「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 12 13 14 15 16 17 18 19 20 .... 399 400 次へ＞- After etching the interlayer insulation films 2 and 3 by anisotropic etching, isotropic etching is performed.
そして、異方性エッチングによりこれら層間絶縁膜２，３をエッチングした後、等方性エッチングを施す。 - 特許庁 - ETCHING LIQUID FOR SILVER THIN FILM, AND ETCHING METHOD AND PATTERN FORMING METHOD FOR SILVER THIN FILM USING THE ETCHING LIQUID
銀薄膜用エッチング液、そのエッチング液を用いた銀薄膜のエッチング方法及びパターン形成方法 - 特許庁 - To provide a plasma etching method and a plasma etching device which can increase anisotropy of etching.
エッチングの異方性を高めることのできるプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a dry etching device which has a high etching rate and prevents ion damages on a surface after etching.
高いエッチングレートを有しエッチング後の表面のイオン損傷を防止するエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - DRY ETCHING DEVICE AND METHOD
ドライエッチング装置およびその方法 - 特許庁 - WET ETCHING COMPLETION POINT DETECTING DEVICE
ウエットエッチング終点検出装置 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING ALUMINUM ETCHING FOIL
アルミニウムエッチング箔の製造方法 - 特許庁 - TREATMENT METHOD FOR CHROMIUM ETCHING WASTE SOLUTION
クロムエッチング廃液の処理方法 - 特許庁 - COPPER ETCHING METHOD AND DEVICE THEREFOR
銅エッチング方法及びその装置 - 特許庁 - Thereafter, the Si etching is resumed.
その後、Ｓｉエッチングを再開する。 - 特許庁 - SOFT-ETCHING SOLUTION AND PLATING METHOD
ソフトエッチング液及びめっき方法 - 特許庁 - WAFER EDGE ETCHING DEVICE AND METHOD
ウェーハエッジエッチング装置及び方法 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD AND APPARATUS THEREOF
ドライエッチング方法及びその装置 - 特許庁 - DENTAL SELF-ETCHING PRIMER TREATMENT AGENT
歯科用セルフエッチングプライマー処理剤 - 特許庁 - CLEANING METHOD OF DRY ETCHING APPARATUS
ドライエッチング装置のクリーニング方法 - 特許庁 - WET ETCHING METHOD OF IZO FILM
ＩＺＯ膜のウエットエッチング方法 - 特許庁 - METHOD AND SYSTEM FOR ETCHING SUBSTRATE
基板のエッチング方法及びシステム - 特許庁 - ETCHING METHOD OF QUARTZ GLASS MEMBER
石英ガラス部材のエッチング方法 - 特許庁 - After etching the silicon substrate 2 by the base etching process, etching of the quartz substrate 1 is performed by the quartz etching process, or after etching the quartz substrate 1 by the quartz etching process, etching of the silicon substrate 2 is performed by the base etching process.
ベースエッチング工程によりシリコン基板２のエッチングを行った後、水晶エッチング工程により水晶基板１のエッチングを行ったり、或いは、水晶エッチング工程により水晶基板１のエッチングを行った後、ベースエッチング工程によりシリコン基板２のエッチングを行ったりするようにした。 - 特許庁 - METHOD OF SEASONING DRY ETCHING APPARATUS
ドライエッチング装置のシーズニング方法 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR ETCHING SILICON
シリコンのエッチング方法及び装置 - 特許庁 - GAS DISPERSING PLATE OF DRY ETCHING APPARATUS
ドライエッチング装置のガス分散板 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD OF SiC SUBSTRATE
ＳｉＣ基板のドライエッチング方法 - 特許庁 - CUPRIC CHLORIDE ETCHING LIQUID COMPOSITION
塩化第二銅エッチング液組成物 - 特許庁 - TUNGSTEN/POLYSILICON ETCHING METHOD
タングステン／ポリシリコンゲートのエッチング方法 - 特許庁 - ETCHING METHOD AND CLEANING PROCESSING METHOD
腐刻方法、清掃処理方法 - 特許庁 - METHOD FOR DRY-ETCHING MAGNETIC MATERIAL
磁性材料のドライエッチング方法 - 特許庁 - TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM ETCHING COMPOSITION
透明導電膜エッチング組成物 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF ETCHING METAL BODY
