「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 25 26 27 28 29 30 31 32 33 .... 399 400 次へ＞- METHOD AND DEVICE FOR RECYCLING ETCHING LIQUID
エッチング液のリサイクル方法及びその装置 - 特許庁 - STEP-DIFFERENCE MEASURING APPARATUS, ETCHING MONITOR USING THE SAME, AND ETCHING METHOD
段差測定装置並びにこの段差測定装置を用いたエッチングモニタ装置及びエッチング方法 - 特許庁 - METHOD FOR ETCHING STRUCTURE INTO SUBSTRATE
基板内に構造体をエッチングする方法 - 特許庁 - To provide an etching method which is capable of easily and accurately detecting an end point of an etching process and carrying out etching with high accuracy.
エッチング処理の終点を容易かつ正確に検出し、エッチング処理を高精度に行うことが可能なエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an etching method for realizing trench etching without hollow or roughness on a trench side wall surface while maintaining a high etching rate.
高速エッチングレートを維持しつつ、トレンチ側壁面にえぐれや面荒れの無いトレンチエッチングを実現するためのエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an etching end point detecting device, which is used for detecting a plasma etching end point for a semiconductor substrate undergoing plasma etching and improved in detection accuracy.
半導体基板等のプラズマエッチング用エッチング終点検出精度の改善されたエッチング終点検出装置を提供する。 - 特許庁 - By this setup, etching gas is increased or decreased in flow rate, in accordance with an etching time so as to obtain the required etching characteristics.
これにより、本発明は、エッチングガスの流量をエッチング時間に従い増減させて所望のエッチング特性を得ることができる。 - 特許庁 - As compared with the case in which the through-holes are formed by etching, an etching area can be small and an etching time can be shortened.
エッチングにより貫通孔を形成する場合と比較して、エッチング面積が小さくて済むため、エッチング時間を短縮することができる。 - 特許庁 - To provide an etching mask excelling in thermal imprinting property and etching resistance, and a base material with the etching mask, a fine workpiece and its manufacturing method.
熱インプリント性、耐エッチング性の良好なエッチングマスク、エッチングマスク付き基材、および微細加工品およびその製造方法の提供。 - 特許庁 - The etching tape includes a base sheet, and an etching material layer which a gel type etching material is applied and formed on the base sheet.
本発明のエッチングテープは、ベースシート及びベースシート上にゲルタイプのエッチング物質が塗布されて形成されたエッチング物質層を含む。 - 特許庁 - To provide an etching device and an etching method that suppress influence of deposition of etching products on a deposition preventive plate.
防着板へのエッチング生成物の付着の影響を抑制することが可能なエッチング装置及びエッチング方法を提供すること - 特許庁 - To prevent the occurrence of contamination and dust in the etching chamber of a plasma etching system which dry-etches a wafer by blowing an etching gas upon the wafer from an exhaust nozzle.
噴出ノズルからエッチングガスをウエーハに吹付けてドライエッチングする装置において、エッチング室内の汚染やダストの発生を防止する。 - 特許庁 - To provide an etching liquid and an etching method suitable for the wet etching of an aluminum-containing material, and to provide a method for producing a counter substrate or the like.
アルミニウムを含む材料のウエットエッチングに適したエッチング液、エッチング方法、及び対向基板の製造方法等を提供する。 - 特許庁 - To provide an etching method capable of obtaining a desired etching pattern without loosing a shape by preventing an etching mask from being deformed.
エッチングマスクの変形を防止して形崩れのない所望のエッチングパターンを得ることが可能なエッチング方法を提供することにある。 - 特許庁 - To improve the surface positional accuracy of an etching side wall face by suppressing the side etching in the dry etching of a single crystal silicon layer.
単結晶シリコン層のドライエッチングにおけるサイドエッチングを抑制してエッチング側壁面の面位置精度の向上を図れるようにする。 - 特許庁 - The termination time of the first etching step is determined by monitoring the etching progress obtained from impedance changes in an etching chamber.
