ETCHING METHOD AND APPARATUS FOR WAFER EDGE ウエーハエッジのエッチング方法及び装置。 - 特許庁
Subsequently the substrate 1 is removed by etching. 次に、基板1をエッチングで除去する。 - 特許庁
To provide a dry etching device, a dry etching method and a plasma controller such that etching processing can be performed in an optimum plasma state wherein etching damage to an etching mask as well as a material to be etched is taken into consideration. 被エッチング材料に加えてエッチングマスクのエッチングダメージを考慮した最適なプラズマ状態でエッチング処理ができるドライエッチング装置、ドライエッチング方法およびプラズマ制御装置を提供する。 - 特許庁
For instance, a method, by which the type of the etching gas conforming to the dry-etching conditions is selected, is employed as a method for having the dry-etching rate of the plug 10 and the dry-etching rate of the etching stopper film 11 approximately equal to each other. 前記プラグ10とエッチストッパ膜11とのドライエッチングレートをほぼ同一にする手法として、たとえばドライエッチングの条件に適合するエッチングガスの種類を選択する手法を用いる。 - 特許庁
To provide an etching solution which is free from the time change of turbidity, has excellent storage stability, has no etching fatigue in etching, and has excellent etching precision and just etch time properties compared with the conventional chromium etching solution. 従来のクロムエッチング液よりも、液濁りの経時変化がなく、保存安定性に優れ、かつ、エッチング時に、エッチング疲労がなく、エッチング精度およびジャストエッチタイム性が優れたエッチング液の提供。 - 特許庁
This method of detecting etching end point includes a step of etching a prescribed portion of a semiconductor wafer 5, by dipping the wafer 5 in an etchant 18 put in an etching system 1 and a step of stopping the etching by deciding the end point of the etching, according to the amount of emission of an etching gas 26 generated during etching the wafer 5. エッチング装置1内のエッチング液18に半導体ウエハ5を浸漬し、当該ウエハ5の所定の部位をエッチングする工程と、半導体ウエハ5のエッチング時に発生するエッチングガス26の発生量に応じて、エッチングの終点を決定しエッチングを停止させる工程を備える。 - 特許庁
To provide an etching solution for a silver-based thin film which has does not field an etching residue (in particular gold residue), and has an excellent etching precision and an excellent etching rate compared with the conventional etching solution for a silver-based thin film. 従来の銀系薄膜用エッチング液よりも、エッチング残渣が発生せず(とくに金残渣が発生しない)、エッチング精度およびエッチング速度が優れた銀系薄膜用エッチング液を提供すること。 - 特許庁
ALUMINUM FOIL WITH UNIFORM ETCHING PROPERTIES 均質エッチング性を有するアルミニウム箔 - 特許庁
METHOD FOR GRAIN BOUNDARY ETCHING OF METAL SURFACE 金属表面の粒界腐食方法 - 特許庁
ETCHING DEVICE, ETCHING METHOD, AND PLATE MEMBER AND TRAY USED FOR IT エッチング装置、エッチング方法、それに用いるプレート部材、およびそれに用いるトレイ - 特許庁
MANUFACTURING METHOD USING DRY ETCHING SYSTEM ドライエッチング装置を用いる製造方法 - 特許庁
METHOD OF ETCHING PERIPHERY OF WAFER SURFACE ウェハ表面周辺部のエッチング方法 - 特許庁
ETCHING APPARATUS AND METHOD OF SUBSTRATE 基板のエッチング装置及びエッチング方法 - 特許庁
Next a part of etching for an upper part of the film 2 to be made etching is made. 次にレジストマスク3を用いて、被エッチング膜2の上部を一部エッチングする。 - 特許庁
To provide an etching method suitable for etching an antireflective film using a resist film as a mask, and to provide an etching treatment device. レジスト膜をマスクとした反射防止膜のエッチングに適したエッチング方法及びエッチング処理装置を提供する。 - 特許庁
In the step (G), the etching resist is removed. (G)エッチングレジストを除去する工程。 - 特許庁
The etching may be direct aqueous solution etching of a silicon carbide substrate. このエッチングは、炭化ケイ素基板の直接水溶液エッチングとすることができる。 - 特許庁
The Cu etching step is performed using an etching liquid in which Ag is not dissolved. Cuエッチング工程は、Agを溶解しないエッチング液を用いて実施する。 - 特許庁
DRY CLEANING METHOD AFTER METAL ETCHING 金属エッチング後の乾式クリ—ニング方法 - 特許庁
To achieve perfect etching even in a gap in pattern formation by wet etching. ウェットエッチング処理によるパターン形成において、隙間のエッチング残りをなくす。 - 特許庁
CAPACITY RECOVERING AND MAINTAINING DEVICE FOR ETCHING SOLUTION エッチング液の能力回復維持装置 - 特許庁
DRY ETCHING METHOD AND DEVICE ドライエッチング方法およびドライエッチング装置 - 特許庁
CHAMBER CLEANING METHOD OF DRY ETCHING DEVICE ドライエッチング装置のチャンバークリーニング方法 - 特許庁
ALKALI ETCHANT AND ALKALI ETCHING METHOD アルカリエッチング液及びアルカリエッチング方法 - 特許庁
ETCHING SOLUTION FOR NICKEL OR NICKEL ALLOY ニッケルまたはニッケル合金のエッチング液 - 特許庁
To provide a plasma etching process capable of effectively etching aluminum-neodymium alloy. アルミニウム−ネオジム合金を効果的にエッチングするプラズマエッチングプロセスを提供する。 - 特許庁
MULTIPLE MASK PROCESS USING ETCHING MASK STACK エッチングマスクスタックを用いたマルチマスクプロセス - 特許庁
To provide a resist ink for wet etching having good etching resistance even if an etching process is carried out under severe working conditions. より過酷なエッチング条件でエッチング加工してもエッチング耐性が良好なウェットエッチング用レジストインクを提供する。 - 特許庁
ALUMINUM ETCHING FOIL AND ITS PRODUCING METHOD アルミニウムエッチング箔とその製造方法 - 特許庁
PLASMA ETCHING METHOD, PLASMA ETCHING SYSTEM, MOLDING DIE FOR OPTICAL ELEMENT, AND OPTICAL ELEMENT プラズマエッチング法、プラズマエッチング装置、光学素子用成形金型及び光学素子 - 特許庁