「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 19 20 21 22 23 24 25 26 27 .... 399 400 次へ＞- To obtain an aspect ratio by wet type etching similar to that obtainable by anisotropic etching.
湿式エッチングで異方性エッチングと同様のアスペクト比を有するようにする。 - 特許庁 - ETCHING SOLUTION FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR FILM, ETCHING METHOD USING IT, AND METHOD FOR RECOVERING IODINE FROM ITS ETCHING WASTE SOLUTION
化合物半導体膜のエッチング液とそれを用いたエッチング方法、及びそのエッチング廃液のヨウ素の回収方法 - 特許庁 - METHOD FOR WET-ETCHING PYRAMIDAL STRUCTURE ON SURFACE OF SILICON AND ETCHING SOLUTION
シリコン表面のピラミッド形組織ウエットエッチングのための方法及びエッチング溶液 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR ETCHING DEVICE, AND ETCHING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE UTILIZING THE SAME
半導体エッチング装置およびこれを利用した半導体素子のエッチング方法 - 特許庁 - WIRING ETCHING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
半導体装置の配線エッチング方法 - 特許庁 - PROBE, ETCHING MASK FOR FORMING PROBE AND PROBE MANUFACTURING METHOD USING ETCHING MASK
探針、探針形成用エッチングマスク及びそれを用いた探針の製造方法 - 特許庁 - PLASMA ETCHING METHOD, PLASMA ETCHING APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD OF SOLID-STATE IMAGING ELEMENT
プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、および固体撮像素子の製造方法 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR LASER BEAM ETCHING
レーザエッチング方法及びレーザエッチング装置 - 特許庁 - To provide a plasma etching method in which a stable etching rate is obtained.
安定したエッチングレートを得ることができるプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - ETCHING TO SEMICONDUCTOR WAFER AND DEVICE
半導体ウエハのエッチング法及び装置 - 特許庁 - An etching rate can be equalized in the deposition chamber 2 by the etching radicals R.
エッチングラジカルＲによる成膜チャンバ２内でのエッチングレートを等しくできる。 - 特許庁 - ETCHING METHOD FOR COPPER-CLAD CIRCUIT BOARD WITH HYDROGEN PEROXIDE/SULFURIC ACID BASED ETCHING LIQUID
過酸化水素／硫酸系エッチング液による銅張回路基板のエッチング方法 - 特許庁 - METHOD FOR ETCHING METAL FILM WITH MASK, METHOD FOR FORMING WIRING OF SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR ETCHING METAL FILM AND ETCHING GAS
マスクを利用した金属膜エッチング方法、半導体素子の配線形成方法、金属膜エッチング方法及びエッチングガス - 特許庁 - COATING SILICON ELECTRODE PLATE FOR PLASMA ETCHING
プラズマエッチング用被覆シリコン電極板 - 特許庁 - Etching of tungsten is performed by using etching gas obtained by affixing CF-based gas to etching gas based on NF3 or SF6.
ＮＦ_３またはＳＦ_６ベースのエッチングガスに、ＣＦ系ガスを添加したエッチングガスを使用してタングステンのエッチングを行う。 - 特許庁 - The dry etching apparatus uses the cathode electrode as the cathode electrode 4 of the dry etching apparatus for executing etching step of the semiconductor device.
このカソード電極をドライエッチング装置のカソード電極４に用いて半導体装置のエッチング工程を実施する。 - 特許庁 - ETCHING METHOD OF SURFACE OF GOLF CLUB HEAD
ゴルフクラブヘッドの表面のエッチング方法 - 特許庁 - TOOL FOR PLASMA ETCHING, AND PLASMA ETCHING METHOD OF SEMICONDUCTOR WAFER USING SAME
プラズマエッチング用治具及びそれを用いた半導体ウエーハのプラズマエッチング方法 - 特許庁 - When etching the micro pipe using the resist as a masking material, etching is rinsed during process, and then etching is continued.
続いてレジストをマスキング材としてマイクロパイプをエッチングする際、エッチング途中でリンスし、再びエッチングを続ける工程をとる。 - 特許庁 - DIELECTRIC ETCHING METHOD BY HIGH SUPPLY LOW IMPACT PLASMA GIVING HIGH ETCHING RATE
高エッチング速度を与える高供給低衝撃プラズマによる誘電エッチング法 - 特許庁 - Ion beam etching is used as the dry etching method of a continuous recording layer 20.
又、連続記録層２０のドライエッチング手法としてイオンビームエッチングを用いる。 - 特許庁 - Moreover, successively to the etching process (1A), an etching solution substituting process (2B) using an etching solution of ferrous chloride is passed.
