「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 31 32 33 34 35 36 37 38 39 .... 399 400 次へ＞- METHOD FOR ETCHING SUBSTRATE FOR MANUFACTURING PRINTED BOARD
プリント配線板製造用基板のエッチング方法 - 特許庁 - METHOD OF FORMING BASE PART ON METAL SUBSTRATE BY ETCHING
金属基板への台座部エッチング形成方法 - 特許庁 - FORMING METHOD OF CONTACT HOLE AND DRY ETCHING DEVICE
コンタクトホールの形成方法及びドライエッチング装置 - 特許庁 - SUBSTRATE-ETCHING METHOD AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE
基板エッチング方法、半導体装置製造方法 - 特許庁 - This invention relates to the plasma etching method by which an etching gas is generated to carry out a plasma etching of a CF_X film 101 formed in a semiconductor wafer W, wherein a mixed gas containing CH_4 and O_2 is used as the etching gas.
半導体ウエハＷに形成されたＣＦ_x膜１０１を、エッチングガスのプラズマを発生させてプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、エッチングガスとして、ＣＨ_4とＯ_2とを含む混合ガスを用いる。 - 特許庁 - After a thin film 40 of etching-resistant resin is formed on the metal surface in a small hole by evaporating the etching-resistant resin, the etching-resistant resin is applied to form an etching-resistant resin layer 47.
小孔内の金属表面にエッチング耐蝕樹脂を気化させてエッチング耐蝕樹脂の薄膜４０を形成した後に、エッチング耐蝕樹脂を塗布してエッチング耐蝕樹脂層４７を形成すること。 - 特許庁 - STORAGE ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND ETCHING METHOD
記憶素子及びその製造方法、エッチング方法 - 特許庁 - COMPOSITION FOR ETCHING RESIN MOLDING
樹脂成形体に対するエッチング処理用組成物 - 特許庁 - By bringing a substrate 5 into contact with an etching soln. feeding means 2 in which an etching soln. 4 etching a film to be etched formed on a substrate 5 is occoluded, the etching soln. 4 is fed to the substrate 5.
基板５上に形成された被エッチング膜をエッチングするエッチング液４を吸蔵したエッチング液供給手段２に基板５を接触させることにより、エッチング液４を基板５に供給する。 - 特許庁 - In this case, the layer pattern is also simultaneously etching removed.
この際、層パターンも同時にエッチング除去する。 - 特許庁 - (METH)ACRYLAMIDEPHOSPHATE-BASED SELF-ETCHING DENTAL MATERIAL
（メタ）アクリルアミドホスフェートベースの自己エッチング歯科材料 - 特許庁 - To provide the manufacturing method of a semiconductor device which prevents the deterioration of an etching rate, eliminates the fluctuation of etching time and uniforms the etching characteristic of a silicon layer including metal, and to provide a dry etching device.
エッチングレートの劣化を防止しエッチング時間の変動をなくし、金属を含むシリコン層のエッチング特性を均一化する半導体装置の製造方法及びドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - ETCHING ACCURACY EVALUATING METHOD AND TESTING SUBSTRATE THEREFOR
エッチング精度評価方法およびそのテスト基板 - 特許庁 - ETCHING METHOD, PLASMA PROCESSING APPARATUS, AND STORAGE MEDIUM
エッチング方法、プラズマ処理装置及び記憶媒体 - 特許庁 - In this case, the desired aspheric recessing parts are formed with wet etching by suitably adjusting each of conditions of an etching rate of the openings 64 and the control film 61 with respect to an etching liquid, and etching time.
この場合、開口６４と、コントロール膜６１のエッチング液に対するエッチングレートと、エッチング時間との各条件を適宜調整してウエットエッチングを行うことにより、所望の非球面の凹部を形成する。 - 特許庁 - STABILIZED PHOTORESIST STRUCTURE FOR ETCHING PROCESS
エッチングプロセスのための安定化したフォトレジスト構成 - 特許庁 - Trouble such as insufficient etching or over etching can be prevented by it that a semiconductor etching monitor capable of ascertaining the etching state of a sacrificial layer in an in-line manner is formed on the same wafer with a sensor.
