「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 39 40 41 42 43 44 45 46 47 .... 399 400 次へ＞- A TiN film 102 of normal temperature formation whose etching resistance to anisotropic etching solution is more excellent than that of a silicon oxide film or the like is used as an etching mask for performing anisotropic etching for a semiconductor substrate 101.
半導体基板１０１の異方性エッチングを行う際のエッチングマスクとして、シリコン酸化膜等の膜よりも異方性エッチング液に対するエッチング耐性の優れる常温形成のＴｉＮ膜１０２を用いる。 - 特許庁 - SILICON ELECTRODE PLATE FOR PLASMA ETCHING WITH SUPERIOR CRACKING RESISTANCE
耐割れ性に優れたプラズマエッチング用シリコン電極板 - 特許庁 - A shallow over-etching can be controlled effectively.
浅いオーバーエッチングを有効に制御することができる。 - 特許庁 - PLASMA ETCHING METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR AND ITS APPARATUS
半導体製造用プラズマエッチング法およびその装置 - 特許庁 - METHOD FOR RECOVERING COPPER FROM IRON CHLORIDE ETCHING WASTE LIQUID
塩化鉄エッチング廃液からの銅の回収方法 - 特許庁 - PLASMA ETCHING APPARATUS AND SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING METHOD
プラズマエッチング装置及び半導体ウエーハの加工方法 - 特許庁 - CONVERGED ION BEAM MACHINING DEVICE AND ETCHING METHOD
集束イオンビ—ム加工装置およびエッチング加工方法 - 特許庁 - METHOD FOR ETCHING SiO2 FILM BENEATH ULTRAFINE RESIST PATTERN
超微細レジストパターン下のＳｉＯ２膜エッチング方法 - 特許庁 - SILICON PROCESSING METHOD AND SILICON SUBSTRATE WITH ETCHING MASK
シリコンの加工方法、及びエッチングマスク付きシリコン基板 - 特許庁 - Next, the gate trench 21 is formed by dry etching.
次に，ドライエッチングによりゲートトレンチ２１を形成する。 - 特許庁 - ETCHANT FOR TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND ETCHING METHOD
透明導電膜用エッチング液およびエッチング方法 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF ETCHING FOIL FOR ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITOR
アルミニウム電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法 - 特許庁 - METHOD OF DRY ETCHING LOW-DIELECTRIC CONSTANT INTERLAYER INSULATING FILM
低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法 - 特許庁 - AUTOMATIC DEVICE FOR PREVENTING ABNORMAL DISCHARGE IN PLASMA ETCHING
プラズマエッチングにおける異常放電自動防止装置 - 特許庁 - An etching solution is supplied to the groove 34.
そして、その溝３４にエッチング液が供給される。 - 特許庁 - Hot water is used for the washing process after the etching.
また、エッチング後の洗浄工程に、温水を用いる。 - 特許庁 - METHOD OF DRY-ETCHING LOW-DIELECTRIC CONSTANT INTERLAYER INSULATING FILM
低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法 - 特許庁 - Moreover, an ECR etching method is used as the milling method.
また、ミリング法として、ＥＣＲエッチング法を用いる。 - 特許庁 - The etching device comprises an etching chamber 11 for etching an object M in gas phase under predetermined etching conditions, means 20 for observing the progressing conditions of etching of the object M, and means 40 for calculating the etching distribution of the object M based on the observation results of the observing means 20 and setting etching conditions based on the etching distribution.
被処理対象物Ｍに対し気相中において所定のエッチング処理条件によりエッチング処理するエッチング処理室１１と、被処理対象物Ｍのエッチング進行状況を観察する観察手段２０と、観察手段２０による観察結果に基づいて被処理対象物Ｍにおけるエッチング分布を算出し、当該エッチング分布に基づくエッチング処理条件を設定するエッチング処理条件設定手段４０とを有する。 - 特許庁 - To provide an etching method capable of etching while raising an etching rate and an etching selection rate with respect to an organic Si based low dielectric constant film, when a SiC part of a body to be processed is etched by plasma of etching gas by using the organic Si based low dielectric constant film as a mask.
