「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 27 28 29 30 31 32 33 34 35 .... 399 400 次へ＞- To provide a plasma etching device, a seasoning method of this and a plasma etching method using these, for etching an object with etching gas applied with high frequency voltage.
高周波電圧が印加されて処理対象物をエッチングガスによりエッチングするプラズマエッチング装置及びこのシーズニング方法並びにこれ等を用いるプラズマエッチング方法を提供するにある。 - 特許庁 - HEAT-RESISTANT BOND PLY HAVING EXCELLENT ALKALI ETCHING PROPERTY
アルカリエッチング性に優れた耐熱性ボンドプライ - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR ION BEAM ETCHING
イオンビームエッチング方法及びイオンビームエッチング装置 - 特許庁 - RETICLE ADAPTER FOR REACTIVE ION ETCHING SYSTEM
反応性イオンエッチングシステムのためのレクチルアダプタ - 特許庁 - ETCHANT FOR CONDUCTIVE FILM AND ETCHING METHOD
導電膜用エッチング液およびエッチング方法 - 特許庁 - ETCHING DEVICE FOR ALUMINUM FOIL FOR ELECTROLYTIC CAPACITOR
電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング装置 - 特許庁 - ETCHING DEVICE OF SHADOW MASK MATERIAL, AND SHADOW MASK
シャドウマスク材のエッチング装置およびシャドウマスク - 特許庁 - METHOD OF MEASURING ETCHING CONDITION OF SEMICONDUCTOR WAFER
半導体ウェーハの蝕刻状態計測方法 - 特許庁 - In this case, the liquid chemical of the high etching speed of the first oxidized film is used in the etching of the first step, and the liquid chemical of a low etching speed is used in the etching of a second step.
ここで、第１ステップのエッチングで、第１の酸化膜のエッチング速度の大きな化学薬液が用いられ、第２ステップのエッチングで、エッチング速度の小さい化学薬液が用いられる。 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR ETCHING DISK-LIKE MATERIAL
円板状部材のエッチング方法及び装置 - 特許庁 - DRY ETCHING DEVICE AND DRY CLEANING METHOD THEREOF
ドライエッチング装置及びそのドライクリーニング方法 - 特許庁 - Next, the insulation film 110 is removed; in a second etching step, a hard mask pattern is formed by using the first and second auxiliary patterns as an etching mask; and in a third etching step, the etching target film 101 is formed, by using the hard mask pattern as an etching mask.
続いて絶縁膜１１０を除去し、第２のエッチング工程で第１，第２補助パターンをエッチングマスクとしてハードマスクパターンを形成し、それをエッチングマスクとして第３のエッチング工程でエッチング対象膜１０１をエッチングする。 - 特許庁 - To provide a method of forming a semiconductor device which can perform good SAC etching, without vanishing the etching stopper film in SAC etching, even in case that the thickness of a film for etching until start of etching is thick.
ＳＡＣエッチングが開始するまでの被エッチング膜厚が厚い場合でも、ＳＡＣエッチングのエッチングストッパ膜が消失することなく、良好なＳＡＣエッチングを行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a mist etching apparatus and a mist etching method which can also be applied even to a material to which etching processing is difficult and can obtain an excellent pattern shape in which side etching is suppressed and an etching processing surface is smooth.
エッチング処理が困難な材料に対しても適用可能であり、サイドエッチングを抑制し、且つエッチング処理面が平滑である良好なパターン形状を得ることができるミストエッチング装置及びミストエッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - The inkjet recording head manufacturing method restrains membrane cracking by reducing damage given to a membrane by an etching solution by reducing an etching rate in an anisotropic etching process in a final etching phase by varying the temperature or the concentration of the etching solution.
異方性エッチング工程でのエッチングレートを、エッチング液温度またはエッチング液濃度を変化させることにより、エッチング最終段階で遅くして、エッチング液がメンブレン膜に与えるダメージを小さくして、メンブレン割れを抑制する。 - 特許庁 - This method for processing the semiconductor wafer, wherein a chambering step, lapping step, an etching step, and a mirror surface polishing step are performed, is characterized in that, in the etching step, an acid-etching is performed after an alkali etching, in which acid-etching is performed with acid-etching liquid consisting of hydrogen fluoride, nitric acid, phosphoric acid, and water.