犠牲層エッチングの進行状況をインラインで確認することができる半導体エッチングモニタをセンサ部分と同一のウエハ上に形成することによりエッチング不足、もしくは過剰エッチングを防止する。 - 特許庁 - WASHING LIQUID AND WASHING METHOD FOR DRY ETCHING RESIDUE
ドライエッチング残渣用洗浄液および洗浄法 - 特許庁 - To control the etching rate distribution by operating the etching gas flow field and to realize highly accurate and uniform dry etching by attaining a desired etching rate distribution for each kind of film by that method.
エッチングガス流れ場を操作して、エッチングレート分布を制御することを目的とし、この方法により、所望のエッチングレート分布を膜種毎に獲得し、高精度、高均一なドライエッチングを実現させる。 - 特許庁 - The control unit obtains an etching speed, based on the frequency of the interference light having the larger amplitude than the other, and calculates the etching depth, based on the obtained etching speed and time for performing the etching.
制御部は、２つの干渉光のうち振幅の大きいほうの干渉光の周波数から、エッチング速度を求め、求めたエッチング速度とエッチングを行った時間とから、エッチング深さを算出する。 - 特許庁 - ETCHING METHOD AND DEVICE FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
半導体基板のエッチング方法及びエッチング装置 - 特許庁 - SOLID SOURCE ETCHING DEVICE AND METHOD THEREFOR
固体ソースエッチング装置及び固体ソースエッチング方法 - 特許庁 - Over- etching is conventionally performed by stopping the etching by using an end monitor, however, the upper layer metal film 7 is etched at a part of a substrate due to dispersion of the etching in a lot surface and dispersion of the etching in a substrate surface.
従来、エンドモニタを使用してエッチングを止め、オーバーエッチングをしていたが、ロット面内エッチングバラツキと基板面内でエッチングバラツキから基板一部において上層金属膜７がエッチングされてしまう。 - 特許庁 - ETCHING WASTE LIQUID RECYCLING METHOD AND REGENERATING APPARATUS
エッチング廃液の再生方法及び再生装置 - 特許庁 - The second light shielding layer 22 is subjected to over-etching by isotropic etching using an etchant having an etching rate to the second light shielding layer 22 greater than the etching rate to the first light shielding layer 21 using the resist mask.
該レジストマスクを利用し、第１遮光層２１へのエッチングレートよりも、第２遮光層２２へのエッチングレートの大きいエッチング液を用いて、第２遮光層２２を等方性エッチングにてオーバーエッチングする。 - 特許庁 - The data on this etching conversion difference is fed back to the etching process for a semiconductor wafer of the next lot, and setting of conditions for etching operation is regulated so that the etching conversion difference is lessened.
そして、このエッチング変換差のデータを次のロットの半導体ウェーハについてのエッチング工程にフィードバックさせて、そのエッチング変換差が減少するようにエッチング作業条件の設定を調整する。 - 特許庁 - The trench 7 is formed by etching.
そして、レンチ７をエッチングによって形成している。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing an oxide thin film transistor element, wherein an etching process condition is optimized by using specific etching gas through a helicon plasma dry etching process and etching selectivity is improved.
特定エッチングガスを使用してヘリコンプラズマ乾式エッチング工程を通じてエッチング工程条件を最適化し、エッチング選択性を向上させた酸化物薄膜トランジスタ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide an etching control device which enables real time automatic control of a composition of an etchant, as the etching control device for controlling an etching device for etching a printed circuit board etc., subjected to pattern resist.
