「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 29 30 31 32 33 34 35 36 37 .... 399 400 次へ＞- ETCHANT FOR TI-BASE FILM AND ETCHING METHOD
Ｔｉ系膜用エッチング剤及びエッチング方法 - 特許庁 - To provide a structure capable of reliably stopping etching at a predetermined position during wet etching.
ウェットエッチングの際に所定の位置で確実にエッチストップすることができる構造を提供する。 - 特許庁 - COLLECTIVE ETCHING OF MULTILAYER DIFFERENT KIND INSULATING FILM
積層異種絶縁膜の一括エッチング方法 - 特許庁 - ETCHING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF STRUCTURE
エッチング方法および構造体の製造方法 - 特許庁 - In particular, in the inside of the reference chamber 11, the pressure gauge is provided with an etching stopper 25 being the etching stopper when etching the support layer 23 of the SOI wafer 20.
特に、基準室１１の内壁に、ＳＯＩウエハ２０の支持層２３をエッチングする際のエッチングストッパとなるエッチングストッパ２５を備える。 - 特許庁 - To provide a method of detecting etching end point by which the end point of etching can be detected with accuracy.
精度良くエッチングの終点を検出するエッチング終点検出方法を提供すること。 - 特許庁 - Namely, the duration of the sputter etching is set at twice or more as long as the just etching time.
すなわち、スパッタエッチング法によるエッチング時間をジャストエッチング時間の２倍以上として行なう。 - 特許庁 - To provide an etching device which enhances the yield of etching by controlling generation of dust particles.
異物の発生を抑制して処理の歩留まりを向上したエッチング処理装置を提供する。 - 特許庁 - To prevent a gate oxide from being broken by etching.
エッチングによるゲートオキサイドの破損を防止する。 - 特許庁 - Next, etching gas is changed to a gas of NH3 system, and the etching of the first layer film 18 is carried out.
次にエッチングガスをＮＨ３系のガスに切り替えて、第１層膜１８のエッチングを行う。 - 特許庁 - ETCHING END POINT DETECTION DEVICE AND ITS METHOD
エッチング終点検出装置およびその方法 - 特許庁 - Thereafter, the etching stop layer 18 is removed through wet etching by the use of a hydrofluoric acid water solution.
然る後に、エッチングストップ層１８をフッ化水素酸水溶液によってウエットエッチング除去する。 - 特許庁 - To make it possible to carry out etching with high quality while the amount of etching is controlled with high accuracy.
エッチング量の管理を高精度で行なうことができ、しかも高品質なエッチングを行なう。 - 特許庁 - To provide a method for etching by which a High-k film can be etched by suppressing the etching of an element separating region or Si substrate.
素子分離領域あるいはＳｉ基板のエッチングを抑えつつ、High-k膜のエッチングを行う。 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD FOR PARTIAL ETCHING GLAZED CERAMIC SUBSTRATE
部分エッチンググレーズドセラミック基板の製造方法 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD AND DIFFRACTIVE OPTICAL ELEMENT
ドライエッチング方法および回折型光学部品 - 特許庁 - BASE MATERIAL WITH ETCHING MASK AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
エッチングマスク付基材及びその製造方法 - 特許庁 - TREATMENT INSTRUMENT AND ETCHING DEVICE USING THE SAME
処理用器具及びそれを用いたエッチング装置 - 特許庁 - To provide a processing depth measuring device for measuring accurately the etching depth in wet etching.
ウェットエッチングにおけるエッチングの深さを精度よく測定する加工深さ測定装置を提供する。 - 特許庁 - ETCHING METHOD AND METHOD OF PATTERNING INSULATING FILM
エッチング方法及び絶縁膜のパターニング方法 - 特許庁 - ETCHING RATE MEASURING DEVICE AND METHOD OF MEASUREMENT THEREFOR
エッチング速度測定装置および測定方法 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF DISPLAY DEVICE, AND ETCHING APPARATUS
表示装置の作製方法、及びエッチング装置 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR ETCHING LEAD FRAME
リードフレームのエッチング加工方法及びその装置 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR DETECTING PLASMA ETCHING END POINT
プラズマエッチング終点検出方法及び装置 - 特許庁 - F in the etching gas works as etching species and C, CF, CF2, CF3 or the like as deposition species in this case, and the etching and a deposition simultaneously progress.
この際、エッチングガス中のＦがエッチング種、Ｃ、ＣＦ、ＣＦ2、ＣＦ3等が堆積種として作用し、エッチングと堆積とが同時に進行する。 - 特許庁 - To provide an aluminum alloy material having excellent etching uniformity even if etching rate is elevated.
エッチング速度を速めてもエッチングの均一性に優れたアルミニウム合金材料を提供する。 - 特許庁 - To provide a silicon electrode plate for plasma etching which eliminates surface asperities due to plasma etching enabling a uniform etching.
