To enable efficient etching. 効率のよいエッチングを行うことを可能とする。 - 特許庁
DRY ETCHING APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT 半導体素子製造用乾式エッチング装置 - 特許庁
APPARATUS AND METHOD FOR ETCHING MONITORING エッチングモニタリング装置およびエッチングモニタリング方法 - 特許庁
ETCHING PROTECTING SHEET AND METHOD FOR FORMING CIRCUIT エッチング保護シートおよび回路の形成方法 - 特許庁
CURABLE RESIN COMPOSITION WITH EXCELLENT ETCHING RESISTANCE 耐エッチング性に優れた硬化性樹脂組成物 - 特許庁
METAL ETCHING PRODUCT WITH INSULATING TREATMENT APPLIED 絶縁処理を施した金属エッチング製品 - 特許庁
METHOD AND APPARATUS FOR ETCHING SILICON-CONTAINING FILMS シリコン含有膜のエッチング方法および装置 - 特許庁
ETCHING METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING INKJET エッチング方法およびインクジェットの製造方法 - 特許庁
METHOD FOR REGENERATING ETCHANT AND ETCHING APPARATUS エッチング液の再生方法およびエッチング装置 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING ETCHING FOIL FOR ELECTROLYTIC CAPACITOR 電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法 - 特許庁
To provide such an etching method and an etching device that etching of a board by acid become uniform, and materialize an analysis method using these etching methods. 酸による基板のエッチングが一様となるようなエッチング方法、エッチング装置を提供するとともに、これらのエッチング方法を用いた分析方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
METAL ETCHING PRODUCT AND ITS PRODUCTION METHOD 金属エッチング製品およびその製造方法 - 特許庁
METAL ETCHING PRODUCT AND ITS PRODUCTION METHOD 金属エッチング製品及びその製造方法 - 特許庁
To provide a plasma etching method and a plasma etching apparatus which, when etching an adhesion layer sandwiched between silicon substrates, can help etching to proceed in a laminated direction of silicon substrates. シリコン基板に挟まれた接着層をエッチングする際に、シリコン基板の積層方向へエッチングを進みやすくすることのできるプラズマエッチング方法、及びプラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁
ELECTRODE PLATE FOR PLASMA ETCHING AND METHOD OF PRODUCTION プラズマエッチング電極板及びその製造法 - 特許庁
The etching solution for metal contains a base etching solution and a retardant, and is characterized in that the etching rate is independent of or reverse dependent on the stirring rate of the etching solution. ベースのエッチング液と抑制剤とを含む金属のエッチング液であり、エッチング速度がエッチング液の攪拌速度に非依存または逆依存することを特徴とした金属のエッチング液である。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND ETCHING SYSTEM 半導体装置の製造方法とエッチングシステム - 特許庁
ETCHING APPARATUS FOR PROCESSING GLASS SUBSTRATE OR WAFER ガラス基板またはウエハー処理用エッシング装置 - 特許庁
WET ETCHING METHOD OF GALLIUM OXIDE SINGLE CRYSTAL 酸化ガリウム単結晶のウェットエッチング方法 - 特許庁
WET-CLEANING APPARATUS AND WET-ETCHING METHOD ウェット洗浄装置およびウェットエッチング方法 - 特許庁
she soaked the etching in an acid bath
彼女は、酸性の浴室にエッチングを浸した - 日本語WordNet
Adding an oxidant to an etching gas mixture can increase the etching rate of silicon nitride (5) while reducing the etching rate of a conductive oxide (4), resulting in improved etching selectivity. 酸化剤をエッチングガス混合物に加えることは、窒化シリコン(5)のエッチング速度を高める一方で、導電性酸化物(4)のエッチング速度を下げ得、改良したエッチング選択性がもたらされる。 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING MICROMACHINE AND ETCHING STOPPING LAYER マイクロマシン製造方法及びエッチング停止層 - 特許庁
A trench 7 is formed by dry etching. 次に、ドライエッチングにより溝7を形成する。 - 特許庁
A first etching step employs an etching method in which an etching rate to at least a second film and a third film is high and etching is performed until at least a first film is exposed. すなわち、第1のエッチング工程には、少なくとも第2の膜及び第3の膜に対するエッチングレートが高いエッチング方法を採用し、少なくとも第1の膜を露出するまで行う。 - 特許庁
Then, the groove 8 undergoes isotropic etching. 次に、溝8に対して等方性エッチングする。 - 特許庁
ETCHANT AND ETCHING METHOD USING THE SAME エッチング液およびそれを用いたエッチング方法 - 特許庁
ION BEAM ETCHING DEVICE, METHOD AND CONTROLLER イオンビームエッチング装置、方法及び制御装置 - 特許庁
SINGLE-CRYSTAL SILICON ELECTRODE PLATE FOR PLASMA ETCHING プラズマエッチング用単結晶シリコン電極板 - 特許庁
In order to determine an optimum addition ratio of ethyl alcohol in an etching gas of a plasma etching apparatus, ethyl alcohol addition ratio is found so as to make zero an isotropic etching rate to an etching mask. プラズマエッチング装置のエッチングガス中のエチルアルコールの最適添加比率の決定のために、エッチングマスクに対する等方性エッチングレートを零にするエチルアルコール添加比率が求められる。 - 特許庁
Then, quantity of the over-etching is fixed and the etching is performed while leaving the upper layer metal film by calculating and fixing etching time by film thickness of an insulation film and its etching rate. そこで、絶縁膜の膜厚とそのエッチングレートよりエッチング時間を算出して固定にすることで、オーバーエッチングの量を一定にし、上層金属膜を残したままエッチングする。 - 特許庁
LEADFRAME ETCHING METHOD AND APPARATUS THEREFOR リードフレームのエッチング加工方法及びその装置 - 特許庁
METHOD FOR ETCHING LAMINATE CONTAINING POLYIMIDE LAYER ポリイミド層を含む積層体のエッチング方法 - 特許庁
ELECTROSTATIC CHUCK, DEPOSITING METHOD AND ETCHING METHOD 静電チャック、成膜方法及びエッチング方法 - 特許庁
METHOD FOR ETCHING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR III族窒化物半導体のエッチング方法 - 特許庁
To provide an etching liquid and an etching method which can enhance an etching rate in the selective etching of a silicon nitride, and to provide a method for manufacturing an electronic component. 本発明は、窒化シリコンの選択的なエッチングにおいて、その窒化シリコンのエッチングレートを高めることができるエッチング液、エッチング方法および電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