パターンレジストされたプリント配線基板等をエッチングするエッチング装置を制御するエッチング制御装置において、エッチング液の組成のリアルタイム自動制御を可能にしたエッチング制御装置を提供する。 - 特許庁 - DRY ETCHING APPARATUS AND PROCESSING METHOD OF PROCESSING WORK
ドライエッチング装置及び被加工物の加工方法 - 特許庁 - SUBSTRATE CONNECTING TAPE AND METHOD OF ETCHING SUBSTRATE
基板接続用テープおよび基板のエッチング方法 - 特許庁 - CLEANING METHOD OF SUBSTRATE SURFACES AFTER ETCHING PROCESS
エッチング処理した基板表面の洗浄方法 - 特許庁 - Circulation piping 11 of connecting the circulation treatment stage 10 for the supernatant etching liquid Wx and the etching liquid tank 1 is connected with an etching liquid feed stage 12 of replenishing a new etching liquid.
上澄みエッチング液Ｗｘの循環処理工程１０とエッチング液槽１とを結ぶ循環配管１１には、新たなエッチング液を補給するエッチング液供給工程１２が接続される。 - 特許庁 - An etching liquid is thereafter supplied onto the substrate.
その後、前記基板に、エッチング液を供給する。 - 特許庁 - ETCHANT, ETCHING METHOD, AND SEMICONDUCTOR SILICON WAFER
エッチング液、エッチング方法及び半導体シリコンウェーハ - 特許庁 - PLASMA PROCESSING SYSTEM FOR DAMAGE-FREE DRY ETCHING OF WAFER
ダメージのないウェハードライエッチングのプラズマ処理装置 - 特許庁 - CHAMBER STRUCTURE OF INDUCTIVELY COUPLED PLASMA ETCHING DEVICE
誘導結合プラズマ食刻装置のチャンバ構造 - 特許庁 - NEUTRAL BEAM ETCHING DEVICE SEPARATELY ACCELERATING PLASMA
プラズマを分離加速させる中性ビームエッチング装置 - 特許庁 - ETCHING INK TRANSFER CYLINDER FOR FLEXOGRAPHIC PRESS
フレキソ印刷機のための食刻インキ転写シリンダ - 特許庁 - REGENERATION METHOD AND REGENERATION DEVICE FOR ETCHING WASTE LIQUID
エッチング廃液の再生方法及び再生装置 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR ETCHING STRUCTURE
構造体をエッチングするための方法及び装置 - 特許庁 - Preferably, the etching liquid is replenished with the replenishment liquid in such a manner that the oxidation-reduction potential of the etching liquid is fixedly held, and also, the etching liquid is replenished with acid in such a manner that the concentration of hydrogen ions in the etching liquid is fixedly held.
好ましくは、エッチング液の酸化還元電位を一定に保つよう該補給液をエッチング液に補給し、且つエッチング液の水素イオン濃度を一定に保つよう酸をエッチング液に補給する。 - 特許庁 - METHOD FOR DETERMINING ADDITIVE IN ETCHING COMPOSITIONAL LIQUID
エッチング組成液中の添加剤の定量方法 - 特許庁 - DRY ETCHING END POINT DETECTING METHOD AND DEVICE
ドライエッチングの終点検出方法および装置 - 特許庁 - Further, etching is performed on the edge of the top surface and the undersurface of the wafer by wet etching, and etching is performed on a boundary between the etched part and the edge of the wafer by dry etching.
また、ウェハの上部面のエッジ部および下部面に湿式エッチング方法によってエッチングが行われ、ウェハの非エッチング部とエッジ部との境界は乾式エッチング方法によってエッチングが行われる。 - 特許庁 - ETCHING SOLUTION AND ROUGHENING TREATMENT OF COPPER SURFACE
エッチング液および銅表面の粗化処理方法 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD AND ETCHING METHOD OF OPTICAL ELEMENT
光学素子の製造方法およびエッチング方法 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD AND APPARATUS FOR TEST SAMPLE
試料のドライエッチング方法及びドライエッチング装置 - 特許庁 - Thereafter, the remaining resist 3 is removed by dry etching.
その後、レジスト３をドライエッチングにより除去する。 - 特許庁 - METHOD FOR EVALUATING SILICON WAFER AND ETCHING AGENT THEREFOR
シリコンウェーハの評価方法及びそのエッチング液 - 特許庁
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