有機Ｓｉ系低誘電率膜をマスクとして被処理体のＳｉＣ部分をエッチングガスのプラズマによりエッチングする場合に、エッチングレートおよび有機Ｓｉ系低誘電率膜に対するエッチング選択比を高くしてエッチングすることができるエッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - To obtain an etching shape without a side-wall deposition film as a reattached etching film to a sidewall of a resist, without disturbing minute patterning in a non-reactive sputtering etching step.
反応性を用いないスパッタエッチングにおいて、微細化を妨げることなく被エッチング膜のレジスト側壁への再付着による側壁析出膜のないエッチング形状を得る。 - 特許庁 - After start of 'outer shape etching operation' and the Cr film 31 existing in a form of a single layer is molten and removed, a 'groove etching operation' and the 'groove etching operation' are processed in parallel.
「外形エッチング動作」の開始後、単層で存在するＣｒ膜３１が溶融除去された後に、「溝部エッチング動作」が「外形エッチング動作」と並行される。 - 特許庁 - To obtain a predetermined amount of etching from immediately after the start of continuous etching treatment irrespective of the duration of treatment suspension before the start of the continuous etching treatment.
連続エッチング処理を開始する前の処理休止時間の長さに関わらず連続エッチング処理の開始直後から所定のエッチング量が得られるようにする。 - 特許庁 - To provide an additive for suppressing the side etching of a copper printed circuit board which has the excellent effect of suppressing side etching in wet type etching, and enables the production of a fine circuit pattern.
湿式エッチングにおけるサイドエッチング抑制効果に優れ、微細な回路パターンの作製を可能にする銅プリント配線板のサイドエッチング抑制用添加剤を提供する。 - 特許庁 - To provide an etching method capable of uniformly bringing an etching liquid into contact with the glass surface and uniformly etching the glass surface and to provide a device used to the method.
ガラス表面に均一にエッチング液を接触させ、ガラス表面を均一にエッチングすることが可能なエッチング方法及びこの方法に使用する装置の提供。 - 特許庁 - To solve the problem of the conventional passivation method in the vicinity of a semiconductor bonding pad that, whichever the etching time of a polyimide film may be long or short, it causes a trouble in wire bonding, and the margin of the etching time is small in the etching process of the polyimide film, failure rate is high.
従来の半導体のボンディングパッド付近のパッシベーション方法は、ポリイミド膜のエッチング時間が長くても短くてもワイヤボンディングに支障をきたす。 - 特許庁 - To provide a circuit board and a manufacturing method thereof, where the adverse effects of wet etching on an environment or human bodies are lessened and a board can be improved in degree of freedom of processing by a method wherein etching by the use of gas is employed in place of wet etching.
ガスを用いたエッチングにより、ウエットエッチングでは不可能な環境や人体への負荷低減及び基板に対する加工自由度の向上を図ること。 - 特許庁 - The etching shifting amount E in an L&S pattern and the density difference Δ between etching shifts ((the etching shift in an isolated pattern)-(the etching shift in the L&S pattern)) can be expressed by the function of OE and SO_2 (wherein, OE and SO_2 respectively denote an over etching amount and an SO_2/O_2 flow ratio).
評価値として、Ｌ＆Ｓパターンにおけるエッチングシフト量をＥ、エッチシフトの疎密差（（孤立パターンにおけるエッチングシフト）−（Ｌ＆Ｓパターンにおけるエッチングシフト））をΔ、オーバーエッチング量をＯＥ、ＳＯ_２／Ｏ_２流量比をＳＯ_２とすると、Ｅ及びΔはＯＥ及びＳＯ_２の関数で表すことができる。 - 特許庁 - An estimated etching time to achieve a proper etching quantity is calculated based on the estimated etching rate and used for the control, reducing the production variation of fine devices.
