「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 30 31 32 33 34 35 36 37 38 .... 399 400 次へ＞- The trench etching mask is utilized for etching the semiconductor substrate to form a trench with specific depth.
トレンチエッチングマスクを利用して半導体基板をエッチングして所定深さのトレンチを形成する。 - 特許庁 - SELECTIVE ETCHING AND FORMATION OF XENON DIFLUORIDE
選択的エッチングおよび二フッ化キセノンの形成 - 特許庁 - METHOD OF PLASMA ETCHING OF ORGANIC ANTIREFLECTION FILM
有機反射防止膜をプラズマエッチングする方法 - 特許庁 - The alkali etching has anisotropic etching properties, and hence an end of the wafer is hardly rounded unnecessarily.
アルカリエッチは異方性エッチングの性質を有し、ウェーハ端部が必要以上に丸まりにくい。 - 特許庁 - PLASMA ETCHING METHOD, MANUFACTURING OF ELECTRONIC DEVICE, PLASMA ETCHING DEVICE AND PLASMA PROCESSOR
プラズマエッチング方法および電子デバイスの製造方法並びにプラズマエッチング装置およびプラズマ処理装置 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD AND DIFFRACTION TYPE OPTICAL COMPONENT
ドライエッチング方法および回折型光学部品 - 特許庁 - METHOD OF DRY ETCHING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
炭化珪素半導体基板のドライエッチング方法 - 特許庁 - SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL AND ITS ETCHING METHOD
炭化珪素単結晶及びそのエッチング方法 - 特許庁 - The region of the conductor layer 30 exposed from the etching resist pattern 22a is removed by etching.
エッチングレジストパターン２２ａから露出する導体層３０の領域をエッチングにより除去する。 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF PHOTOMASK
ドライエッチング方法及びフォトマスクの製造方法 - 特許庁 - The etching damage during dry etching after forming an electrode or a wiring over an insulating film is prevented.
絶縁膜上の電極や配線形成後のドライエッチングにおけるエッチングダメージを防止する。 - 特許庁 - The silicon substrate 250 is removed by wet etching with the silicon oxidized layer 225 as an etching stopper.
シリコン酸化層２２５をエッチングストッパーとして、ウエットエッチングによりシリコン基板２５０を除去する。 - 特許庁 - ETCHING METHOD AND METHOD OF PROCESSING PHOTOMASK BLANK
エッチング方法及びフォトマスクブランクの加工方法 - 特許庁 - CHUCK ASSEMBLY OF SEMICONDUCTOR DEVICE ETCHING FACILITY
半導体装置食刻設備のチャック組立体 - 特許庁 - To provide a method for plasma etching of silicate glass without generating etching residues and a microlens array.
エッチング残渣を生じることなく、珪酸ガラスをプラズマエッチングする方法及びマイクロレンズアレイの提供。 - 特許庁 - An anisotropic etching is performed on a surface 11a of a silicon wafer 11 by a wet etching method.
シリコンウエーハ１１の一面１１ａに対して、ウエットエッチング法によって異方性エッチングを行う。 - 特許庁 - ETCHANT FOR METALLIC MATERIAL AND ETCHING METHOD
金属材料のエッチング液及びエッチング方法 - 特許庁 - ETCHING SOLUTION FOR THIN FILM OF METALLIC SILVER OR SILVER ALLOY, AND ETCHING METHOD USING THE SOLUTION
金属銀薄膜または銀合金薄膜用エッチング溶液及び該溶液を用いたエッチング方法 - 特許庁 - WET ETCHING CONTROL METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE
ウエットエッチング制御方法、および半導体装置 - 特許庁 - To reliably detect an etching end point when a fine pattern of a main magnetic pole is manufactured by the etching.
主磁極の微細パターンをエッチングで製造するときの終点を確実に検出する。 - 特許庁 - ETCHING LIQUID COMPOSITION FOR INDIUM OXIDE-BASED TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND ETCHING METHOD USING THE COMPOSITION
酸化インジウム系透明導電膜用エッチング液組成物及びそれを用いたエッチング方法 - 特許庁 - SILICON ANISOTROPIC ETCHING AGENT COMPOSITION FOR SILICON MICROFABRICATION, SILICON ETCHING METHOD, AND ELECTRONIC APPARATUS WITH SILICON SUBSTRATE PROCESSED IN ITS ETCHING
シリコン微細加工に用いるシリコン異方性エッチング剤組成物、シリコンエッチング方法及びそのエッチングを施されたシリコン基板を有する電子機器 - 特許庁 - GAS COMPOSITION FOR ETCHING SILICON OXIDE, AND METHOD OF ETCHING SILICON OXIDE USING THE SAME
シリコン酸化物のエッチング用ガス組成物およびこれを用いたシリコン酸化物のエッチング方法 - 特許庁 - The plasma etching for the improved surface is properly made by the etching gas containing fluorine and carbon.
