「etching」を含む例文一覧(19972)

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  • ETCHING APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLLING TEMPERATURE THEREOF
    エッチング装置及びその温度制御方法 - 特許庁
  • A green color filter 31 in a checkerboard pattern is formed by etching using an etching mask.
    エッチングマスクを用いたエッチングにより、市松状のグリーンカラーフィルタ31を形成する。 - 特許庁
  • ETCHING PROCESSING APPARATUS AND METHOD THEREFOR
    エッチング処理装置及びエッチング処理方法 - 特許庁
  • This is performed under the control of the etching time calculated from a parameter at dry etching.
    これはドライエッチング時のパラメータから算出するエッチング時間の制御で達成する。 - 特許庁
  • METHOD OF CLEANING PLASMA ETCHING SYSTEM, METHOD OF PLASMA ETCHING AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
    プラズマエッチング装置のクリーニング方法、プラズマエッチング方法及び半導体装置の作製方法 - 特許庁
  • DISCHARGE TUBE FOR LOCAL ETCHING APPARATUS AND LOCAL ETCHING APPARATUS USING TAPERED DISCHARGE TUBE
    局部エッチング装置の放電管及びテーパ型放電管を用いた局部エッチング装置 - 特許庁
  • To obtain TFE gas suitable for dry etching.
    ドライエッチングに好適なTFEガスを得る。 - 特許庁
  • APPARATUS OF MANUFACTURING ETCHING FOIL FOR ELECTROLYTIC CAPACITOR
    電解コンデンサ用エッチング箔の製造装置 - 特許庁
  • DETOXIFICATION METHOD FOR RUTHENIUM ETCHING COMPOSITION
    ルテニウムのエッチング用組成物の除害方法 - 特許庁
  • ETCHING RESIST AQUEOUS INKJET INK COMPOSITION
    エッチングレジスト用水性インクジェットインク組成物 - 特許庁
  • DRY ETCHING APPARATUS AND ITS CLEANING METHOD
    ドライエッチング装置およびそのクリーニング方法 - 特許庁
  • In mask etching of an insulating film 5 (Fig(2)), etching conditions such as O_2 (oxygen) are changed.
    図1(ロ):絶縁膜5のマスクエッチにおいて、O_2(酸素)などのエッチング条件を変更する。 - 特許庁
  • To provide an etching apparatus for obtaining high uniformity and a high etching factor.
    高い均一性とエッチ・ファクタを得ることのできる新規なエッチング装置を提供する。 - 特許庁
  • ETCHING AGENT COMPOSITION FOR THIN FILM HAVING HIGH PERMITTIVITY
    高誘電率薄膜エッチング剤組成物 - 特許庁
  • To lower the etching rate of an etching performed by APM cleaning in a sidewall insulating film.
    APM洗浄による側壁絶縁膜のエッチングレートを低減させることができる。 - 特許庁
  • METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENT HAVING ETCHING BUMP GROUP
    エッチングバンプ群を有する部材の製造法 - 特許庁
  • WET-ETCHING DEVICE FOR EDGE OF SEMICONDUCTOR DISC
    半導体ディスクのエッジのウェットエッチング装置 - 特許庁
  • ETCHING METHOD OF CRYSTAL SYSTEM SEMICONDUCTOR DEVICE
    結晶系半導体基板のエッチング方法 - 特許庁
  • ETCHING LIQUID, ETCHING METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING COUNTER SUBSTRATE FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL
    エッチング液、エッチング方法、並びに、液晶表示パネル用対向基板の製造方法 - 特許庁
  • TERMINAL POINT DETECTING METHOD AND APPARATUS IN PLASMA ETCHING AND ETCHING APPARATUS
    プラズマエッチング終点検出方法、プラズマエッチング終点検出装置及びプラズマエッチング装置 - 特許庁
  • PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA ETCHING METHOD
    プラズマ処理装置およびプラズマエッチング方法 - 特許庁
  • METHOD OF ETCHING SUBSTANCE FILM ON SEMICONDUCTOR WAFER, USING SURFACE WAVE PLASMA ETCHING SYSTEM
    表面波プラズマエッチング装置を用いた半導体ウェーハ上の物質膜エッチング方法 - 特許庁
  • DEVICE AND METHOD FOR ETCHING SEMICONDUCTOR WAFER
    半導体ウェーハのエッチング装置及び方法 - 特許庁
  • PLASMA ETCHING DEVICE AND PLASMA CLEANING METHOD
    プラズマエッチング装置及びプラズマクリーニング方法 - 特許庁
  • The etching method uses the resist liquid.
    当該レジスト液を使用するエッチング方法。 - 特許庁
  • Oxygen and a silicon etching agent are introduced into a plasma etching chamber including a silicon substrate.
    シリコン基板を含むプラズマ・エッチング・チャンバの中に酸素とシリコン・エッチング剤が導入される。 - 特許庁
  • The side 13c of the mesa section 13a is subjected to wet etching after patterning by plasma etching.
