「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 35 36 37 38 39 40 41 42 43 .... 399 400 次へ＞- DIELECTRIC DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND ETCHING METHOD
誘電体デバイスの製造方法及びエッチング方法 - 特許庁 - ETCHING METHOD AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
エッチング方法及び半導体装置の作製方法 - 特許庁 - For etching of the nickel film, acid-based pharmaceutical solution is used.
ニッケル膜のエッチングには、酸系薬液を用いる。 - 特許庁 - This etching method is especially profitable to obtain a GaNHBT from an n-p-n GaN material by etching.
本発明はｎ‐ｐ‐ｎＧａＮ材料からＧａＮＨＢＴをエッチングするのに特に有益である。 - 特許庁 - To provide an etching method giving an increase in etching rate while maintaining the allowable level of the quality of a product.
製品の品質の許容レベルを維持しつつ、エッチング速度の増加を与えるエッチング方法の提供。 - 特許庁 - METHOD FOR REDUCING WET ETCHING RATE OF SILICON NITRIDE
窒化ケイ素のウェットエッチング率を減少させる方法 - 特許庁 - To provide a method for forming a graphene film which has a short etching time, and suppresses damage at the time of etching.
エッチング時間が短く、エッチング時の損傷を抑制したグラフェン膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁 - ETCHING TREATMENT DEVICE OF PRINTED-WIRING BOARD, AND ETCHING TREATMENT METHOD FOR PRINTED-WIRING BOARD USING THE SAME
プリント配線板用のエッチング処理装置とその装置を用いたプリント配線板用エッチング処理方法 - 特許庁 - DRY-ETCHING METHOD OF LOW-PERMITTIVITY INTERLAYER INSULATING FILM
低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法 - 特許庁 - MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING DRY ETCHING
ドライエッチングを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁 - To improve etching speed of organic film and an etching selection ratio of the organic film with respect to a cathode film.
有機膜のエッチング速度及び陰極膜に対する有機膜のエッチング選択比を向上させる。 - 特許庁 - An apparatus for etching the preform 12 includes a reservoir tank housing a liquid etching agent.
プリフォーム１２をエッチングするための装置は、液体のエッチング剤を収容する貯留槽を備えている。 - 特許庁 - To provide a plasma etching method for achieving both high selectiveness and a high etching rate.
高い選択性と高いエッチングレートを両立させることのできるプラズマエッチング方法等を提供する。 - 特許庁 - MONITORING PROCESSING AND INSPECTION STRUCTURE FOR SILICON ETCHING
シリコンエッチングのためのモニタ処理および検査構造 - 特許庁 - ETCHING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
エッチング方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁 - WAFER SPIN CHUCK AND ETCHING DEVICE EQUIPPED WITH SPIN CHUCK
ウェハスピンチャックとスピンチャックを具備したエッチング装置 - 特許庁 - METHOD FOR ETCHING GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER
窒化ガリウム系化合物半導体層のエッチング方法 - 特許庁 - To improve the etching tolerance of the fluororesin resist.
フッ素樹脂レジストのエッチング耐性を向上させる。 - 特許庁 - Highly anisotropic etching is realized by adding an inert gas to an etching gas containing chlorine and boron trichloride.
塩素と三塩化硼素を含むエッチングガスに、不活性ガスを添加し、異方性の高いエッチングを実現する。 - 特許庁 - PHOTORESIST COMPOUND, PHOTORESIST FLUID, ETCHING METHOD USING THE SAME AND POSITIVE TYPE ETCHING-RESISTANT PHOTORESIST MATERIAL
フォトレジスト用化合物、フォトレジスト液、ならびにこれを用いるエッチング方法およびポジ型耐エッチングレジスト材料 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR RECOVERING ALKALI FROM ALKALI ETCHING SOLUTION
アルカリエッチング液のアルカリ回収方法及び装置 - 特許庁 - Thereafter, etching is carried out for the formation of the diaphragm.
その後、ダイヤフラム形成のためのエッチングを施す。 - 特許庁 - FILM FOR CONNECTING SUBSTRATES AND METHOD FOR ETCHING SUBSTRATE
基板接続用フィルムおよび基板のエッチング方法 - 特許庁 - Slice damage is removed coarsely by low-accuracy etching.
スライスダメージを低精度エッチングで粗めに除去する。 - 特許庁 - Thus, the substrate etching apparatus uniformly injects air bubbles to the glass substrates to apply uniform etching to the glass substrates.
従って、気泡をガラス基板に均一に噴射してガラス基板のエッチングを均一にすることができる。 - 特許庁 - To provide an etching aqueous solution for etching a doped oxide film and a nondoped oxide film at a near uniform rate.
