「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 21 22 23 24 25 26 27 28 29 .... 399 400 次へ＞- Radicals and ions of the etching material are generated by chemically activating the etching material included in the etching gas layer by applying light to the etching gas layer.
エッチングガス層に光を照射し当該エッチングガス層に含まれるエッチング材料を化学的に活性化させることで、エッチング材料のラジカルやイオンが発生する。 - 特許庁 - ETCHING METHOD AND METHOD FOR FORMING CAPACITOR
エッチング方法及びキャパシタ形成方法 - 特許庁 - SYSTEM AND METHOD FOR PLASMA ETCHING
プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法 - 特許庁 - SYSTEM AND METHOD FOR PLASMA ETCHING
プラズマエッチング装置、及びプラズマエッチング方法 - 特許庁 - METHOD FOR COLLECTING GOLD FROM ETCHING WASTE
エッチング廃液からの金の回収方法 - 特許庁 - To increase HF concentration of reactant gas, and to improve etching rate in plasma etching.
プラズマエッチングにおいて反応ガスのＨＦ濃度を高め、エッチングレートを向上させる。 - 特許庁 - To provide a plasma etching method and a plasma etching apparatus of high speed/high yield.
高速・高収率のプラズマエッチング方法、およびプラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - ETCHING SOLUTION FOR REMOVING MOLYBDENUM RESIDUE FROM COPPER MOLYBDENUM FILM, AND ETCHING METHOD THEREFORE
銅モリブデン膜で、モリブデンの残渣を除去するエッチング溶液及びそのエッチング方法 - 特許庁 - ETCHING LIQUID, SELECTIVE ETCHING METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING WIRING BOARD USING THE SAME
エッチング液、選択的エッチング方法及びこれを用いた配線板の製造方法 - 特許庁 - ETCHING METHOD, PATTERN FORMATION METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR, AND ETCHING SOLUTION
エッチング方法、パターン形成方法、薄膜トランジスタの製造方法及びエッチング液 - 特許庁 - METHOD FOR COMPOSITE WET ETCHING OF LAMINATED FILM AND WET ETCHING APPARATUS THEREFOR
積層膜の複合ウェットエッチング方法及び該方法に用いられるウェットエッチング装置 - 特許庁 - To provide a liquid phase etching apparatus fast in etching processing speed and capable of fine patterning.
加工速度が速く微細加工の可能な液相エッチング装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a chemical etching method for alumina ceramics by which etching can effectively be performed.
エッチングを効果的になし得るアルミナセラミックスのケミカルエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To easily form a recessed part shallower than that by ordinary etching according to isotropic etching.
通常のエッチングよりも浅い凹部を等方性エッチングにより容易に形成する。 - 特許庁 - To provide a plasma etching device for precisely detecting an etching state of a wafer.
ウェハのエッチング状態を精度よく検出できるプラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - This holder 14 is immersed into an etching solution in a treatment tank, and etching treatment is performed.
この治具１４を処理槽内のエッチング液に浸漬してエッチング処理を行う。 - 特許庁 - To perform etching to a film of a high dielectric constant, inhibiting the etching of a lower layer film or substrate.
下層膜や基板のエッチングを抑えて、高誘電率膜のエッチングを行う。 - 特許庁 - The substrate etching apparatus includes an etching tank, an air bubble injector, and a gas supply unit.
基板エッチング装置は、エッチング容器、気泡噴射器及びガス供給器を含む。 - 特許庁 - PLASMA ETCHING ELECTRODE HAVING IMPROVED HEAT RESISTANCE AND DRY ETCHING SYSTEM EQUIPPED WITH IT
耐熱性に優れたプラズマエッチング電極及びそれを装着したドライエッチング装置 - 特許庁 - PLASMA ETCHING APPARATUS, PLASMA ETCHING METHOD AND COMPUTER-READABLE STORAGE MEDIUM
プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 - 特許庁 - Subsequently, anisotropic etching is performed and etching is stopped when the oxide film layer 2 is reached.
次に、異方性エッチングを行い、酸化膜層２に達するとエッチングが停止する。 - 特許庁 - To perform excellent etching treatment by suppressing the excessive dissociation of etching gas.
エッングガスの過剰な解離を抑制することで良好なエッチング処理を実現する。 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD FOR STRUCTURE BY ANISOTROPIC ETCHING AND SILICON SUBSTRATE WITH ETCHING MASK
異方性エッチングによる構造体の作製方法、及びエッチングマスク付きシリコン基板 - 特許庁 - SELECTIVE ETCHING METHOD FOR COPPER FILM OR COPPER-BASE FILM, AND SELECTIVE ETCHING APPARATUS
銅膜又は銅系膜に対する選択的エッチング方法と、選択的エッチング装置。 - 特許庁 - PLASMA ETCHING PROCESSING APPARATUS, PLASMA ETCHING PROCESSING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
プラズマエッチング処理装置、プラズマエッチング処理方法、および半導体素子製造方法 - 特許庁 - Therefore, abnormality can be detected in an etching device even in etching in a plurality of steps.
よって、複数ステップのエッチングでもエッチング装置の異常検出が可能となる。 - 特許庁 - The method for manufacturing the array substrate comprises the step of patterning the three-layer metal film 5 at stages of just etching by wet etching using a mixed acid (first etching).
まず、混酸を用いるウェットエッチングによりジャストエッチングの段階まで三層金属膜５をパターニングする（第１のエッチング）。 - 特許庁 - To provide a wet etching method of high controllability which takes in-plane distribution of etching characteristics and composition change of etching liquid into account.
エッチング特性の面内分布やエッチング液の組成変化を考慮した、制御性の高いウエットエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a substrate etching apparatus and a substrate etching method using the same capable of applying uniform etching to a glass substrate.
