「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 22 23 24 25 26 27 28 29 30 .... 399 400 次へ＞- To provide an etchant and an etching method leaving no bubble of the etchant and no etching residues resulting from the etchant, after an etching and being capable of etching a transparent conductive film with good timing, in the etching of the transparent conductive film.
透明導電膜のエッチングにおいて、エッチング後、エッチング液の泡およびエッチング剤に由来するエッチング残渣を全く残さず、ジャストタイムでエッチングすることができるエッチング液およびエッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a dry etching method capable of etching precisely by solving the problems wherein etching reaction products are deposited and etching cannot be made precisely for the dry etching method for performing micromachining.
微細加工を行うドライエッチング方法に関し、エッチング反応生成物が堆積して精度良くエッチングできないという課題を解決し、精度良くエッチングできるドライエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide an etching method where an etching liquid is uniformly efficiently sprayed on a flexible board so as to perform etching without leaving a fatigued etching liquid, and the etching condition in the central part and the peripheral part in a tape is made uniform.
フレキシブル基板に均一に効率よくエッチング液を噴射し、疲労したエッチング液を残留させることなくエッチングをし、テープ中央部と周辺部でのエッチング状態を均一にすることを可能とする。 - 特許庁 - To provide an apparatus for etching monitoring which can carry out precise monitoring of a member to be etched as to etching rate, end point of etching, or the like without affecting the etching reaction on the member to be etched; and to provide a method for etching monitoring.
被エッチング部材へのエッチング反応に影響を与えず、被エッチング部材のエッチングレートやエッチングの終点を正確にモニタリングすることが可能な、エッチングモニタリング装置およびエッチングモニタリング方法を提供する。 - 特許庁 - In a method for etching a gallium nitride compound semiconductor by using a plasma etching device, etching gas including CF4 and SiCl4 is introduced to the plasma etching device and the controllability of the etching rate is improved.
プラズマエッチング装置を用い、窒化ガリウム系化合物半導体をエッチングする方法において、前記プラズマエッチング装置にＣＦ_4とＳｉＣｌ_4を含むエッチングガスとＯ_2ガスを導入して、エッチングレートの制御性を高める。 - 特許庁 - That is, processes from processing of the conductive film to the etching by using the semiconductor etching gas are continuously performed in the same chamber and the etching by using the semiconductor etching gas is performed before removing the etching mask.
すなわち、導電膜の加工から半導体エッチング用のガスで行うエッチングまでを同一チャンバー内で連続して行い、半導体エッチング用のガスで行うエッチングはエッチングマスクを除去する前に行う。 - 特許庁 - To reduce variations in etching due to an etching time by subjecting an accidentally formed layer to an anisotropic etching and to improve controllability for a wraparound etching by etching an optional layer by a constant amount through anisotropic etching.
偶発的に生成される層を異方性エッチングすることにより、エッチングを行う時間によるエッチングのばらつきを改善し、かつ任意の層を異方性エッチングで一定量エッチングすることにより、回り込みエッチングの制御性の向上を図ることを実現する。 - 特許庁 - DECIDING METHOD OF ETCHING TREATMENT STATE AND SYSTEM
エッチング処理状態の判定方法、システム - 特許庁 - END POINT DETECTOR FOR PLASMA ETCHING SYSTEM
プラズマエッチング装置用終点検出装置 - 特許庁 - METHOD AND JIG FOR WET ETCHING SUBSTRATE
基板の湿式エッチング方法および治具 - 特許庁 - To provide a dry etching system which can accomplish plasma etching with smaller power consumption.
より低消費電力でプラズマエッチングが達成できるドライエッチング装置を提供する - 特許庁 - END-POINT DETECTOR AND DRY ETCHING APPARATUS
終点検出装置及びドライエッチング装置 - 特許庁 - To provide a method and device for etching a substrate, wherein constant etching is provided.
均一なエッチングを行うことができる基板のエッチング方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - ETCHING RATE MEASURING APPARATUS AND METHOD
エッチングレート測定装置および測定方法 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR WINDING-UP TYPE DRY ETCHING
巻取り式ドライエッチング方法及び装置 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR DETECTING ETCHING END POINT
エッチング終点検出方法および装置 - 特許庁 - To offer an etching stock solution which can be used in common with a plurality of etching processes.
複数のエッチング工程において共通に使用できるエッチング原液を提供する。 - 特許庁 - STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND ETCHING METHOD
半導体素子構造およびエッチング方法 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
ドライエッチング方法及びデバイス製造方法 - 特許庁 - Dry etching using no bias is preferably used for further etching the back channel portion.
バックチャネル部を更にエッチングするに際しては無バイアスのドライエッチングを用いることが好ましい。 - 特許庁 - METHOD FOR DRY ETCHING OF HIGH-K FILM
Ｈｉｇｈ−ｋ膜のドライエッチング方法 - 特許庁 - SACRIFICIAL FILM ETCHING METHOD AND ITS DEVICE
犠牲膜のエッチング方法およびその装置 - 特許庁 - METHOD OF ETCHING INSULATING FILM OF SEMICONDUCTOR DEVICE
半導体装置の絶縁膜エッチング方法 - 特許庁 - ETCHING METHOD, PLASMA TREATMENT DEVICE, STORAGE MEDIUM
エッチング方法、プラズマ処理装置、記憶媒体 - 特許庁 - To provide a method for etching a dual doped gate structure in a plasma etching chamber.
