「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 28 29 30 31 32 33 34 35 36 .... 399 400 次へ＞- The method for manufacturing the laminated silicon substrate comprises a step of alkali-etching silicon wafers 11, 12.
シリコンウェーハ１１，１２をアルカリエッチする。 - 特許庁 - To provide an etching method for reducing damage to a substrate, and to provide an etching apparatus.
基板の損傷を低減することができるエッチング方法及びエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - Additionally, the etching method may include anodic etching of nickel or a nickel alloy layer.
さらに、本発明のエッチング方法は、ニッケルまたはニッケル合金層のアノードエッチングを含むことができる。 - 特許庁 - PROCESS OF ETCHING ALUMINUM-NEODYMIUM USING HYDROGEN IODIDE
ヨウ化水素によるアルミニウム−ネオジム・エッチングプロセス - 特許庁 - To provide an etching device and an etching method capable of shortening processing time.
処理時間の短縮が可能なエッチング装置及びエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide an apparatus and a method for etching which has the high etching ratio of a film to be worked to a substrate film and a high etching rate.
被加工膜の下地膜に対するエッチング選択比が高く、高いエッチングレートを有するエッチング装置およびエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - ETCHING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATED BY THAT METHOD AND ETCHING SYSTEM
エッチング方法、この方法により製造されたことを特徴とする半導体装置およびエッチング装置 - 特許庁 - A bevel or convex shape is applied thereafter by dry etching, wet etching, blast working and the like.
その後ドライエッチング、ウェットエッチング、ブラスト加工等によりベベルあるいはコンベックス形状を施す。 - 特許庁 - To provide an etching device which can process an etching shape vertically to a wafer outer circumference.
ウエハ外周までエッチング形状が垂直に加工することができるエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - To reduce an amount of use of chemical necessary for etching by surely determining timing of an etching end.
エッチングエンドのタイミングを確実に判別し、エッチングに必要な薬液の使用量を低減する。 - 特許庁 - To provide an etchant, by which etching residue is not generated at all and etching is conducted under mild conditions, when wet etching a transparent conductive film.
透明導電膜のウエットエッチングの際に、エッチング残渣を全く発生せず、且つ温和な条件下で、エッチングが行えるエッチング剤を提供する。 - 特許庁 - DEVICE AND METHOD FOR WAFER DRY ETCHING
ウェハのドライエッチング装置およびドライエッチング方法 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING WIRING BOARD AND ETCHING DEVICE
配線基板の製造方法及びエッチング装置 - 特許庁 - To provide a plasma etching processing apparatus capable of accurately etching objects according into a desired shape.
より正確に所望の形状にエッチングすることができるプラズマエッチング処理装置を提供する。 - 特許庁 - In the etching process, the end point of the etching is controlled based on the result obtained by measuring the etching depth of the silicon substrate by an optical microscope.
エッチング工程では、光学顕微鏡によりシリコン基板のエッチング深さを測定した結果に基づいて、エッチングの終点を管理する。 - 特許庁 - DRY ETCHING EXHAUST GAS TREATING DEVICE AND METHOD FOR TREATING DRY ETCHING EXHAUST GAS USING TREATING DEVICE
ドライエッチング排ガス処理装置及び当該処理装置を用いたドライエッチング排ガス処理方法 - 特許庁 - Furthermore, equal and quick etching becomes possible by etching it at a low temperature in the initial stage of etching and at a higher temperature at the end.
さらに、エッチングの初期においては低温で、終期においては昇温してエッチングすることにより、均一で迅速なエッチングが可能となる。 - 特許庁 - ETCHING METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
半導体素子を製造するためのエッチング方法 - 特許庁 - The side wall of the laminate LB is etched on an etching condition where an etching speed of polycrystal silicon is higher than an etching speed of amorphous silicon.
多結晶シリコンのエッチング速度がアモルファスシリコンのエッチング速度よりも速いエッチング条件で積層体ＬＢの側壁がエッチングされる。 - 特許庁 - DRY ETCHER HAVING BOTH ETCHING PORTION AND CLEANING PORTION
エッチング部と洗浄部とを兼備したドライエッチャ - 特許庁 - PLASMA ETCHING DEVICE AND FINE PARTICLE REMOVAL METHOD
プラズマエッチング装置および微粒子除去方法 - 特許庁 - ETCHING METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING NANO DEVICE
エッチング方法並びにナノデバイスの作製方法 - 特許庁 - The interlayer insulating layer has etching rate lower than the dummy insulating layer to specific etching liquid.
層間絶縁層は所定のエッチング液に対してダミー絶縁層よりも低いエッチング率を有する。 - 特許庁 - The separation process includes selective etching for selectively etching the Si substrate 1.
