「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 20 21 22 23 24 25 26 27 28 .... 399 400 次へ＞- To provide an etching method for etching an oxide film in a substrate placed on a substrate holder in an etching chamber, wherein improvement in the etching rate and distribution of the oxide film is made possible.
エッチングチャンバー内の基板ホルダ上に載置された基板の酸化膜を蝕刻するエッチング方法において、酸化膜のエッチングレートや分布の改善を可能にする。 - 特許庁 - To provide an etching device, an etching method and a method for manufacturing semiconductor device capable of accurately etching a BARC without leaving an etching residue generated by reaction with a bose layer film.
下地膜と反応したエッチング残渣が残ることなく、ＢＡＲＣを精度良くエッチングできるエッチング装置、エッチング方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a dry etching method and a dry etching system without destroying a membrane and lowering etching characteristics at the time of the dry etching of membranes, such as an EB mask.
ＥＢマスクなどのメンブレンのドライエッチングの際に、メンブレンを破壊することなく、且つエッチング特性を低下することないドライエッチング方法及びドライエッチング装置を提供すること。 - 特許庁 - METHOD FOR DRY-ETCHING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
透明導電性膜のドライエッチング方法 - 特許庁 - ETCHING SOLUTION COMPOSITION FOR METAL LAMINATE FILM
金属積層膜用エッチング液組成物 - 特許庁 - METHOD OF ETCHING PROCESSING OF TUNNEL JUNCTION ELEMENT
トンネル接合素子のエッチング加工方法 - 特許庁 - CERAMIC PRODUCT, AND METHOD FOR ETCHING THE SAME
セラミックス製品及びそのエッチング方法 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR SILICON ETCHING
シリコンエッチング方法およびシリコンエッチング装置 - 特許庁 - METHOD OF PROCESSING IN ETCHING DIELECTRIC LAYER
誘電体層をエッチングする処理方法 - 特許庁 - DRY ETCHING PROCESSING APPARATUS AND PROCESSING METHOD
ドライエッチング処理装置および処理方法 - 特許庁 - GATE ETCHING METHOD FOR HIGH VOLTAGE FET
高電圧ＦＥＴ用ゲートエッチング方法 - 特許庁 - METHOD FOR QUARTZ PHOTOMASK WITH PLASMA ETCHING
石英フォトマスクプラズマエッチングのための方法 - 特許庁 - To perform etching of a desired amount of etching with superior reproducibility by monitoring the amount of etching, while performing the etching processing of a SiC substrate.
ＳｉＣ基板のエッチング処理を行いながら、そのエッチング量をモニタリングすることにより、所望のエッチング量で再現性よくエッチングを行うことを目的とする。 - 特許庁 - IRIDIUM ETCHING FOR USE IN FeRAM
ＦｅＲＡＭ用途のためのイリジウムエッチング - 特許庁 - To provide a method for etching silicon nitride capable of selectively etching silicon nitride without etching silicon oxide, and moreover capable of stably etching for a long period.
窒化ケイ素のエッチングにおいて、酸化ケイ素をエッチングすることなく、選択的に窒化ケイ素をエッチングすることができ、しかも、長期間、安定的にエッチングする方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an efficient regeneration of an etching solution, in an etching step that uses an alkaline permanganate etching solution, in order to inhibit the etching efficiency from deteriorating and to reduce a harmful waste solution.
アルカリ過マンガン酸エッチング溶液を用いたエッチングにおいてエッチング効率の低下を防止し、有害廃液を減らすために、効率良くエッチング溶液の再生を行う。 - 特許庁 - METHOD OF ETCHING SUBSTRATE AND EQUIPMENT THEREOF
基板をエッチングするための方法と装置 - 特許庁 - CHAMBER CLEANING METHOD IN PLASMA ETCHING
プラズマエッチングにおけるチャンバークリーニング方法 - 特許庁 - The grooves are made by etching in the optical bench.
溝は、光学ベンチ内にエッチングされる。 - 特許庁 - METHOD TO FORM DOUBLE ETCHING STRUCTURE
二重食刻構造を形成する方法 - 特許庁 - ETCHING DEVICE AND METHOD
エッチング処理装置及びエッチング処理方法 - 特許庁 - WET ETCHING SYSTEM AND METHOD THEREFOR
ウエットエッチング装置およびウエットエッチング方法 - 特許庁 - PRE-TREATING METHOD FOR ETCHING SEMICONDUCTOR WAFER
半導体ウェーハエッチングの前処理方法 - 特許庁 - ETCHING AGENT COMPOSITION FOR TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
透明導電膜用エッチング剤組成物 - 特許庁 - ETCHING COMPOSITION FOR ALUMINUM-CONTAINING MATERIAL
アルミニウム含有材料用エッチング組成物 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD FOR TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
透明導電性膜のドライエッチング方法 - 特許庁 - A circulation line 30 where, from an etching tank 10 in which the member to be treated is dipped into an etching liquid and is subjected to etching treatment, the etching liquid is discharged and is circulated is formed.
