「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 14 15 16 17 18 19 20 21 22 .... 399 400 次へ＞- An etching stopper film 11 and an insulating film 12 are processed through dry-etching technology, so as to have the dry-etching rate of a plug 10 and the dry-etching rate of the etching stopper film 11 which is approximately equal to each other.
エッチストッパ膜１１および絶縁膜１２を、プラグ１０と前記エッチストッパ膜１１とのドライエッチングレートがほぼ同一になるようにドライエッチング技術を用いて加工する。 - 特許庁 - The etching device is a glass etching device equipped with a supporting member supporting the glass plate, a nozzle 8 spraying the etching liquid on the glass surface and an etching liquid storing tank storing the etching liquid.
エッチング装置は、ガラス板を支持する支持具と、ガラス表面にエッチング液を噴射するノズル８と、該エッチング液を貯留するエッチング液貯留槽とを備えたガラスエッチング装置である。 - 特許庁 - The etching process (1A) is composed of a first etching stage in which the solution temperature of an etching solution is controlled to 60°C or more and a second etching stage in which the solution temperature of an etching solution is controlled to 25°C or less.
エッチング工程（１Ａ）がエッチング液の液温が６０℃以上の第一エッチング工程と、エッチング液の液温が２５℃以下の第二エッチング工程とで構成されていること。 - 特許庁 - To provide an etching method of improving wetness between a substrate and an etching liquid without irregularity and carrying out an etching treatment to suppress the irregularity of an extent of etching, thus to carry out a precise etching treatment.
基板とエッチング液との濡れ性をばらつき無く改善し、エッチング処理を施すことで、エッチングする量のばらつきの発生を抑制し、精度良いエッチング処理を施す。 - 特許庁 - This processing method forms holes by recording an etching pattern (an area removed by etching) in a substrate, forming a prior machine hole inside the etching pattern, and executing the isotropic etching according to the etching pattern.
基板にエッチングパターン（エッチングにより除去される領域）を記録し、前記エッチングパターン内に加工先穴を形成し、前記エッチングパターンに従って等方性エッチングを行い、穴を形成する。 - 特許庁 - To provide a plasma etching method capable of preventing the occurrence of any pit and of controlling an etching shape when performing silicon etching using SF_6/O_2/SiF_4 as etching gas and of also controlling the etching shape.
エッチングガスとしてＳＦ_６／Ｏ_２／ＳｉＦ_４を用いてシリコンエッチングを行なう際に、ピットの発生を防止するとともに、エッチング形状の制御も可能なプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an etching solution which is improved in etching performance of a poor liquid contact portion by controlling an etching rate of the etching solution and is reduced in the difference in the etching rate due to a difference in the liquid contact.
エッチング液のエッチング速度をコントロールし、液あたりの悪い部分のエッチング性を向上させ、液あたりの差によるエッチング速度差の少ないエッチング液を提供する。 - 特許庁 - METHOD OF HYDROPHILICIDIZING ETCHING SURFACE
エッチング表面の親水性化方法 - 特許庁 - PLASMA ETCHING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
半導体装置のプラズマッチング方法 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD OF ZINC OXIDE FILM
酸化亜鉛膜のドライエッチング方法 - 特許庁 - METHOD FOR ETCHING PHOTOLITHOGRAPHIC RETICLE
フォトリソグラフィレチクルをエッチングする方法 - 特許庁 - ETCHING MASK AND ITS FORMING METHOD
エッチングマスクおよびその形成方法 - 特許庁 - The liquid is an etching solution.
前記液体はエッチング溶液である。 - 特許庁 - METHOD FOR ETCHING SILICON CARBIDE SUBSTRATE
炭化けい素基板のエッチング方法 - 特許庁 - SOFT ETCHING AGENT FOR COPPER CLAD LAMINATE
銅張積層板用ソフトエッチング剤 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD OF SILICON OXIDE FILM
シリコン酸化膜のドライエッチング方法 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR DEVICE AND ETCHING METHOD
半導体装置およびエッチング方法 - 特許庁 - ETCHING AGENT FOR IRON-NICKEL ALLOY
鉄−ニッケル系合金用エッチング剤 - 特許庁 - ETCHING POSITION DETECTOR FOR METAL STRIP
金属帯のエッジ位置検出装置 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR MONITORING PLASMA ETCHING
プラズマエッチングモニター方法及び装置 - 特許庁 - METHOD FOR EXTENDING LIFE OF ETCHING SOLUTION
エッチング液の長寿命化方法 - 特許庁 - METHOD FOR ETCHING ALUMINUM-BASED MATERIAL
アルミニウム系材料のエッチング方法 - 特許庁 - SPIN ETCHING METHOD FOR SEMICONDUCTOR WAFER
半導体ウエーハのスピンエッチング方法 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
半導体装置のドライエッチング方法 - 特許庁 - To obtain end point of optimum etching.