改質した表面部はフッ素及び炭素を含むエッチングガスにより良好にプラズマエッチングされる。 - 特許庁 - PRETREATMENT ETCHING DEVICE AND THIN-FILM GENERATING APPARATUS
前処理エッチング装置及び薄膜作成装置 - 特許庁 - ETCHING METHOD BY ATMOSPHERIC PRESSURE HIGH FREQUENCY PLASMA
大気圧高周波プラズマによるエッチング方法 - 特許庁 - To provide a substrate for an electrooptic device which hardly produces etching residues after etching.
エッチング加工後におけるエッチング残渣の生じ難い電気光学装置用基板を提供する。 - 特許庁 - ETCHING SOLUTION AND METHOD FOR PRODUCING BLACK MATRIX
エッチング液およびブラックマトリックスの製造方法 - 特許庁 - DRY ETCHING DEVICE AND DRY CLEANING METHOD THEREFOR
ドライエッチング装置およびそのドライクリーニング方法 - 特許庁 - ABNORMALITY JUDGING METHOD IN PLASMA ETCHING TREATMENT
プラズマエッチング処理における異常判定方法 - 特許庁 - VIA STRUCTURE AND VIA ETCHING PROCESS OF FORMING THE SAME
ビア構造とそれを形成するビアエッチングプロセス - 特許庁 - To provide a peracetic acid (PAA) system etching liquid, an etching method utilizing it, and a structure of a resultant material.
ＰＡＡ系のエッチング液、それを利用するエッチング方法及び結果物の構造を提供する。 - 特許庁 - To overcome the problem of an ashing rate slowing down, when using the same vessel as that for etching, and residues remaining, when using an etching container for ashing, as it is.
エッチングと同一の容器を用いてアッシングを行うとアッシングレートが遅くなる。 - 特許庁 - To provide a composition of an etching solution which does not foam much and does not generate any etching residue.
低発泡性でかつエッチング残渣が発生しないエッチング液組成物を提供すること。 - 特許庁 - DRY ETCHING APPARATUS AND END POINT DETECTING METHOD
ドライエッチング装置および終点検出方法 - 特許庁 - A texture etching device (etching device) 100 for etching a silicon substrate 8 containing a p- or n-type dopant by immersing the silicon substrate in an etching liquid 9 comprises: an etching bath 1 which stores the etching liquid 9; and a first cation removal device 4A and a second cation removal device 4B which adsorb and collect the cations which are eluted into the etching liquid 9.
テクスチャエッチング装置（エッチング装置）１００は、ｐ型又はｎ型のドーパントを含むシリコン基板８をエッチング液９中に浸漬してエッチングするエッチング装置であり、エッチング液９を貯留するエッチング槽１と、エッチング液９中に溶出した陽イオンを吸着して収集する第一および第二の陽イオン除去装置４Ａ，４Ｂとを備えている。 - 特許庁 - Etching liquid is supplied into an etching tank 45 through a supply section 35 fitted onto a lower surface, a wafer back arranged on the support rest 42 at the upper end of an etching dam is uniformly etched by the flow of the etching liquid, and the etching liquid for generating surface tension after the etching is completed is discharged from the etching tank 45 through a first discharge section 47.
下部面に装着された供給部３５を通してエッチング槽４５内部にエッチング液を供給してエッチングダム上端の支持台４２上に配置されたウェーハ背面をエッチング液の流れにより均一にエッチングし、エッチング終了後に表面張力を発生させるエッチング液を第１排出部４７を通してエッチング槽４５から排出させる。 - 特許庁 - A ferroelectric memory element is formed by removing the etching resistant mask TiN film 42a in a third dry etching process after a second dry etching process for removing deposit sticking on the etching resistant mask TiN film 42a by the first dry etching.
第１のドライエッチングにより耐エッチングマスクＴｉＮ膜４２ａ上に付着した析出物を除去する第２のドライエッチング工程を経て、第３のドライエッチング工程で耐エッチングマスクＴｉＮ膜４２ａを除去して、強誘電体メモリ素子を形成する。 - 特許庁 - In addition, the etching mask is made a cathode electrode at the time of the start of the wet etching or during the wet etching, an anode electrode consisting of a platinum plate in the etching solution is provided, and a stable etching rate is obtained by flowing current between both the electrodes.