ドープ酸化膜と非ドープ酸化膜とを等速に近い値でエッチングするエッチング水溶液を提供する。 - 特許庁 - To provide an etching system that can realize a uniform etching characteristic having no difference between the central part and edge part of a wafer.
ウェーハのセンタ部とエッジ部とでエッチング特性の差のない均一なエッチング特性を実現する。 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR DETECTING END POINT OF DRY ETCHING
ドライエッチングの終点検出方法および装置 - 特許庁 - BRIDGE-LESS ETCHING PRODUCT, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
ブリッジレスのエッチング製品およびその製造方法 - 特許庁 - ETCHING METHOD USING ADVANCED-PATTERNING-FILM IN CAPACITIVELY-COUPLED HIGH-FREQUENCY PLASMA DIELECTRIC ETCHING CHAMBER
容量結合高周波プラズマ誘電体エッチングチャンバにおけるアドバンスドパターニングフィルムを用いたエッチング方法 - 特許庁 - The gate structure is formed by first etching.
第１のエッチングによりゲート構造が形成される。 - 特許庁 - Since etching is finished in a short time, the body substrate E is protected against damage due to etching liquid.
短時間でエッチングが終了するため本体基板Ｅのエッチング液による損傷が防止される。 - 特許庁 - The etching mask and cap layers 9 and 8 are removed.
エッチングマスク９及びキャップ層８を除去する。 - 特許庁 - EQUIPMENT AND METHOD FOR SLURRY CLEANING ETCHING CHAMBER
エッチ室をスラリー洗浄するための装置と方法 - 特許庁 - The decorative member 3 is immersed into an etching liquid 5 to apply an etching treatment on the surface of the decorative member 3.
エッチング液５に装飾部材３を浸漬させて、装飾部材３の表面にエッチング処理を施す。 - 特許庁 - To provide an etching method capable of reducing a manufacturing cost compared to an etching process using acid.
酸を用いたエッチング処理に比して製造コストを低減することができるエッチング方法を得ること。 - 特許庁 - DEFECT INSPECTING METHOD FOR METAL FOIL PATTERN ETCHING PRODUCT
金属箔パターンエッチング製品の欠陥検査方法 - 特許庁 - PRODUCTION OF SHADOW MASK MATERIAL EXCELLENT IN ETCHING PROPERTY
エッチング性に優れたシャドウマスク材の製造方法 - 特許庁 - SHADOW MASK AND ETCHING MASK PATTERN FOR MANUFACTURING THE SAME
シャドウマスク及びシャドウマスク製造用エッチングマスクパターン - 特許庁 - Also, it is desired that the pressure of an etching treatment chamber at the time of carrying etching ranges from 26.7 to 53.3Pa.
エッチングの際のエッチング処理室の圧力は２６．７〜５３．３Ｐａの範囲内であることが好ましい。 - 特許庁 - In the first step of an etching process, a rough control step is carried out on the condition that an etching rate becomes comparatively high.
エッチング過程の当初は、比較的エッチングレートが高くなる条件で粗調整ステップが実行される。 - 特許庁 - ETCHING METHOD AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
エッチング方法及び半導体デバイスの製造方法 - 特許庁 - Then, the oxide film 208 is removed and a secco etching or light etching is conducted, thus forming nanocrystals 212.
その後、酸化膜208を除去してセコ蝕刻またはライト蝕刻を行うことによって、ナノ結晶212を形成する。 - 特許庁 - REMOVER AND CLEANING AGENT FOR SEMICONDUCTOR ETCHING RESIDUE
半導体エッチング残渣の除去剤及び洗浄剤 - 特許庁 - PHOTOMASK BLANK, METHOD FOR PROCESSING THE SAME, AND ETCHING METHOD
フォトマスクブランク、その加工方法、及びエッチング方法 - 特許庁 - The etching rate of the side-etching pretension layer 7 is smaller than those of the first and the second doped layers 6 and 8.
サイドエッチング防止層７のエッチングレートは第１および第２ドープ層６，８のエッチングレートよりも小さい。 - 特許庁 - REACTIVE ION BEAM ETCHING SYSTEM AND PROCESSING METHOD THEREFOR
反応性イオンビームエッチング装置とその加工方法 - 特許庁 - The method can be carried out in a direct plasma etching process or in a remote plasma etching process.
本方法は直接プラズマエッチング法又は遠隔プラズマエッチング法によって実行することが可能である。 - 特許庁 - To obtain a plasma etching system capable of suitably controlling plasma etching time for a metal thin film.
金属薄膜のプラズマエッチング時間を適切に制御することの可能なプラズマエッチング装置を得ること。 - 特許庁 - FOCUS RING, PLASMA ETCHER AND PLASMA ETCHING METHOD
フォーカスリング、プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