ガラス基板のエッチングを均一にすることができる基板エッチング装置及びそれを用いた基板エッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a dry etching method and a dry etching apparatus that can achieve an excellent etching characteristic with reducing the cost of facilities.
設備コストを低減しつつ、良好なエッチング特性を得ることができるドライエッチング方法およびドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - The wet-etching method which etches an object using an etching liquid irradiates a laser beam to the object in etching.
エッチング液を使用して対象物をエッチングするウエットエッチング方法において、エッチング中に対象物にレーザ光を照射する。 - 特許庁 - To provide an etching method and an etching device capable of uniform etching with high degree of accuracy over a long period of time.
長期にわたり、高い精度で均一なエッチングができるエッチング方法およびエッチング装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide an etching device and an etching method, wherein etching efficiency is high, and alkali permanganic acid etchant is used.
エッチング効率の高いアルカリ過マンガン酸エッチング液を用いたエッチング処理装置及びエッチング処理方法を提供することにある。 - 特許庁 - Thus, degradation of the etching speed by the stagnation of the etching solution is suppressed, and the uniform etching is achieved to the work 3.
したがって、エッチング液の淀みによるエッチング速度の低下を抑え、被加工物３に対して均一なエッチングが行える。 - 特許庁 - To provide an etching processing apparatus and an etching processing method for fine-adjusting the etching process conditions so as to attain a desired finished dimension while suppressing variations in the pattern finish dimensions.
エッチング処理条件を微調整して、パターン完成寸法のばらつきを押さえつつ所望の完成寸法を得る。 - 特許庁 - To provide an etching method which can prevent a change in etching characteristics due to a memory effect while maintaining the merits of all-in-one etching.
オール・イン・ワンエッチングの利点を維持しつつ、メモリーエフェクトによるエッチング特性の変動を回避できるエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - An etching pot 22 that holds a semiconductor wafer 1 and constitutes an etching chamber 34 in the inside thereof is provided on an etching base 23.
半導体ウエハ１を保持し内部にエッチング処理室３４を構成するエッチングポット２２を、エッチングベース２３上に設ける。 - 特許庁 - To provide a dry etching method which is capable of realizing anisotropic etching in an etching operation where oxygen active species are mainly used.
酸素活性種を主体とするエッチングにおいてエッチング異方性を得ることができるドライエッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide an etching method which can properly determine the end point in etching a substrate and to provide an etching system.
基材に対するエッチング処理の終点の見極めを適正に行うことができるエッチング方法、及びエッチングシステムを提供する。 - 特許庁 - To provide an etching apparatus and an etching method capable of obtaining excellent in-plane uniformity while improving an etching rate.
エッチング速度の向上を図りつつ、良好な面内均一性を得ることができるエッチング装置及びエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - Then, etching is conducted for the substrate 1 by dry etching of a chemical etching mode by chlorine-based gas using the nickel layers 4 as protective layers (e).
続いて、ニッケル層４を保護層として、塩素系ガスによる化学エッチンブモードのドライエッチングにより、基板１をエッチングする（ｅ）。 - 特許庁 - Further, the target shape is formed by anisotropically etching the monocrystal silicon substrate having the basic etching masks and the correction etching masks.
更に、基本エッチングマスクと補正エッチングマスクを有する単結晶シリコン基板を異方性エッチングし目標形状を形成する。 - 特許庁 - This method for etching is characterized by irradiating UV light on the etching of a resin film before or during the etching.
樹脂膜のエッチングにおいて、エッチング前および／またはエッチング中に紫外線を照射することを特徴とするエッチング方法。 - 特許庁 - To provide an etching stopper material and an etching mask material which makes a high selectivity etching to a silicon compound material possible to be performed.
シリコン化合物材料に対し、高選択比エッチングが可能なエッチングストッパー材料やエッチングマスク材料などを提供する。 - 特許庁 - Etching adjusting ions are added to an etching solution formed of a potassium hydroxide aqueous solution to form a single crystal silicon etching solution.
水酸化カリウム水溶液からなるエッチング液に、エッチング調整イオンが添加されてなる単結晶シリコン用エッチング液である。 - 特許庁 - To provide an etching treatment device capable of treating a sample having different etching areas under optimum etching conditions.
エッチング面積の異なる試料に対して、最適なエッチング条件で処理を施すことのできるエッチング処理装置を提供する。 - 特許庁 - Since the silicon nitride film 60 functions as an etching stop layer against etching, the semiconductor devices 10 and 20 are protected from etching.
このエッチングに対してシリコン窒化膜60がエッチング停止層として機能するので、半導体デバイス10、20はエッチングから保護されている。 - 特許庁 - To provide a semiconductor material surface processing method by which good etching can be performed to a semiconductor material surface to which no desired etching treatment can be performed by a conventional etching method, and to provide a semiconductor material to which good etching can be performed even by using the conventional etching method.
従来のエッチング方法では所望のエッチング処理を施せなかった半導体材料の表面に良好なエッチングを施すことを可能とする半導体材料表面加工方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma etching method for etching an organic-based material film as an inorganic-based material film with a mask at a high etching rate, and at the same time for etching the inorganic-based material film by a high etching selection ratio.
無機系材料膜をマスクとして有機系材料膜をエッチングする際に、高エッチングレートで、かつ無機系材料膜に対して高エッチング選択比でエッチングすることができるプラズマエッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - To prevent etching of an etching object film by residual etching gas when exhaust efficiency of the residual etching gas by an etching step can be enhance to a large extent and next an ashing step to be continuously executed is executed.
エッチングステップによる残留したエッチングガスの排気効率を大幅に高めることができ，次に連続して実行されるアッシングステップを実行したときに，残留したエッチングガスによる被エッチング膜のエッチングを防止する。 - 特許庁
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