エッチングレート予測値により適切なエッチング量とするエッチング処理時間を算出し、これにより制御することで微細デバイスの製造ばらつきを低減させる。 - 特許庁 - Hence, when etching for the formation of a ridge stripe is conducted, etching will not progress penetrating the p-type GaInP etching stop layer 105, and a desired ridge shape can be formed.
従って、リッジストライプを形成するエッチングの際、ｐ型ＧａＩｎＰエッチング停止層１０５を貫通してエッチングが進行することなく、所望のリッジ形状を形成し得る。 - 特許庁 - Moreover, since the just etching time JET is extended only as much as Δt, the over-etching time OET in the over-etching vessel 12 is set as (JET+Δt)×m%.
また、ジャストエッチング時間ＪＥＴがΔｔだけ延びることから、オーバーエッチング槽１２内でのオーバーエッチング時間ＯＥＴを（ＪＥＴ＋Δｔ）×ｍ％として設定する。 - 特許庁 - To provide an etching method capable of controlling an etching amount with high accuracy, to provide a manufacturing method of the semiconductor device employing the etching method, and to provide the semiconductor device.
高精度にエッチング量を制御することのできるエッチング方法、かかるエッチング方法を用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma etching method capable of coping with both of excellent etching selectivity and shaping property upon etching a hole, having fine and high aspect ratio, on an oxide film.
酸化膜に微細かつ高アスペクト比のホールをエッチングする際に、良好なエッチング選択性および形状性を両立することができるプラズマエッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method and a device capable of exactly obtaining an etching degree during and/or after an etching process independently of an etching method of a material.
材料のエッチング方法に関係なく、エッチング工程の間および／または後にエッチングの程度を正確に求めることができる方法および装置を提供する。 - 特許庁 - Straight chain fluorocarbon gas is used as etching gas, and the etching of the reflection preventing film 32 and the interlayer insulating film 31 is effected collectively and continuously under the same etching condition.
エッチングガスとして、直鎖フロロカーボンガスを用い、同じエッチング条件で連続して反射防止膜３２と層間絶縁膜３１とを一括してエッチングするようにした。 - 特許庁 - To provide an etching method capable of forming a large hollow or a space having a complicated configuration with high formal accuracy by etching a sacrificial layer through a very small etching opening.
微細なエッチング開口からの犠牲層のエッチングにより、大きな中空部や複雑な構成の空間部を形状精度良好に形成できるエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - When etching is performed, the etching is completed in such a state where a part of an expanding part 18a around the via hole 16 is left while the fringe portion of the extending part is removed by the etching.
エッチング時に、ビアホール１６周辺の広がり部１８ａについて、その周縁部をエッチングにより除去するとともに、一部を残してエッチングを終了する。 - 特許庁 - An etching pot 5 is filled with an etching solution, and a wafer 4 is supported by the bottom part in a state in which the outer peripheral part is sealed, and the face to be treated of the wafer 4 is brought into contact with the etching solution.
エッチングポット５には内部にエッチング液が満たされ、底部にウエハ４が外周部をシールした状態で支持され、ウエハ４の被処理面がエッチング液に接する。 - 特許庁 - To obtain a method of detecting the end point of etching which can detect the end point of etching with good accuracy and a device for the same and a dry etching system having this device.
エッチング終点を精度よく検出することができるエッチング終点検出方法及びその装置、並びに同装置を有するドライエッチング装置を得ること。 - 特許庁 - To improve an etching end point detecting pattern in degree of freedom of design and to provide an etching end point detecting method capable of accurately detecting an etching end point.
エッチング終点検出用パターンの設計の自由度を改善するとともに、エッチングの終点を正確に検出することができるエッチング検出方法を提供すること。 - 特許庁 - The etching method presents an effect capable of evenly etching the zinc oxide-based material, especially a zinc oxide-based material having a (000-1) crystal surface, without generating etching residues.