面取り工程、ラッピング工程、エッチング工程、鏡面研磨工程を施す半導体ウエーハの加工方法において、エッチング工程をアルカリエッチングの後、酸エッチングを行うものとし、その際、酸エッチングをフッ酸、硝酸、リン酸、水からなる酸エッチング液で行う半導体ウエーハの加工方法。 - 特許庁 - To provide a laser beam etching method and a laser beam etching apparatus capable of etching without adhering a byproduct around an etching position and finely etching a material of IC, diode device, etc., when etching an object to be worked of an inorganic material.
無機材料からなる被加工物のレーザエッチングにおいて、エッチング位置周辺に加工副産物が付着しないように加工することができ、さらにはマイクロマシン、またはＩＣおよびダイオードデバイス等の材料を微細加工することができるレーザエッチング方法及びレーザエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an etching method for a thin film composed of zinc-oxide based crystal, wherein the method suppresses side etching and anisotropic etching, and suppresses occurrence of etching residues, not depending on coarseness or fineness of wiring patterns and on pattern geometry, while the method performs etching treatment with the optimum etching rate.
酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のエッチングにおいて、最適なエッチング速度でエッチング処理を施すことができ、配線パターンの粗密やパターン形状に依存せず、サイドエッチングや異方性エッチングを抑制し、且つエッチング残渣の発生を抑制するエッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - To maintain the state where there is little dusting of foreign substances from the inside of an etching processing chamber, and the reproducibility of etching performance is secured, by efficiently removing sediment accumulated by etching in the inside of the etching processing chamber, in the cleaning method of the etching device for etching a metal film.
金属膜をエッチングするエッチング装置のクリーニング方法において、エッチング処理室内部に堆積するエッチングによって生じた堆積物を効率良く除去して」、エッチング性能の再現性が有り、エッチング処理室内部から異物の発塵が少ない状態を維持する。 - 特許庁 - A method of manufacturing a semiconductor device comprises an etching process of carrying out an anisotropic etching of a silicon wafer 102 forming an etching mask by using alkali solution; and a breaking process of breaking a projection of the etching mask projecting against the opening 103 of the silicon wafer 102 so as to reside at the corner of the etching mask after the etching process.
エッチングマスクを形成したシリコンウェハ１０２をアルカリ溶液を用いて異方性エッチングするエッチング工程と、エッチング工程の後に、エッチングマスクのコーナー部に位置するようにシリコンウェハの開口部１０３に対して突出するエッチングマスクの突出部を破断する破断工程と、を含む。 - 特許庁 - To improve silica removal efficiency, prevent impurity accumulation and thereby return permeated water at low silica concentration to an etching bath in alkaline etching solution processing which involves extracting from the etching bath an alkaline etching solution after a silicon etching treatment and then subjecting it to membrane separation processing by membrane separation means before being circulated to the etching bath.
シリコンをエッチング処理したアルカリエッチング液をエッチング槽から引き抜き、膜分離手段で膜分離処理してエッチング槽に循環するアルカリエッチング液の処理において、シリカ除去効率の向上、不純物の蓄積を防止して低シリカ濃度の透過水をエッチング槽に返送する。 - 特許庁 - The semiconductor device has a holding part 16 which holds information regarding the reference etching rate of an etching object and an etching rate calculation part 15 which calculates the etching rate when the etching object is etched based on information regarding a pattern formation region of the etching object.
エッチング対象物の基準エッチングレートに関する情報を保持する保持部１６と、基準エッチングレートに関する情報及びエッチング対象物のパターン形成領域に関する情報に基づいて、エッチング対象物をエッチングする際のエッチングレートを算出するエッチングレート算出部１５とを備える。 - 特許庁 - ETCHING METHOD OF SILICON WAFER, AND METHOD OF DIFFERENTIATING FRONT AND REAR FACES OF SILICON WAFER USING THE ETCHING METHOD
シリコンウェーハのエッチング方法及びこの方法を用いたシリコンウェーハの表裏面差別化方法 - 特許庁 - PRINTED CIRCUIT BOARD WITH PATTERN FOR ETCHING TOLERANCE DETERMINATION, AND ETCHING TOLERANCE DETERMINATION METHOD OF PRINTED CIRCUIT BOARD
エッチング公差判定用パターン付プリント基板及びプリント基板のエッチング公差判定方法 - 特許庁 - The integrated circuit 30 is provided with the substrate 10 with an etching surface and a non-etching surface.
集積回路３０は、エッチング表面および非エッチング表面を有する基板１０を備える。 - 特許庁 - To provide a detection method of an etching end point in the dry semiconductor etching step, while can easily and accurately detect the etching end point.
