2 .... 36 37 38 39 40 41 42 43 44 .... 399 400 次へ＞

例文データの著作権について