酸化亜鉛系材料、とりわけ（０００−１）の結晶面を有する酸化亜鉛系材料を、エッチング残渣を発生させず平坦にエッチングできるという効果を奏する。 - 特許庁 - A cathode 5, an anode 6 and a seal device 9 are provided to the chamber 3 of the etching device 2, and an etching solution supply pipe 7 and an etching solution discharge pipe 8 are connected.
エッチング装置２のチャンバー３には、陰電極５、陽電極６及びシール装置９が設けられ、エッチング液供給管７及びエッチング液排出管８が接続される。 - 特許庁 - In a backside etching process for flattening a light-receiving surface of a semiconductor substrate and a backside opposite thereto by wet etching, an etching liquid out of a region where the semiconductor substrate is immersed in the etching liquid is sprayed to the backside while the semiconductor substrate is being immersed in the etching liquid with the light-receiving surface covered.
半導体基板の受光面と反対側の裏面を湿式エッチングにより平坦化する裏面エッチング工程において、受光面を被覆して半導体基板をエッチング液中に浸漬させた状態で、半導体基板が浸漬している領域外にあるエッチング液を裏面に噴き付ける。 - 特許庁 - In the upper layer overetching step, as its etching conditions, the etching rates of the Ti/TiN layer 16 is made to nearly match the etching rate of the AlCu layer 15.
この上層オーバエッチング工程では、エッチング条件が、Ｔｉ／ＴｉＮ層１６のエッチングレートとＡｌＣｕ層１５のエッチングレートとがほぼ一致するような条件に変更される。 - 特許庁 - To enhance the speed for etching a sacrifice layer and to diminish the speed for etching an etching stop layer in a manufacturing method of a display device which is formed by transferring thin film transistors.
薄膜トランジスタを転写して形成する表示装置の製造方法における犠牲層のエッチングの高速化と、エッチング停止層におけるエッチングの低速化。 - 特許庁 - To reduce the generation of each kind of toxic gas, to reduce corrosion to an etching device, and to realize etching liquid for removing the film and residue of Pt and Au by etching, and an etching method using the etching liquid in the manufacturing method of a semiconductor device when using precious metals such as platinum and gold.
白金や金などの貴金属を使用した際の半導体装置の製造工程において、各種有毒ガスの発生を低減し、エッチング装置への腐食を軽減させた上で、ＰｔやＡｕの膜や残渣をエッチング除去するためのエッチング液及びそれを使用したエッチング方法を実現する。 - 特許庁 - In etching equipment 1, TMAH aqueous solution 3 of 22 wt.% is kept at 80°C in an etching bath 2, and a silicon wafer 6 is dipped and treated by etching.
エッチング装置１は、エッチング槽２内に２２ｗｔ％のＴＭＡＨ水溶液３を８０℃に保持した状態とし、シリコンウエハ６を浸漬してエッチング処理を行なう。 - 特許庁 - The etching speed is found by detecting a peak of nitrogen isotope 15N content in an etching atmosphere, when etching the nitrogen compound layers 16-26.
また、窒素化合物層１６−２６をエッチングする際に、エッチング雰囲気中の窒素同位体Ｎ１５の含有量のピークを検出することでエッチング速度を求める。 - 特許庁 - By the dry etching method, even when dry etching advances, it becomes difficult for the semiconductor substrate to be electrically charged, thus increasing the uniformity of the etching rate in the plane of the substrate.
このドライエッチング方法によれば、ドライエッチングが進行しても半導体基板が帯電し難くなり、基板面内におけるエッチングレートの均一性が向上する。 - 特許庁 - To provide a silicon substrate etching method etc. having a high etching speed and capable of obtaining an etching structure excellent in unevenness and the degree of the right angle of a wall surface.
エッチング速度が速く、しかも壁面の平滑性及び直角度に優れたエッチング構造物を得ることができるシリコン基板のエッチング方法等を提供する。 - 特許庁
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