また、ウエットエッチング開始時あるいはウエットエッチング中にエッチングマスクを陰極電極とし、エッチング溶液中に白金の板からなる陽極電極を設け両電極間に電流を流すことにより安定したエッチングレートを得る。 - 特許庁 - A dry etching apparatus having a gas introduction section 6 at an upper portion in the etching chamber 2 introduces cleaning gas into the etching chamber 2 and generates plasma in the etching chamber 2 so that the density of plasma 14 increases at an upper portion in the etching chamber 2.
エッチングチャンバー２内の上部にガス導入部６をもつドライエッチング装置では、エッチングチャンバー２内にクリーニングガスを導入し、エッチングチャンバー２内の上部でプラズマ１４の密度が高くなるようにエッチングチャンバー２にプラズマを発生させる。 - 特許庁 - In the etching method, an etching step is repeated, wherein the etching step comprises a step wherein the glass is soaked in a glass-etching liquid containing hydrofluoric acid for ≤120 sec and a subsequent washing step wherein an etching reaction product is removed from the glass surface.
エッチング方法は、フッ酸を含有させたガラスエッチング液に、ガラスを１２０秒以内の時間で浸漬する工程と、この工程の後にエッチング反応生成物をガラス表面から除去する洗浄工程と、からなるエッチング工程を繰り返し行う。 - 特許庁 - To provide a method for extending the life of an etching solution so that the etching solution is not deteriorated and can etch an article in a nearly fresh condition, by incessantly regenerating trivalent cerium contained in the etching solution which continues etching, into tetravalent cerium during etching.
エッチング中のエッチング液に含まれる３価のセリウムを、エッチング中に絶えず４価のセリウムに再生し、新しいエッチング液に近い状態でエッチングが行われ、液劣化が起きないように上記のエッチング液を長寿命化する方法の提供。 - 特許庁 - The etching solution reproducing apparatus includes: atomizing means 11 for atomizing taken-out waste etching solution; and separating means 12 for separating silicon compound in the waste etching solution precipitated and/or flocculated by the atomization from the waste etching solution to obtain reproduced etching solution.
取り出されたエッチング液を霧化する霧化手段１１と、霧化によって析出および／または凝集されるエッチング液中のケイ素化合物を、エッチング液から分離除去して再生エッチング液を得る分離手段１２を備えている。 - 特許庁 - According to this method, the products of etching 5, produced by the over etching of the material of electrode or the like, are adhered to the side wall of the opening 3b of the resist mask 3, which becomes the tapered configuration, while the etching is continued still whereby the products of etching hardly remain when the etching is finished.
これにより、電極材のオーバーエッチングなどによって生成するエッチング生成物５は、テーパ形状となるレジストマスク３の開口部３ｂの側壁に付着してもエッチングされるため、エッチング終了時には残留しにくくなる。 - 特許庁 - To provide an etching device which prevents local variation in etching occurring in an etching step of applying etching to the material to be etched by spray etching, and thereby provides improved yield in the production of a multi-faced shadow mask, and to provide a method for producing a shadow mask.
スプレーエッチングにて被エッチング材をエッチングするエッチング工程で発生する局部的なエッチングバラツキを防止し、多面付けシャドウマスクの製造歩留まりを向上させるエッチング装置及びシャドウマスクの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide an etching solution and an etching method, in etching using an etching solution containing cerium (TV) nitrate ammonium capable of surely preventing the precipitation of insoluble compounds, further good in the etching rate and excellent in mass-productivity.
硝酸第二セリウムアンモニウム、硝酸及び水を含むエッチング液を用いるエッチングにおいて、不溶性化合物の析出を確実に防止することができ、しかもエッチング速度も良好で量産性に優れたエッチング液及びエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an etching method in a stacked film structural body capable of efficiently etching a removal part in which a layer suited for dry etching is interposed into a space between layers suited for wet etching, and to provide a wafer used for the etching method.
ウェットエッチングに適した層の間にドライエッチングに適した層が介在されている除去部を効率よくエッチングすることができる、積層膜構造体におけるエッチング方法、並びに、当該エッチング方法に使用されるウエハを提供する。 - 特許庁 - METHOD OF ETCHING AND METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL ELEMENT
エッチング方法及び光学素子の製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR PREPARING SOLUTION FOR ETCHING OR CLEANING
エッチング用又は洗浄用の溶液の製造法 - 特許庁 - ETCHING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR PRINTED WIRING BOARD
エッチング装置とプリント配線板の製造方法 - 特許庁
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