エッチング終了点を正確で容易に検出できる半導体乾式エッチング工程でエッチング終了点の検出方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method to prevent the aggravation of etching shape and improve etching speed at the same time.
エッチング形状の悪化を抑制しつつエッチング速度を向上させる方法を提供する。 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD FOR TOUCH PANEL SENSOR AND ETCHING METHOD
タッチパネルセンサ製造方法およびエッチング方法 - 特許庁 - GAS INJECTOR AND ETCHING APPARATUS PROVIDED WITH THE GAS INJECTOR
ガスインジェクタおよびこれを有するエッチング装置 - 特許庁 - In this etching step, a waveshape-like etching pattern is adopted on the layer 105.
このエッチング工程において、ｐ型層１０５上に周辺が波形状のエッチングパタンを採用する。 - 特許庁 - To provide a dry etching method which can improve uniformity of the depth of etching over the surface of a wafer.
ウェーハの面内におけるエッチング深さの均一化を図ったドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a dry etching technique of a high grade.
高品位なドライエッチング技術を提供する。 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR INSPECTING ETCHING VARIANCE
エッチングばらつき検査方法および検査装置 - 特許庁 - ETCHING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF ELECTRONIC DEVICE
エッチング方法及び電子デバイスの製造方法 - 特許庁 - To provide an etching method, with which dry etching can be efficiently performed on various kinds of silicon oxide films.
様々な種類のシリコン酸化膜を効率よくドライエッチングできるエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - The wet-etching step uses a hydrofluoric acid-based etching liquid using a Cr film 6 as a mask.
ウェットエッチング工程において、Ｃｒ膜６をマスクとしてフッ酸系エッチング液を用いている。 - 特許庁 - ETCHING LIQUID, ETCHING METHOD, BASE PLATE WITH RECESSED PART, MICRO LENS BASE PLATE, TRANSMISSION TYPE SCREEN, AND REAR TYPE PROJECTOR
エッチング液、エッチング方法、凹部付き基板、マイクロレンズ基板、透過型スクリーンおよびリア型プロジェクタ - 特許庁 - In a step of etching the silicon of a photodiode, at least two steps of etching are executed as follows.
フォトダイオードのシリコンをエッチングする工程において、少なくとも次の２段階のエッチングを行う。 - 特許庁 - The etching conditions at the next treatment unit are determined on the basis of the result of an etching at the previously etching-treated treatment unit under specified conditions.
所定の条件で既にエッチング処理された処理単位のエッチング結果を基にして、次の処理単位のエッチング条件を決定する。 - 特許庁 - ETCHING APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING CIRCUIT BOARD
エッチング装置および回路基板の製造方法 - 特許庁 - To provide a plasma etching process and a plasma etching system capable of exhibiting excellent controllability of a processing profile.
加工形状の制御性に優れたプラズマエッチング方法およびプラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - ETCHING SOLUTION AND METHOD FOR MANUFACTURING BLACK MATRIX
エッチング液およびブラックマトリックスの製造方法 - 特許庁 - To remove a film formed at dry etching process by cleaning in every dry etching process.
ドライエッチング処理毎にクリーニング処理を実施して、ドライエッチング処理時に形成された膜を除去する。 - 特許庁 - To provide an etching monitoring device for accurately detecting end point of etching.
エッチングの終点を正確に検出することのできるエッチング監視装置を提供することである。 - 特許庁 - The interlayer insulation film 21 is etched using the etching rejection film 20 as an etching stopper, and the exposed etching rejection film 20 is then etched.
エッチング阻止膜２０をエッチングストッパに用いて層間絶縁膜２１をエッチングし、続いて露出しているエッチング阻止膜２０をエッチングする。 - 特許庁 - To provide an anisotropic etching method for silicon.
シリコンの異方性エッチング方法を提供する。 - 特許庁 - A scanning speed is calculated from the etching profile.
エッチングプロファイルにより走査速度を計算する。 - 特許庁 - To provide an etching apparatus capable of reducing the occurrence of defects in an etching process.
エッチング工程における不良の発生を減少させることができるエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma etching method for etching a wide-gap semiconductor substrate with high accuracy.
ワイドギャップ半導体基板を高精度にエッチングすることができるプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma etching method capable of etching an amorphous carbon film with good shape without expanding an etching part.
アモルファスカーボン膜を良好な形状性でかつエッチング部分を拡大させずにエッチングすることができるプラズマエッチング方法を提供すること。 - 特許庁
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