「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 34 35 36 37 38 39 40 41 42 .... 399 400 次へ＞- ETCHING METHOD AND THIN FILM TRANSISTOR MANUFACTURING METHOD
エッチング方法及び薄膜トランジスタの作製方法 - 特許庁 - To provide an atmospheric pressure plasma etching system by which the time and labor for the acquisition of data on etching conditions can be reduced.
常圧プラズマエッチング装置において、エッチング条件のデータ採取の時間と労力を削減する。 - 特許庁 - ETCHING PROCESS AND MANUFACTURING PROCESS OF MICROSTRUCTURE
エッチング方法及び微細構造体の製造方法 - 特許庁 - If (flow of N2/flow of CF4) is less than 1, it will cause etching stop, and deep etching will be unable.
（Ｎ_２の流量／ＣＦ_４の流量）が１未満であると，エッチングストップを起こし，深くエッチングできない。 - 特許庁 - To provide a method for a plasma etching in the oblique direction at a large etching angle extensively over a large area.
大面積に亘って大きなエッチング角で斜方向プラズマエッチングを行う方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a high speed etching method of Si realizing a higher etching rate as compared with the prior art.
従来よりも高いエッチングレートを実現することができるＳｉ高速エッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - ETCHING LIQUID FOR CONTROLLING SURFACE PROFILE OF SILICON WAFER, AND PROCESS FOR PRODUCING SILICON WAFER USING THAT ETCHING LIQUID
シリコンウェーハ表面形状制御用エッチング液及び該エッチング液を用いたシリコンウェーハの製造方法 - 特許庁 - Subsequently, the substrate P is immersed in the etching solution E, and a wet etching treatment is applied to the substrate P.
続いて、基板Ｐ等をエッチング溶液Ｅに浸し、基板Ｐ等に対してウェットエッチング処理を施す。 - 特許庁 - A molded layer is formed on the etching finish layer.
エッチング終了層上にモールド層を形成する。 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR DISCRIMINATING ETCHING END POINT AND METHOD OF ETCHING INSULATING FILM
エッチング終点判定方法及びエッチング終点判定装置及びそれを用いた絶縁膜のエッチング方法 - 特許庁 - DRY-ETCHING METHOD, DRY-ETCHING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE
ドライエッチング方法、ドライエッチング装置、半導体発光素子の製造方法及び表示装置の製造方法 - 特許庁 - To suppress etching liquid odor and to reduce the influence of light on the etching behavior in the process.
エッチング液の臭気を低減し、かつエッチングの際のエッチング挙動に対する光の影響を低減する。 - 特許庁 - The vicinity of a part for forming the ink ejection opening surface (etching areas 32-34) is then removed by dry etching.
次に、インク吐出口面が形成される近傍（エッチングエリア３２〜３４）を、ドライエッチングにより除去する。 - 特許庁 - METHOD OF SELECTIVE ETCHING USING ETCH STOP LAYER
エッチング停止層（ｅｔｃｈｓｔｏｐｌａｙｅｒ）を使用する選択的エッチング法 - 特許庁 - ROTATING ETCHING APPARATUS HAVING THICKNESS MEASURING SYSTEM
厚さ測定システムが具備された回転エッチング装置 - 特許庁 - SELECTIVE ETCHING METHOD AND DEVICE FOR SILICON SUBSTANCE
シリコン系物質の選択エッチング方法および装置 - 特許庁 - PLASMA ETCHING DEVICE AND CLEANING METHOD THEREOF
プラズマエッチング装置、及び当該装置のクリーニング方法 - 特許庁 - METHOD FOR FORMING CONTACT HOLE AND PLASMA ETCHING METHOD
コンタクトホール形成方法およびプラズマエッチング方法 - 特許庁 - The remaining intermediate layer 6 is removed using a process of wet-etching to expose the etching-stop layer 5.
その後、残存している中間層６をウェットエッチングによって除去し、エッチング停止層５を露出させる。 - 特許庁 - HIGH TEMPERATURE ETCHING METHOD OF HIGH K MATERIAL GATE STRUCTURE
高ｋ材料ゲート構造の高温エッチング方法 - 特許庁 - Finally, the oxide film is removed from the etching stop face using a hydrofluoric acid based etching liquid, thus obtaining a diaphragm 21.
その後、フッ酸系エッチング液によってエッチングストップした面の酸化膜を除去し、振動板２１を得る。 - 特許庁 - To provide a plasma etching system which ensures high etching rate and high selectivity ratio, and to provide a pattern forming method.
高いエッチングレートと高い選択比が確保されるプラズマエッチング装置と、パターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To reduce the frequency of exchange of an etching liquid in a substrate treatment apparatus for applying etching treatment to a substrate.
基板にエッチング処理を施す基板処理装置においてエッチング液の交換頻度を低減する。 - 特許庁 - Since the circuit does not resonate at the time of etching treatment, surface uniformity of etching treatment is improved.
