「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 43 44 45 46 47 48 49 50 51 .... 399 400 次へ＞- As etching conditions, an etching rate of the upper electrode 3 is larger than that of the insulating film 2.
次に、エッチング条件として、絶縁膜２より上部電極３のエッチレートが大きい条件を選択する。 - 特許庁 - METHOD FOR COLLECTING INDIUM FROM OXALIC ACID ETCHING WASTE LIQUID
シュウ酸エッチング廃液からのインジウムの回収方法 - 特許庁 - SUCTION TYPE LOCAL MICROPLASMA ETCHING APPARATUS WITH MICROSCOPE
顕微鏡付吸引型局所マイクロプラズマエッチング装置 - 特許庁 - PLASMA COMPOSITION FOR SELECTIVELY ETCHING HIGH-k MATERIAL
選択的に高ｋ材をエッチングするためのプラズマ組成 - 特許庁 - An etching gas is introduced in the reaction chamber 10.
反応室１０は、内部にエッチングガスが導入される。 - 特許庁 - Next, the first active layer 30a of part without the etching mask 42 is etched using the etching mask 42.
次に、エッチングマスク４２を用いてエッチングマスク４２が存在しない部分の第１活性層３０ａをエッチングする。 - 特許庁 - Vertical nano circuits (100 and 300) are manufactured by such known standard processes as Damascene, wet etching, and reactive etching.
縦型ナノ回路(100,300)は、Damascene、ウェットエッチング、反応性エッチング等の標準的な既知のプロセスを用いて作製される。 - 特許庁 - Next, an etching restricting film on the photodiode is removed.
次いで、フォトダイオード上のエッチング抑制膜を除去する。 - 特許庁 - Then, a portion of the damage layer is removed by etching.
そして、該ダメージ層の一部をエッチングにより除去する。 - 特許庁 - A defective bump is removed from a wafer through chemical etching.
不良バンプをウェーハから化学エッチングにより取り除く。 - 特許庁 - The etching stopper film 3 prevents etching from propagating to the semi-transmissive film 2 when the light shielding film 4 is etched.
エッチングストッパー膜３は、遮光膜４をエッチングする際にエッチングが半透過膜２まで進行しないようにする。 - 特許庁 - To realize high etching rate while suppressing generation of a defect in a protective film being formed in an etching portion.
エッチング部に形成される保護膜における欠陥の発生を抑制するとともに、高いエッチングレートを実現する。 - 特許庁 - The etching chamber 15 is provided with a plasma etching means 14, and the cleaning room 17 is provided with a washing unit 16.
エッチング室１５にはプラズマエッチング手段１４が、洗浄室１７には水洗ユニット１６が設けられる。 - 特許庁 - A score is marked on a copper plate by etching.
矩形の銅板に、エッチングによって楽譜を刻印する。 - 特許庁 - The casting mold 1 is removed with cutting or etching.
鋳型（１）は切削またはエッチングによって除去される。 - 特許庁 - To improve a selection ratio in etching Si and SiG.
ＳｉとＳｉＧのエッチング時の選択比を向上させる。 - 特許庁 - According to this method, the oxide of the polymer is removed through etching.
これにより、ポリマーの酸化物がエッチング除去される。 - 特許庁 - To suppress side etching as far as possible.
サイドエッチングを可及的に抑制することを可能にする。 - 特許庁 - To improve a etching shape by preventing a deposit produced at the time of etching from adhering to a mask.
エッチング材のエッチング時に発生するデポ物がマスクに付着するのを防止して、エッチング形状の改良を図る。 - 特許庁 - As a result, the etching accuracy of a wiring groove is improved.
これにより、配線溝のエッチング精度を向上させる。 - 特許庁 - To achieve residue-free etching of a silicon-containing film, in which the treatment time is short and etching of the underlying film is prevented.
処理時間を短縮し、かつ下地膜のエッチングを抑制しつつ、シリコン含有膜を残渣無くエッチングする。 - 特許庁 - RESIST ASHING METHOD AFTER ETCHING WITH ORGANIC INTERLAYER INSULATING FILM
有機層間絶縁膜エッチング後のレジストアッシング方法 - 特許庁 - To uniformly perform recess etching treatment to the surface of a wiring layer.
配線層の表面を均一にリセスエッチング処理する。 - 特許庁 - At this etching time, etching processing of a dimple pattern 49 is carried out to the dummy electrode 46, whereby a plurality of dents are formed to the dummy electrode 46.