    メサ部13aの側面13cは、プラズマエッチングによるパターニング後、ウェットエッチングされている。 - 特許庁
  • FOCUS RING HEATING METHOD, PLASMA ETCHING METHOD, PLASMA ETCHING APPARATUS, AND COMPUTER STORAGE MEDIUM
    フォーカスリングの加熱方法、プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体 - 特許庁
  • PLASMA ETCHING DEVICE, SEASONING METHOD OF THIS AND PLASMA ETCHING METHOD USING THEM
    プラズマエッチング装置及びこのシーズニング方法並びにこれ等を用いるプラズマエッチング方法 - 特許庁
  • It is preferable that the second etching gas contains the gas for which the etching gas is diluted by the Ar gas.
    第2エッチングガスは、エッチングガスをArガスで希釈したガスを含むことが好ましい。 - 特許庁
  • In etching the mesa portions, the plasma etching is stopped based on variation in the plasma emission intensity.
    メサエッチング工程の際、プラズマ発光強度の変化に基づいてプラズマエッチングを停止する。 - 特許庁
  • DRY ETCHING METHOD OF OXIDE SEMICONDUCTOR FILM
    酸化物半導体膜のドライエッチング方法 - 特許庁
  • In some implementations, the etching may be performed by means of a reactive ion etching process.
    ある実施態様においては、エッチングは反応性イオンエッチングプロセスにより行うことができる。 - 特許庁
  • METHOD OF MANUFACTURING CAPACITOR ELECTRODE, METHOD OF ETCHING AND ETCHING SYSTEM, AND STORAGE MEDIUM
    キャパシタ電極の製造方法、エッチング方法およびエッチングシステム、ならびに記憶媒体 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF ETCHING POLYCRYSTALLINE SILICON FILM, AND ETCHING EQUIPMENT THEREFOR
    多結晶シリコン膜のエッチング方法、半導体装置および多結晶シリコン膜のエッチング装置 - 特許庁
  • To provide an etching liquid composition for silver or a silver alloy which has excellent etching precision.
    エッチング精度に優れた、銀または銀合金用のエッチング液組成物を提供すること - 特許庁
  • FOCUS RING AND SHIELD RING FOR PLASMA ETCHING
    プラズマエッチング用フォーカスリングおよびシールドリング - 特許庁
  • Isotropic etching is given to the substrate 1 using this silicon thin film 2 as an etching mask.
    このシリコン薄膜2をエッチングマスクとして用いて基板1に等方性エッチングを施す。 - 特許庁
  • ETCHING LIQUID, METHOD FOR ETCHING, METHOD FOR MANUFACTURING CAPACITOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
    エッチング液、エッチング方法、キャパシタの製造方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁
  • At this time, the intermediate layer 33 is used as an etching stop material for the reactive ion etching.
    この際、中間層33を反応性イオンエッチングのエッチストップ材として使用する。 - 特許庁
  • ETCHING SOLUTION FOR STRUCTURE OBSERVATION OF COPPER OR COPPER ALLOY, ETCHING METHOD AND STRUCTURE OBSERVATION METHOD
    銅または銅合金の組織観察用エッチング液、エッチング方法および組織観察方法 - 特許庁
  • Gas pressure in an etching chamber in the case of the reactive ion etching is set to be 9.3-10.7 Pa.
    反応性イオンエッチングの際のエッチング室内のガス圧を9.3〜10.7Paとする。 - 特許庁
  • APPARATUS AND METHOD FOR ETCHING SEMICONDUCTOR WAFER
    半導体ウエハのエッチング装置及び方法 - 特許庁
  • RESIN FOR ETCHING MASK, COATING MATERIAL FOR ETCHING MASK AND METHOD FOR FORMING PATTERN ON SAPPHIRE SUBSTRATE
    エッチングマスク用樹脂及びエッチングマスク用コート材並びにサファイア基板のパターン形成方法 - 特許庁
  • PLASMA ETCHING PROCESS OF Ir-Ta-O ELECTRODE AND CLEANING METHOD AFTER ETCHING
    Ir−Ta−O電極のプラズマエッチングおよびエッチング後のクリーニングのための方法 - 特許庁
  • MASK ETCHING PLASMA REACTOR WITH VARIABLE PROCESS GAS DISTRIBUTION
    可変処理ガス分布マスクエッチングプラズマリアクタ - 特許庁
  • METHOD AND DEVICE FOR WINDING UP TYPE DRY ETCHING
    巻取り式ドライエッチング方法及び装置 - 特許庁
  • METHOD AND DEVICE FOR REGENERATING ETCHING WASTE LIQUID
    エッチング廃液の再生方法及び装置 - 特許庁
  • METHOD AND DEVICE FOR SPECIFYING ETCHING CONDITION
    エッチング条件だし方法およびその装置 - 特許庁
  • This reduces over-etching or side-etching and realizes a specified shape.
    従って、オーバーエッチングやサイドエッチングが低減されて、所定の形状を得ることができる。 - 特許庁
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