被処理部材をエッチング液に浸漬させてエッチング処理を行うエッチング槽１０からエッチング液を取り出して循環させる循環ライン３０を形成する。 - 特許庁 - ETCHING METHOD AND PROCESS FOR FABRICATING DEVICE
エッチング方法及びデバイスの製造方法 - 特許庁 - Subsequent etching is used to remove stringers.
次にエッチングを用いてストリンガを取除く。 - 特許庁 - METHOD FOR FORMATION OF RESIST MASK FOR DRY ETCHING
ドライエッチング用レジストマスクの形成方法 - 特許庁 - MASK FOR ETCHING AND METHOD OF FORMING SAME
エッチング用マスク及びその形成方法 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR PLASMA ETCHING
プラズマエッチング処理方法およびその装置 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR JUDGING ETCHING STATE
エッチング状態判定方法及び装置 - 特許庁 - When the glass base board is subjected to etching under an etching environment in which a 10 mass% concentration of hydrogen fluoride exists and the temperature is 22°C, its etching characteristics give an etching rate of at least 3.7 μm/min.
前記ガラス基板は、濃度１０質量％のフッ化水素を含む２２℃のエッチング環境で、３．７μｍ／分以上のエッチングレートのエッチング特性を有する。 - 特許庁 - The silicon nitride film 3 and the oxide film 2 are subjected to open-etching and over-etching under the same etching condition, and the over-etching step is carried out under a condition with a high selective ratio to silicon.
シリコンチッカ膜３、酸化膜２は同一エッチング条件にて開口エッチングとオーバーエッチングを行い、オーバーエッチングは、対シリコンと高選択比となるエッチング条件で行う。 - 特許庁 - PLASMA ETCHING DEVICE AND METHOD
プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法 - 特許庁 - Half-etching by dry etching is performed after performing full etching by wet etching to first and second surfaces 12, 14 mutually turning to the opposite side of a piezoelectric body 10.
圧電体１０の相互に反対を向く第１及び第２の面１２，１４に対して、ウェットエッチングによるフルエッチングを行った後に、ドライエッチングによるハーフエッチングを行う。 - 特許庁 - Then wet-etching is performed.
引き続き、湿式食刻を更に実施する。 - 特許庁 - To improve the smoothness of an etching surface by employing the water solution of KOH as etching solution upon effecting etching treatment, by immersing a semiconductor substrate into the etching solution.
半導体基板をエッチング液中に浸すことによりエッチング処理を行なうにあたって、エッチング液としてＫＯＨ水溶液を用いてエッチング面の平滑性を向上させる。 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND ETCHING METHOD THEREOF
半導体基板およびそのエッチング方法 - 特許庁 - SYSTEMS AND METHODS FOR ETCHING SILICON NITRIDE
窒化シリコンをエッチングするシステム及び方法 - 特許庁 - In a series of dry etching, the resist mask RM1 is used as a common etching mask in the etching of each layer, and a common etching device is used for execution.
この一連のドライエッチングに際しては、各層のエッチングにおいてレジストマスクＲＭ１を共通のエッチングマスクとして使用し、共通のエッチング装置を用いて実行する。 - 特許庁 - PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA PROCESSING APPARATUS
プラズマエッチング方法及びプラズマ処理装置 - 特許庁 - PLASMA ETCHING METHOD AND EQUIPMENT OF PHOTOMASK
フォトマスクのプラズマエッチング方法及び装置 - 特許庁 - HAFNIUM OXIDE ETCHANT AND ETCHING METHOD
酸化ハフニウムエッチング剤及びエッチング方法 - 特許庁 - ETCHING TREATING AGENT FOR COPPER AND COPPER ALLOY
銅および銅合金のエッチング処理剤 - 特許庁 - To detect invasion of an etching solution from a crack in a semiconductor wafer into a chuck of a spin etching apparatus (wet etching apparatus) and automatically stop operation of the spin etching apparatus.
半導体ウェハーのクラックからスピンエッチング装置（ウェットエッチング装置）のチャックへエッチング液が滲入したことを検知し、スピンエッチング装置の稼動を自動的に停止する。 - 特許庁 - PRECISE ETCHING OF WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR
精密なワイドバンドギャップ半導体のエッチング - 特許庁 - An etching roller 10 provided within the etching unit 6 is supplied with an etching liquid optimal for an insulating film or a metal film to be etched for each etching unit 6.
このエッチングユニット６内に設けられたエッチングローラー１０には、各エッチングユニット６ごとにエッチングしようとする絶縁膜やメタル膜に最適のエッチング液が供給される。 - 特許庁 - To provide a plasma etching method capable of preventing excessive etching at the outer-periphery of a wafer and capable of performing uniform etching, when performing the plasma etching of the semiconductor wafer.
半導体ウエーハをプラズマエッチングする際、ウエーハの外周部において過剰なエッチングを防ぐとともに、均一にエッチングすることができるプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁
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