このエッチングの際に、前記ダミー電極４６に対して、ディンプルパターン４９のエッチング処理を施す。 - 特許庁 - BOARD-CONNECTION TAPE, AND ETCHING METHOD USING THE SAME
基板接続用テープおよびそれを用いたエッチング方法 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING DRY ETCHING EQUIPMENT, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
ドライエツチング装置および半導体装置の製造方法 - 特許庁 - In the etching step, the opening of the trench is enlarged by etching the silicon film deposited in the first deposition step.
エッチング工程では、第１成膜工程で成膜されたシリコン膜をエッチングして前記溝の開口部を広げる。 - 特許庁 - To provide a dry etching device for improving the uniformity in etching, device yields, and productivity.
エッチングの均一性を改善し、デバイスの歩留まりを高め、生産性を向上できるドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - The front shield has controlled thickness upon etching.
前方シールドはエッチングの際、制御された厚さを有する。 - 特許庁 - To provide an etching method allowing microfabrication, and capable of stably and excellently etching an object.
微細化を可能にすると共に、安定して良好な腐刻を行うことを可能にする腐刻方法を提供する。 - 特許庁 - To reduce step level differences after wet etching in an embedded structure.
埋め込み構造のウエットエッチング後の段差を低減する。 - 特許庁 - The polycrystal silicon film 12 is removed by etching.
次に、多結晶シリコン膜１２をエッチングして除去する。 - 特許庁 - PHOTOSENSITIVE HOT MELT RESIST AND ETCHING METHOD USING SAME
感光性ホットメルトレジスト及びそれを用いたエッチング方法 - 特許庁 - SOLUTION AND METHOD FOR ETCHING THIN COPPER FOIL
薄銅箔用エッチング液および薄銅箔エッチング方法 - 特許庁 - Diluting the plasma increases the etching rate and makes the etching rate more uniform across the diameter of the processing chamber.
プラズマを希釈すると、エッチング速度が増大し、エッチング速度が処理チャンバの直径両端まで均一になる。 - 特許庁 - ETCHING METHOD AND SUBSTRATE WITH ELECTROCONDUCTIVE POLYMER
エッチング方法、及び、導電性高分子を有する基板 - 特許庁 - To provide a plasma etching apparatus that can perform etching with excellent in-plane uniformity and that can reduce the nonuniformity of the CD shift caused by variations in the surface density.
ＣＤシフトの疎密差を含めた面内均一性に優れたプラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - an etching made by a process that makes it resemble a water color
水の色に似せるプロセスによって作られるエッチング - 日本語WordNet - To attain the optimum electric characteristic where a difficulty of selective wet etching and an etching damage can be removed.
選択的なウェットエッチングの難しさ及びエッチングダメージが除去できて最適の電気的特性を得ること。 - 特許庁 - The material is removed by lapping and polishing, chemical etching, plasma etching, or laser abrasion, for example.
この材料の除去は、例えば、ラッピング及び研磨、化学的エッチング、プラズマエッチングまたはレーザアブレーションによって行う。 - 特許庁 - LOCAL DRY ETCHING METHOD AND APPARATUS FOR SOI WAFER
ＳＯＩウェハーの局所ドライエッチング方法および装置 - 特許庁 - ETCHING FOIL FOR ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITOR AND CHEMICAL CONVERSION FOIL THEREOF
アルミ電解コンデンサ用エッチング箔及びその化成箔 - 特許庁 - To provide an etching method capable of widening the frontage of a pattern of an etching mask even in a dry process.
ドライプロセスにおいてもエッチングマスクのパターンの間口を広くすることができるエッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - PLASMA ETCHING METHOD, PLASMA ETCHING APPARATUS, CONTROL PROGRAM, COMPUTER RECORDING MEDIUM, AND RECORDING MEDIUM RECORDED WITH TREATMENT RECIPE
プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム、コンピュータ記録媒体及び処理レシピが記録された記録媒体 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR LASER, ITS MANUFACTURING METHOD, AND ETCHING METHOD
半導体レーザとその製造方法およびエッチング方法 - 特許庁 - PLASMA ETCHING METHOD AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
プラズマエッチング方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁 - PLASMA ETCHING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
プラズマエッチング装置および半導体装置の製造方法 - 特許庁 - To prevent excess etching in a shared contact region.
シェアードコンタクト領域での過剰なエッチングを防止する。 - 特許庁 - To provide a plasma-processing device or a dry-etching method for etching a film structure having steps with high accuracy.
段差を有する膜構造を高精度にエッチングするプラズマ処理装置またはドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - DRY ETCHING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR APPARATUS
ドライエッチング装置及び半導体装置の製造方法 - 特許庁