最適なエッチングのエンドポイントを得る。 - 特許庁 - ETCHING SOLUTION FOR COPPER OR COPPER ALLOY
銅または銅合金用エッチング液 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD FOR MULTILAYER RESIST FILM
多層レジスト膜のドライエッチング方法 - 特許庁 - COMPOSITION OF ETCHING LIQUID FOR CONDUCTOR FILM
導電膜用エッチング液組成物 - 特許庁 - ETCHING TREATING DEVICE AND METHOD THEREFOR
エッチング処理装置及びその方法 - 特許庁 - ETCHING DEVICE AND TREATMENT METHOD
エッチング処理装置及び処理方法 - 特許庁 - COMPOSITION FOR FORMING ETCHING STOPPER LAYER
エッチングストッパー層形成用組成物 - 特許庁 - SPIN ETCHING APPARATUS FOR RECTANGULAR SUBSTRATE
長方形基板のスピンエッチング装置 - 特許庁 - To improve a silicon etching rate.
シリコンのエッチングレートを向上させる。 - 特許庁 - SELF-ETCHING PRIMER TREATMENT AGENT FOR DENTAL USE
歯科用セルフエッチングプライマー処理剤 - 特許庁 - To prevent a deposit of an etching material formed in etching from adhering to a mask, and to improve an etching shape.
エッチング材のエッチング時に発生するデポ物がマスクに付着するのを防止して、エッチング形状の改良を図る。 - 特許庁 - To provide an anisotropic etching solution having an anisotropic etching selection ratio which is stable for a long period, and an etching method using the same.
長期に安定な異方性エッチング選択比を有するエッチング液およびエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide: an etching device capable of satisfactory processing an object into any shape; an etching method; and an etching program.
良好に任意の形状に加工することが可能なエッチング装置、エッチング方法及びプログラムを提供する。 - 特許庁 - To provide an etching composition that can reduce a crystal anisotropic etching time of a silicon substrate and an etching method.
シリコン基板の結晶異方性エッチング時間の短縮出来るエチング組成物、及びエチング方法を提供する。 - 特許庁 - An etching controller 21 stops etching when the measured etching depth value reaches a specified value.
このエッチング深さの測定値が所定のエッチング深さとなるとエッチング制御装置２１によりエッチングが停止される。 - 特許庁 - Next the resist mask 3 is eliminated and an etching mask 4 is formed on the film 2 to be made etching for which partial etching is made.
次にレジストマスク３を除去し、一部エッチングされた被エッチング膜２上にエッチングマスク４を形成する。 - 特許庁 - To provide a method of determining an etching finish time when a desired etching amount is obtained, based on an etching speed.
エッチング速度に基づいて所望のエッチング量が得られるエッチング終了時期の判別方法の提供。 - 特許庁 - To provide an etching rate measuring technology capable of accurately measuring an etching rate during plasma etching operation.
プラズマエッチング処理中に、高精度にエッチングレートを測定することのできるエッチングレート測定技術を提供する。 - 特許庁 - A beam is integrally formed on the underside of the substrate by a first etching and a second etching (Si anisotropic etching).
第１のエッチングと第２のエッチング（Ｓｉ異方性エッチング）により基板下面に梁を一体物で作成する。 - 特許庁 - To produce an etching soln. increased in etching efficiency in such a manner that working quality in etching treatment is satisfactorily maintained.
エッチング処理における加工品質を良好に維持してエッチング効率を高めたエッチング液を製造する。 - 特許庁 - To provide an etching method and an etching system in which silicon dioxide is not formed again after etching.
エッチング後に二酸化ケイ素が再形成されることのないエッチング方法およびその装置の提供を目的とする。 - 特許庁 - The occurrence of etching of the first material is detected during anisotropic etching and then the anisotropic etching is stopped.
異方性エッチング中に第１の材料のエッチングが生じたことが検知され、異方性エッチングが停止される。 - 特許庁 - To provide a dry etching method which enables dry etching at lower temperatures, and to provide a dry etching system.
より低い基板温度においてドライエッチングを可能にするドライエッチング方法およびドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD USING LIGHT EMISSION, DRY ETCHING CONTROL DEVICE AND DRY ETCHING DEVICE HAVING THE CONTROL DEVICE
発光を利用したドライエッチング方法、ドライエッチング制御装置及びその制御装置を備えたドライエッチング装置 - 特許庁 - To provide a dry etching processing device and a dry etching method that form an etching groove to a uniform width.
エッチング溝の幅を一様に形成することができるドライエッチング処理装置及びドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - The etching solution for spray type wet etching contains silica fine particles, and the spray type wet etching method uses the same.
シリカ微粒子を含有するスプレー式ウェットエッチング用エッチング液およびこれを用いるスプレー式ウェットエッチング法。 - 特許庁
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