プラズマエッチングチャンバ内でデュアルドープゲート構造をエッチングするための方法を提供する。 - 特許庁 - The cleaning by etching is performed in two-stage cleaning steps of different etching rates.
このエッチングによるクリーニングをエッチングレートが異なる二段階のクリーニング工程で行う。 - 特許庁 - The dry etching gas contains CF_3C_F=CH_2.
ＣＦ３ＣＦ＝ＣＨ２を含むドライエッチングガス。 - 特許庁 - The inclined surface is formed through dry etching, and a damaged layer is removed by anisotropic etching.
傾斜面はドライエッチングにより形成し、異方性エッチングによりダメージ層を除去する。 - 特許庁 - ETCHING DEVICE FOR PRINTED BOARD AND METHOD THEREFOR
プリント板のエッチング装置およびその方法 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR DETECTING END POINT OF ETCHING AND DRY ETCHING SYSTEM PROVIDED WITH THE SAME APPARATUS
エッチング終点検出方法及び装置並びに同装置を備えたドライエッチング装置 - 特許庁 - The hard mask 41 is not exposed to the etching gas and prevented from being lessened in thickness while etching is carried out.
エッチング中に、ハードマスク41はエッチングガスにさらされること無く膜減りが防がれる。 - 特許庁 - SYSTEM AND METHOD FOR MANAGING USED AMOUNT OF WATER FOR ETCHING LINE, AND ETCHING LINE
エッチングラインの水使用量管理システム、エッチングラインの水使用量管理方法、エッチングライン - 特許庁 - The recesses 30a are formed by etching.
凹部３０ａはエッチングにより形成される。 - 特許庁 - To provide a method for forming an etching characteristic in an etching layer on a substrate.
基板の上のエッチング層内にエッチング特徴を形成するための方法が提供される。 - 特許庁 - METHOD FOR SUPPRESSING VARIATION IN DIMENSION IN POLYIMIDE ETCHING
ポリイミドエッチングの寸法ばらつきを抑える - 特許庁 - The vapor-phase etching is performed so that the etching amount may become 10 nm to ≤0.1 μm.
この気相エッチングを、１０ｎｍ以上、０．１μｍ以下のエッチング量となるように行う。 - 特許庁 - To provide an etching agent used for a chemical wet etching method of chemical-resistant crystal material.
耐薬品性の結晶材料の化学的ウェットエッチング法に用いるエッチング剤の提供。 - 特許庁 - ETCHING MASK, BASE MATERIAL WITH ETCHING MASK, FINE WORKPIECE, METHOD OF MANUFACTURING FINE WORKPIECE
エッチングマスク、エッチングマスク付き基材、微細加工品および微細加工品の製造方法 - 特許庁 - PLASMA PROCESSING DEVICE AND METHOD OF PLASMA ETCHING
プラズマ処理装置及びプラズマエッチング方法 - 特許庁 - The Ni foil is formed into the thin film having a prescribed thickness by wet etching or dry etching.
このＮｉ箔をウエットエッチングまたはドライエッチングによって所定の厚さに薄膜化する。 - 特許庁 - To provide an etching method capable of anisotropically etching a copper with high throughput.
スループット良く、銅を、異方的にエッチングすることが可能なエッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - SILICON ANISOTROPICALLY ETCHING METHOD AND APPARATUS THEREOF
シリコンの異方性エッチング方法及び装置 - 特許庁 - PLASMA GENERATING DEVICE AND PLASMA ETCHING DEVICE
プラズマ発生装置およびプラズマエッチング装置 - 特許庁 - DEVICE AND METHOD FOR ETCHING TIN OXIDE FILM
酸化錫膜のエッチング装置および方法 - 特許庁 - To provide a plasma etching apparatus capable of etching workpieces by a uniform thickness.
、被加工物を均一な厚さでエッチングすることができるプラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - The mask pattern is formed by etching a second mask 20 in a second position of the etching chamber 12.
第２マスク２０をエッチング室１２の第２位置でエッチングしてマスクパターンを形成する。 - 特許庁 - The mask pattern is formed by etching a first mask 16 in a first position of an etching chamber 12.
第１マスク１６をエッチング室１２の第１位置でエッチングしてマスクパターンを形成する。 - 特許庁 - Consequently, etching is stopped at arbitrary depth and etching depth can be controlled.
その結果、任意の深さでエッチングを止めて、エッチング深さを制御することが可能となる。 - 特許庁 - In this case, appropriate etching volume is processed using etching stop technology.
この際、エッチングストップ技術を利用して適切なエッチング量だけエッチングを行っておく。 - 特許庁 - Subsequently, a p-type clad layer 7 is formed on the etching stop layer 6 so as to contact the etching stop layer 6.
次いで、エッチングストップ層６上に接するように、ｐ型クラッド層７を形成する。 - 特許庁
- 特許庁
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