エッチング処理時に，前記回路が共振しないので，エッチング処理の面内均一性が向上する。 - 特許庁 - MECHANISM FOR HOLDING A CRYSTAL WAFER TO BE USED FOR WET ETCHING
ウェットエッチングに用いる水晶ウェハの保持機構 - 特許庁 - To confine a plasma in a way that deposits due to chamber wall etching or byproduct deposits due to chamber wall etching can be reduced.
チャンバ壁のエッチングや，チャンバ壁へのエッチング副産物の堆積を低減するようプラズマを閉じ込める。 - 特許庁 - To provide a new alkali etchant and an alkali etching method for alkali-etching a semiconductor wafer.
半導体ウェーハのアルカリエッチングのための新規なアルカリエッチング液およびアルカリエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - POLYIMIDE METAL LAMINATE EXCELLENT IN POLYIMIDE ETCHING PROPERTY
ポリイミドエッチング性に優れたポリイミド金属積層体 - 特許庁 - ETCHING METHOD OF GLASS PLATE SURFACE, ETCHING DEVICE OF GLASS PLATE, GLASS PLATE FOR FLAT PANEL DISPLAY AND FLAT PANEL DISPLAY
ガラス板表面のエッチング方法、ガラス板エッチング装置、フラットパネルディスプレイ用ガラス板及びフラットパネルディスプレイ - 特許庁 - MANUFACTURING AND ETCHING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
半導体装置の製造方法およびエッチング方法 - 特許庁 - MANUFACTURING FOR ETCHING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
エッチング装置および半導体装置の製造方法 - 特許庁 - The substrate can be conveyed to/from the etching station inside the portable type etching chamber.
基板は、可搬式エッチングチャンバの内部のエッチングステーションへ或いはエッチングステーションから搬送されることが出来る。 - 特許庁 - To measure under-etching in a semiconductor device.
半導体装置においてアンダーエッチングを測定する。 - 特許庁 - ETCHING DEVICE AND MANUFACTURE OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE
エッチング装置および半導体デバイスの製造方法 - 特許庁 - To provide a method and a device for etching silicon wafer which can reduce variation of etching depth.
エッチング取代のバラツキを低減させることができるシリコンウエーハのエッチング方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - The method also includes a step of etching the silicon layer 101 from a lower side of Fig. by using an ICP dry etching (C).
そして、ＩＣＰドライエッチング法を用いて、図の下側からシリコン層１０１のエッチングを行う（Ｃ）。 - 特許庁 - To provide a technology for ensuring high in-plane uniformity of etching, in the plasma etching of a substrate.
基板のプラズマエッチングにおいて、エッチングについて高い面内均一性が得られる技術を提供すること。 - 特許庁 - The etching of the conductor film 3 which is the process object film is performed by etching using the mask pattern as a mask.
被加工膜である導体膜３のエッチングは、当該マスクパターンをマスクにしてのエッチングにより行う。 - 特許庁 - ETCHING APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
エッチング装置及び半導体装置の製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR ETCHING PROTECTION FILM AT OUTER PERIPHERAL PART OF SEMICONDUCTOR WAFER, ITS DEVICE, AND ROTARY FIXTURE FOR ETCHING
半導体ウェーハの外周部の保護膜エッチング方法およびその装置ならびにエッチング用回転治具 - 特許庁 - After that, the etching resist 11 is peeled off in a state where the etching resist 11 is sandwiched by a mesh plate 13.
その後、エッチングレジスト１１をメッシュ板１３で挟持した状態で、エッチングレジスト１１を剥離する。 - 特許庁 - ANISOTROPIC ETCHING OF ORGANIC COMPOUND CONTAINING INSULATING LAYER
有機化合物含有絶縁層の異方性エッチング - 特許庁 - To provide an etching method of uniformly etching the entire surface of a processed layer to be etched.
エッチング加工される被加工層の全面を、均一にエッチングすることが可能なエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for plasma etching which enables a desired plasma etching to be executed on an object to be etched.
被エッチング物に対して所望のプラズマエッチング処理を行うことができるプラズマエッチング方法を得る。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT AND ETCHING METHOD
半導体素子の製造方法、及びエッチング方法 - 特許庁 - The channel stopper layer 150 is worked by wet etching, and the poly-Si layer 107 is worked by dry-etching.
チャネルストッパ層１５０はウェットエッチングで加工され、ｐｏｌｙ−Ｓｉ層１０７はドライエッチングで加工する。 - 特許庁 - APPARATUS AND METHOD FOR ETCHING SEMICONDUVTOR WAFER
半導体ウェーハのエッチング装置およびエッチング方法 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND ETCHING DEVICE
半導体装置の製造方法及びエッチング装置 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND ETCHING DEVICE
半導体装置の製造方法およびエッチング装置 - 特許庁 - To provide a wet-etching apparatus which can prevent etching residue from being left on the substrate.
基板にエッチング残渣が残ることを防止することができるウエットエッチング処理装置を提供すること。 - 特許庁
- 特許庁
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