第１エッチング段階の終了時判断は、エッチングチャンバー内のインピーダンス変化から求めたエッチング進行度をモニターすることにより行う。 - 特許庁 - The etching is first executed under a condition of a large etching rate and then under a condition of a small etching rate.
このエッチングは、最初にエッチングレートの大きな条件で実行し、次に、選択比は大きいがエッチングレートの小さな条件で実行する。 - 特許庁 - To easily measure a degree of etching without using a precise measuring device, when an etching such as plasma etching is carried out.
精密測定装置を用いることなくしかもプラズマエッチング等のエッチングを行なったときのエッチングの度合を容易に測定することにある。 - 特許庁 - To prevent the formation of a connection electrode with fault due to excessive etching by etching fluid in the etching process of a photo lithography method.
フォトリソグラフィ法におけるエッチング工程時に、エッチング液による過食刻によって不良な接続電極が形成されるのを防止する。 - 特許庁 - The etching sacrifice layer 115 is composed of a material having the equivalent or more etching rate of etching rate to the metal film 110M.
エッチング犠牲層１１５は、金属膜１１０Ｍに対するエッチングレートと同等以上のエッチングレートを有する材料から構成される。 - 特許庁 - The etching liquids are collected from an exhaust port in a portion of a center shaft 8 of the etching unit for each etching liquid and can be reused.
エッチングユニットの中心軸８部分の排気口から上記エッチング液はエッチング液ごとに回収され、再利用することができる。 - 特許庁 - Before a target etching depth is reached, the etching gas is changed from the SF_6/O_2/Ar mixed gas to Cl_2 gas for additional etching.
目標エッチング深さに達する前に、エッチングガスをＳＦ_６／Ｏ_２／Ａｒ混合ガスからＣｌ_２ガスに切り換えて追加エッチングを行う。 - 特許庁 - The etching used to form the second recess 37A is isotropic etching and uses a mixture gas of SF_6/O_2/Cl_2/HBr as an etching gas.
第２リセス３７Ａを形成するエッチングは等方性エッチングであり、エッチングガスには、ＳＦ_６／Ｏ_２／Ｃｌ_２／ＨＢｒの混合ガスを用いる。 - 特許庁 - An etching liquid obtained by adding a barium compound to a hydrofluoric acid-containing etching liquid is used when the surface of a glass substrate is subjected to etching treatment.
ガラス基板の表面をエッチング処理するときに、フッ酸を含むエッチング液にバリウム化合物を添加したエッチング液を用いる。 - 特許庁 - To provide a method for wet etching which eliminates an etching variation by low-cost processing and thereby can achieve a uniform etching for a region to be etched.
安価な処理でエッチングむらを無くし、被エッチング領域に対する均一なエッチングを達成するウェットエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a high-precision etching method for a wafer that can control an etching depth and shape with high accuracy, thereby lowering the percent defective, when etching a wafer.
ウエハのエッチングのエッチング深さ及び形状を高精度に制御し、不良率を低くするウエハの高精度エッチング方を提供する。 - 特許庁 - To perform dry etching so that desired etching types can be obtained without causing any etching stop regardless of a material of an object to be etched.
エッチング対象物の材料と無関係に、エッチストップが発生せず所望のエッチング形状が得られるようにドライエッチングを行う。 - 特許庁 - To provide a method for treating an etching waste soln. capable of producing an etching soln. capable of increasing etching efficiency in such a manner that working quality in etching treatment is satisfactorily maintained.