また、エッチング工程（１Ａ）に引き続き塩化第一鉄のエッチング液を用いたエッチング液置換工程（２Ｂ）を経ること。 - 特許庁 - REACTIVE ION ETCHING SYSTEM AND METHOD
反応性イオンエッチング方法及び装置 - 特許庁 - Thereafter, the surface exposed by the etching was further subjected to dry etching using Ar gas.
その後、このエッチングによる露出面を更に、Arガスを用いてドライエッチングした。 - 特許庁 - The ruthenium etching composition after etching treatment is brought into contact with activated carbon.
エッチング処理後のルテニウムのエッチング用組成物を活性炭に接触させる。 - 特許庁 - PROTRUDED SILICON ELECTRODE PLATE FOR PLASMA ETCHING
プラズマエッチング用凸型シリコン電極板 - 特許庁 - VAPOR PHASE ETCHING METHOD FOR GALLIUM NITRIDE MATERIALS
窒化ガリウム部材の気相エッチング方法 - 特許庁 - To provide a glass substrate etching apparatus.
ガラス基板エッチング装置を提供する。 - 特許庁 - DEVICE MANUFACTURING PROCESS INCLUDING DRY ETCHING
ドライエッチングを含むデバイスの製作プロセス - 特許庁 - Dry etching is executed using the resist as a mask.
レジストをマスクとしてドライエッチングする。 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR MEASURING ETCHING DEPTH
エッチング深さ測定方法および装置 - 特許庁 - ETCHING METHOD AND PLASMA TREATING METHOD
エッチング方法およびプラズマ処理方法 - 特許庁 - SYSTEM FOR ETCHING BOTH SIDES OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
半導体基板の両面エッチングシステム - 特許庁 - A second etching step employs an etching method in which an etching rate to the first film is higher than that in the first etching step, and an etching rate to "a layer provided below and in contact with the first film" is lower than that in the first etching step.
第２のエッチング工程には、第１の膜に対するエッチングレートが第１のエッチング工程よりも高く、「第１の膜の下に接して設けられている層」に対するエッチングレートが第１のエッチング工程よりも低いエッチング方法を採用する。 - 特許庁 - A second etching step employs an etching method in which the etching rate to the first film is higher than that in the first etching step and the etching rate to "the layer in contact with the bottom of the first film" is lower than that in the first etching step.
第２のエッチング工程には、第１の膜に対するエッチングレートが第１のエッチング工程よりも高く、「第１の膜の下に接して設けられている層」に対するエッチングレートが第１のエッチング工程よりも低いエッチング方法を採用する。 - 特許庁 - APPARATUS AND METHOD OF GRAZE ETCHING
グレーズエッチング装置及びグレーズエッチング方法 - 特許庁 - WAFER EDGE ETCHING WASHING TREATMENT APPARATUS
ウエ−ハ端面エッチング洗浄処理装置 - 特許庁 - DEVICE FOR ETCHING ONE-SIDE SURFACE OF SEMICONDUCTOR WAFER
半導体ウェハーの片面エッチング装置 - 特許庁 - COMPOSITION OF ETCHING LIQUID FOR TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
透明導電膜のエッチング液組成物 - 特許庁 - METHOD OF SELECTIVELY ETCHING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
半導体基板の選択的エッチング方法 - 特許庁 - PLASMA ETCHING TREATMENT METHOD AND DEVICE THEREFOR
プラズマエッチング処理方法及びその装置 - 特許庁 - PLASMA ETCHING DEVICE AND METHOD THEREFOR
プラズマエッチング装置、及びプラズマエッチング方法 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR ETCHING GLASS SUBSTRATE
ガラス基板エッチング方法及びその装置 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR ETCHING POROUS BODY
多孔質体のエッチング方法及び装置 - 特許庁 - METHOD OF DETECTING ETCHING DEPTH ON REAL TIME BASIS
エッチング深さのリアルタイム検出方法 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR WET ETCHING
ウェットエッチング装置およびウェットエッチング方法 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR WET ETCHING
ウェットエッチング方法およびウェットエッチング装置 - 特許庁 - METHOD OF ETCHING TiW UNDERBUMP LAYER
ＴｉＷアンダーバンプ層のエッチング方法 - 特許庁 - ETCHING TREATMENT APPARATUS AND HEATING METHOD THEREOF
エッチング処理装置及びその加熱方法 - 特許庁 - DRY ETCHING SYSTEM AND ITS MAINTAINING METHOD
ドライエッチング装置及びそのメンテナンス方法 - 特許庁
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