プラズマエッチングによって生じる表面の凹凸を抑制し、均一なエッチングが可能になるプラズマエッチング用シリコン電極板を提供すること。 - 特許庁 - ANISOTROPIC DRY ETCHING METHOD AND APPARATUS OF COPPER
銅の異方性ドライエッチング方法および装置 - 特許庁 - ETCHING METHOD OF NITRIDING FILM, AND DUAL DAMASCENE PROCESS
窒化膜のエッチング方法およびデュアルダマシンプロセス - 特許庁 - DRY ETCHING SYSTEM AND ITS PLASMA CLEANING METHOD
ドライエッチング装置およびそのプラズマクリーニング方法 - 特許庁 - METHOD FOR ETCHING SILICATE GLASS AND MICROLENS ARRAY
珪酸ガラスのエッチング方法及びマイクロレンズアレイ - 特許庁 - An etching guide hole is formed to perform crystal anisotropic etching, thus forming a beam.
エッチング誘導孔を形成し、結晶異方性エッチングを実施することにより、前記梁を形成する。 - 特許庁 - In this case, an etching gas formed of a mixed gas of C_4F_6/O_2/Ar/He is used as the etching gas.
この際、エッチングガスとして、Ｃ_4 Ｆ_6／Ｏ_2 ／Ａｒ／Ｈｅの混合ガスからなるエッチングガスを使用する。 - 特許庁 - To provide a method of etching high-k dielectric materials in a plasma etching reactor without producing residues.
残渣を形成させずにプラズマエッチングリアクタ内で高ｋ誘電材料をエッチングする方法の提供。 - 特許庁 - ETCHING METHOD USING PHOTORESIST PATTERN AS MASK
フォトレジストパターンをマスクに利用するエッチング方法 - 特許庁 - ETCHING-DEPTH MEASURING METHOD AND APPARATUS, SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD, AND ETCHING APPARATUS
エッチング深さ計測方法、半導体装置の製造方法、エッチング深さ計測装置、エッチング装置 - 特許庁 - To provide a method for adjusting the characteristics of etching by switching the processing gases during the etching process.
エッチング処理中に処理用ガスを切り替えて、エッチングの特性を調節する方法を開示する。 - 特許庁 - ETCHING METHOD AND ETCHING LIQUID FOR USE THEREIN, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME
エッチング方法及びこれに用いられるエッチング液、これを用いた半導体素子の製造方法 - 特許庁 - PHOTOSENSITIVE HYDROFLUORIC ACID ETCHING MATERIAL, OPTICAL PATTERN ETCHING METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
感光性フッ酸エッチング材料、光パターンエッチング方法及び半導体デバイスの製造方法 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EQUIPMENT
ドライエッチング方法および半導体製造装置 - 特許庁 - Thereby, in RIE (Reactive Ion Etching) in which a pattern is formed in an alumina layer 16, etching (side etching) of the Ta film 18 can be suppressed.
これにより、アルミナ層１６にパターンを形成するＲＩＥの際に、Ｔａ膜１８がエッチング（サイドエッチング）されるのを抑制することができる。 - 特許庁 - The hardmask is opened by plasma etching using an etching gas composed of H, N, and CO.
ハードマスクは、Ｈ、Ｎ及びＣＯで構成されるエッチングガスを使用するプラズマエッチングにより開かれる。 - 特許庁 - At this point, the second polysilicon film is subjected to anisotropic etching first and then subjected to isotropic etching.
ここで、第２ポリシリコン膜のエッチングは異方性および等方性エッチングの順に実施する。 - 特許庁 - DRY ETCHING DEVICE AND ITS PLASMA CLEANING METHOD
ドライエッチング装置及びそのプラズマクリーニング方法 - 特許庁 - To provide an etching device which improves in-plane uniformity of the etching rate over the entire substrate.
基板全体でのエッチングレートの面内均一性を向上させるエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - ETCHING DEVICE, ETCHING METHOD, RECESSED SUBSTRATE, MICRO-LENS SUBSTRATE, TRANSMISSION TYPE SCREEN AND REAR TYPE PROJECTOR
エッチング装置、エッチング方法、凹部付き基板、マイクロレンズ基板、透過型スクリーンおよびリア型プロジェクタ - 特許庁 - METHOD OF ETCHING NITRIDE SYSTEM COMPOUND SEMICONDUCTOR
窒化物系化合物半導体のエッチング方法 - 特許庁 - Application of electrolytic etching is made possible as well, and etching having a more increased reaction rate is made possible.
電解エッチングの適用も可能であり、反応速度をより高めたエッチングが可能になる。 - 特許庁 - In an etching processing process in a process (3), the mask layer 3 is removed by selection etching.
その後、工程（３）のエッチング処理工程にて、マスク層３を選択エッチング処理にて除去する。 - 特許庁 - METHOD OF ETCHING FILM WITH MOLYBDENUM AS MAJOR COMPONENT
モリブデンを主成分とする膜のエッチング方法 - 特許庁
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