エッチング金属体の製造方法 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD AND SYSTEM
ドライエッチング方法およびその装置 - 特許庁 - CHEMICAL ETCHING METHOD FOR ALULMINA CERAMICS
アルミナセラミックスのケミカルエッチング方法 - 特許庁 - METHOD FOR TREATING COPPER-ETCHING WASTE LIQUID
銅エッチング廃液の処理方法 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD, AND APPARATUS THEREOF
ドライエッチング方法及びその装置 - 特許庁 - DETECTING METHOD OF PROGRESS OF ETCHING
エッチング加工進度検出方法 - 特許庁 - PLASMA ETCHING METHOD FOR POLYSILICON LAYER
ポリシリコン層のプラズマ・エッチング方法 - 特許庁 - ETCHING METHOD OF NITRIDE SEMICONDUCTOR
窒化物半導体のエッチング方法 - 特許庁 - METHOD OF DRY-ETCHING SILICON NITRIDE FILM
窒化珪素膜のドライエッチング方法 - 特許庁 - ATMOSPHERIC PLASMA ETCHING METHOD FOR TUNGSTEN
タングステンの常圧プラズマエッチング方法 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD OF SILICON NITRIDE FILM
窒化シリコン膜のドライエッチング方法 - 特許庁 - ETCHING OF MULTILAYER ELECTRICALLY CONDUCTIVE FILM
多層導電膜のエッチング方法 - 特許庁 - UPPER ELECTRODE PLATE FOR PLASMA ETCHING
プラズマエッチング用上部電極板 - 特許庁 - METHOD FOR ETCHING DUAL DAMASCENE STRUCTURE
デュアルダマシン構造のエッチング方法 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD AND DEVICE THEREFOR
ドライエッチング方法及びその装置 - 特許庁 - VIA ETCHING METHOD FOR ORGANIC SILICA GLASS
有機シリカガラスのビアエッチング方法 - 特許庁 - When performing etching for forming grooves of dummy patterns 12, since the etching rate of the etching-resistant film 6 is made not higher than one-tenth of the etching rate of the second insulation layer, the etching-resistant film 6 functions as an etching stopper so that the etching does not proceed to the first insulation layer 5.
ダミーパターン１２の溝の形成のためのエッチングの際は、絶縁層のエッチングの速度に対し、耐エッチング膜６のエッチングの速度が1/10以下であるため、これがエッチングストッパーとして機能し、第１の絶縁層５にまでエッチングが進むことがない。 - 特許庁 - The patterning process includes a first etching process for etching the processed film in a first etching condition and a second etching process for etching further the processed film in a second etching condition different from the first etching condition.
このパターニング工程は、第１のエッチング条件で前記被処理膜のエッチングを行なう第１エッチング工程、および、第１のエッチング条件とは異なる第２エッチング条件で前記被処理膜のエッチングを更に行なう第２エッチング工程を含む。 - 特許庁 - To provide a dry etching method for etching an etched substrate directly without forming an etching mask of resist, or the like, on the etched substrate in which the etching mask is not required to be exfoliated after dry etching, and to provide an etching mask.
被エッチング基材上にレジスト等のエッチングマスクを形成せずに直接被エッチング基材をエッチングし、且つドライエッチング後にエッチングマスクを剥離する必要のないドライエッチング方法及びエッチングマスクを提供する。 - 特許庁 - To provide an etching liquid and etching method, capable of etching silicon nitride and also capable of stably etching for long periods of time, by reducing a surface tension of a phosphoric acid etching liquid in etching silicon nitride.
窒化ケイ素のエッチングにおいて、リン酸系エッチング液の表面張力を低減して、窒化ケイ素をエッチングすることができ、しかも、長期間、安定的にエッチングすることができるエッチング液及びエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - ETCHING METHOD AND DEVICE
エッチング処理方法およびその装置 - 特許庁 - COATING TYPE ETCHING METHOD AND APPARATUS THEREFOR
塗布式エッチング方法及び装置 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