エッチング処理における加工品質を良好に維持してエッチング効率を高めることができるエッチング液を製造することのできるエッチング廃液の処理方法を提供する。 - 特許庁 - ETCHING LIQUID, AND METHOD FOR FORMING CONDUCTOR PATTERN
エッチング液及び導体パターンの形成方法 - 特許庁 - METHOD OF DETERMINING ETCHING AMOUNT OF SEMICONDUCTOR DEVICE
半導体デバイスのエッチング量判定方法 - 特許庁 - ETCHING METHOD AND MANUFACTURE OF MAGNETIC HEAD
エッチング方法及び磁気ヘッドの製造方法 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR REGENERATING ETCHING SOLUTION
エッチング液の再生方法および再生装置 - 特許庁 - PLASMA-ETCHING METHOD AND COMPUTER STORAGE MEDIUM
プラズマエッチング方法及びコンピュータ記憶媒体 - 特許庁 - SILICON OXIDE FILM SELECTIVE WET ETCHING SOLUTION
シリコン酸化膜選択性湿式エッチング溶液 - 特許庁 - Then, as the reflection preventing film, one whose etching rate is higher than that of the photoresist is used in the first etching process, and one whose etching rate is lower than that of the base substrate is used in the second etching process.
そして、反射防止膜として、第１のエッチング工程ではフォトレジストよりもエッチングレートが高く、第２のエッチング工程では下地基板よりもエッチングレートが低いものを用いる。 - 特許庁 - ETCHING MASK AND METHOD OF FORMING FINE PATTERN
エッチングマスク及び微細パターンの形成方法 - 特許庁 - CRYSTAL WAFER HOLDING FIXTURE USED DURING WET ETCHING
ウェットエッチングに用いる水晶ウェハの保持ジグ - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR ETCHING SILICON-CONTAINING FILM
シリコン含有膜のエッチング方法および装置 - 特許庁 - ETCHING REMOVAL METHOD AND DEVICE OF UNNECESSARY LAYER
不要層のエッチング除去方法及び装置 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR ETCHING GLASS SUBSTRATE
ガラス基板のエッチング方法及びエッチング装置 - 特許庁 - To provide a semiconductor wafer etching apparatus which can improve an etching rate better than that of a prior art, can perform every etching process by a wet etching method with higher accuracy and can further include a chemical solution collecting system.
従来よりもエッチング速度を向上させ、全てのエッチングをウェットエッチングで高精度に行ない、さらに薬液の回収システムを含めた半導体ウェハエッチング装置を得る。 - 特許庁 - Further, in a ridge forming process, the second p-type clad layer 6 is removed partially by a first etching process through dry etching and a second etching process through wet etching.
また、リッジ形成工程において、第２のｐ型クラッド層６を、ドライエッチングによる第１のエッチング工程と、ウェットエッチングによる第２のエッチング工程とにより、部分的に除去する。 - 特許庁 - A plurality of etching holes are arranged at a position where a etching front of the sacrifice layer with the adjacent etching hole as a center does not cross in the region in which the vibrating membrane exists in the etching process.
複数のエッチング孔は、エッチング工程で、隣接するエッチング孔を中心とする犠牲層のエッチングの前線が振動膜の存在する領域で交わることが無い位置に配置される。 - 特許庁 - METHOD FOR ETCHING ORGANIC INTERLAYER INSULATING FILM
有機層間絶縁膜のエッチング処理方法 - 特許庁 - PLASMA-ETCHING DEVICE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
プラズマエッチング装置および液晶表示装置 - 特許庁 - ETCHING LIQUID AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON WAFER
エッチング液およびシリコンウェーハの製造方法 - 特許庁 - An etching surface is vertical to a substrate.
エッチング面は基板に対して垂直である。 - 特許庁 - DRY ETCHING DEVICE AND NEUTRALIZATION METHOD OF SUBSTRATE
ドライエッチング装置および基板の除電方法 - 特許庁 - The polishing liquid contains water and an etching agent.
研磨液は、水とエッチング剤とを含有する。 - 特許庁 - PLASMA ETCHING METHOD AND COMPUTER RECORDING MEDIUM
プラズマエッチング方法及びコンピュータ記録媒体 - 特許庁
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