上記切り離し工程は、Ｓｉ基板１を選択的にエッチングする選択エッチングを含んでいる。 - 特許庁 - ALKALINE ETCHING SOLUTION PROCESSING APPARATUS AND PROCESSING METHOD
アルカリエッチング液の処理装置及び処理方法 - 特許庁 - ULTRA-VIOLET LIGHT IRRADIATION DEVICE, ETCHING DEVICE, ETCHING METHOD, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
紫外光照射装置、エッチング装置、エッチング方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁 - WET ETCHING METHOD, MANUFACTURING METHOD FOR INKJET RECORDING HEAD USING METHOD, AND WET ETCHING DEVICE
ウエットエッチング方法、該方法を用いたインクジェット記録ヘッドの製造方法、およびウエットエッチング装置 - 特許庁 - ETCHING METHOD, AND METHOD OF FORMING CAPACITOR
エッチング方法およびキャパシタを形成する方法 - 特許庁 - This electrolytic etching method includes inserting a masking member between the counter electrode and the article to be etched and electrolytically etching the article.
対向電極と被エッチング物の間にマスキング部材を挟み込んで、電解エッチングを行う。 - 特許庁 - ETCHING SOLUTION, ITS PRODUCTION METHOD, ETCHING METHOD AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
エッチング液およびその製造方法ならびにエッチング方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁 - In the case of an anisotropic etching process, mixed gas of nitrogen and oxygen is used as the etching gas.
異方性エッチング処理を行う場合、エッチングガスとして窒素と酸素との混合ガスを用いる。 - 特許庁 - METHOD FOR ETCHING METALLIC TIN OR TIN ALLOY, AND ETCHING SOLUTION FOR METALLIC TIN OR TIN ALLOY
金属スズまたはスズ合金をエッチングする方法ならびに金属スズまたはスズ合金のエッチング液 - 特許庁 - OXIDE ETCHING WITH NH3-NF3 CHEMISTRY
ＮＨ３−ＮＦ３化学による酸化物エッチング - 特許庁 - ETCHANT AND ETCHING METHOD FOR TUNGSTEN ALLOY
タングステン合金のエッチング液及びエッチング方法 - 特許庁 - CARBON ELECTRODE FOR ETCHING AND METHOD FOR ETCHING ELECTRODE FOIL FOR ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITOR USING THE SAME
エッチング用カーボン電極およびこれを用いたアルミ電解コンデンサ用電極箔のエッチング方法 - 特許庁 - In the reactive ion etching, an etching gas comprising a halogen based gas and a carbon oxide based gas is used.
反応性イオンエッチングでは、ハロゲン系ガスと酸化炭素系ガスとを含むエッチングガスが使用される。 - 特許庁 - When the concentration of calcium increases, the etching rate of a silicon oxide film 32 by the etching liquid is reduced.
カルシウム濃度が増加すると、エッチング液によるシリコン酸化膜３２のエッチングレートが低減される。 - 特許庁 - The etching to the cleaved surface is performed by hydrogen surface treatment and wet etching.
劈開された表面に対するエッチングは水素表面処理およびウェットエッチングを使用して行える。 - 特許庁 - The etching surface is provided with circuit elements 22 and 24, and the non-etching surface is provided with a connection surface 18.
エッチング表面は回路素子２２，２４を、非エッチング表面は結合表面１８を有する。 - 特許庁 - To provide an etching process for minimizing the damage of etching on a ferroelectric layer.
強誘電体層のエッチングによる損傷を最小限にするエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - APPARATUS AND METHOD OF ETCHING SUBSTRATE
基板のエッチング装置および基板のエッチング方法 - 特許庁 - METHOD FOR PHOTOMASK PLASMA ETCHING USING PROTECTIVE MASK
保護マスクを使用したホトマスクプラズマエッチング方法 - 特許庁 - RESIST MATERIAL AND ETCHING PATTERN FORMING METHOD
レジスト材料及びエッチングパターンの形成方法 - 特許庁 - LOCAL ETCHING APPARATUS AND METHOD THEREFOR
局所エッチング装置及び局所エッチング方法 - 特許庁 - In the sheet one-surface etching stage, a spin etching device 30 is used to spin-etch the diffused wafer.
枚葉片面エッチング工程では、スピンエッチング装置３０を用いて、拡散ウェーハがスピンエッチングされる。 - 特許庁 - Then, the etching stop layer 18 is removed by wet etching using an aqueous hydrofluoric acid solution.
然る後に、エッチングストップ層１８をフッ化水素酸水溶液によってウエットエッチング除去する。 - 特許庁 - To provide a dry etching method which is designed to detect an etching end accurately and which exhibits superior productivity.
エッチングの終点を正確に検出し、生産性の優れたドライエッチング法を提供する。 - 特許庁 - To prevent the occurrence of precipitates after wet etching.
エッチング後の析出物の発生を防止する。 - 特許庁 - To provide an etching device and an etching method by which the surface of an underwater structure can easily be etched by a simple composition.
簡素な構成で、水中構造物の表面を容易にエッチングできるようにする。 - 特許庁 - The SiN film 102 and etching resistance protection film 103 are subjected to the pattern etching to be shaped in a movable member.
次に、ＳｉＮ膜102および耐エッチング保護膜103をパターンエッチングして可動部材の形状にする。 - 特許庁
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