「etching」を含む例文一覧(19972)

<前へ 1 2 .... 41 42 43 44 45 46 47 48 49 .... 399 400 次へ>
  • To provide an etching solution having excellent wettability improving effect and excellent antifoaming property in etching, and providing a BM (Black Matrix) free from etching residue, and also to provide a method of manufacturing the BM.
    エッチングの際に、濡れ性向上の効果および消泡性が優れており、エッチング残りのないBMが得られるエッチング液およびBMの製造方法を提供すること。 - 特許庁
  • The etching is carried out by using a mixture acid of hydrofluoric acid and nitric acid and preferably to an etching amount (thickness to be removed) of at least 1 μm.
    フッ酸と硝酸の混酸を用い、エッチング量(除去厚さ)を1μm以上とすることが望ましい。 - 特許庁
  • DRY ETCHING METHOD, AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC MEMORY DEVICE
    ドライエッチング方法及び磁気メモリ装置の製造方法 - 特許庁
  • To increase an etching rate and a resist selection ratio.
    エッチングレートの高速化とレジスト選択比を向上させる。 - 特許庁
  • To provide an etching device which provides a printed circuit board with entirely uniform front and rear surfaces and high etching factors.
    表裏とも面全体で均一でエッチ・ファクタの高い配線板を得ることができるエッチング装置を提供する。 - 特許庁
  • The rounding of the corners of the projections can be carried out by dry etching, wet etching, or annealing.
    また、前記凸部角のラウンド形状は、ドライエッチング、ウェットエッチング、アニールの何れかの方法で行うことができる。 - 特許庁
  • To provide an etching method with an improved etching factor, and a method for manufacturing a circuit device by using it.
    エッチングファクターを向上させたエッチング方法およびそれを用いた回路装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • PARALLEL FLAT-PLATE DRY ETCHING DEVICE AND METHOD THEREFOR
    平行平板型ドライエッチング装置及びドライエッチング方法 - 特許庁
  • STRUCTURE AND METHOD OF PRESERVING STI DURING ETCHING
    エッチング中にSTIを保持する構造および方法 - 特許庁
  • To provide an etching method of a zinc oxide-based material, which can evenly etch the zinc oxide-based material without generating etching residues.
    エッチング残渣を発生させず平坦にエッチングできる酸化亜鉛系材料のエッチング方法を提供すること。 - 特許庁
  • To exchange a speaker grill made of an etching metal.
    エッチングメタルからなるスピーカグリルの交換を可能にする。 - 特許庁
  • An etching device 21 comprises a load lock chamber 23, an etching chamber 24, an ashing chamber 25, and an unload lock chamber 26.
    エッチング装置21は、ロードロック室23と、エッチング室24と、アッシング室25と、アンロードロック室26とを有する。 - 特許庁
  • To provide a product of etching which enables presentation of gradation.
    階調表現が可能なエッチング製品を提供する。 - 特許庁
  • METHOD FOR QUANTITATIVELY ANALYZING MIXED ACID LIQUID IN ETCHING PROCESS
    エッチングプロセスにおける混酸液の定量分析方法 - 特許庁
  • To provide an etching method which can perform etching of an optical fiber while controlling the diameter dimension of the optical fiber.
    光ファイバの直径寸法を制御しながらのエッチングが可能となる、光ファイバのエッチング方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a method of selective etching improved by using an etch stop layer.
    エッチング停止層を使用する選択的エッチング法 - 特許庁
  • Thereafter, this silicon oxide film is removed through etching.
    その後、この酸化シリコン膜をエッチングにより除去する。 - 特許庁
  • The substrate is melted later in selective etching.
    基板は後に選択的エッチングにおいて溶解させられる。 - 特許庁
  • METHOD TO CONTROL CRITICAL DIMENSION IN ETCHING PROCESS
    エッチングプロセスにおける臨界寸法を制御する方法 - 特許庁
  • METHOD FOR ETCHING ULTRAVIOLET LIGHT-TRANSMITTING POLYMER MATERIAL
    紫外光透過性高分子材料のエッチング方法 - 特許庁
  • To provide an etching method capable of processing materializing a wiring according to its design without causing side etching.
    サイドエッチを発生させずに、設計通りの配線幅を有する加工が可能なエッチング方法を提供する。 - 特許庁
  • To increase the selection rate of an interlayer insulation film and an etching stop film in a self aligned contact(SAC) etching technique.
    セルフアラインコンタクト(SAC)エッチング技術において、層間絶縁膜とエッチング停止膜の選択比を大きくする。 - 特許庁
  • To provide an etching method with an improved etching factor and a method for manufacturing a circuit device by using the above method.
    エッチングファクターを向上させたエッチング方法およびそれを用いた回路装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • ETCHING/CLEANING TREATMENT METHOD AND DEVICE THEREOF
    エッチング/洗浄処理方法及びエッチング/洗浄処理装置 - 特許庁
  • Then, the SiO_2 film 27 is removed by wet etching.
    次に、このSiO_2膜27をウェットエッチングで除去する。 - 特許庁
  • MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND WET ETCHING DEVICE
    半導体装置の製造方法及びウエットエッチング装置 - 特許庁
  • Etching is performed to the depth where a part of an outer shape cross section of a crystal device remains by dry etching on the surface 9a.
    表面9aのドライエッチングで水晶デバイスの外形断面の一部が残る深さまでエッチングする。 - 特許庁
  • To provide an etching method for obtaining a highly precise and minute pattern by reducing remaining of an etching residue.
    エッチング残渣の残留を低減し、高精度でかつ微細なパターンを得ることができるエッチング方法を提供する。 - 特許庁
  • METHOD OF MANUFACTURING SUBMICRON GATE INCLUDING ANISOTROPICAL ETCHING
    非等方性エッチングを含むサブミクロンゲートの製造方法 - 特許庁
  • A ridge 11 is formed on an etching stop layer 5.
    エッチング停止層5上にはリッジ部11を形成する。 - 特許庁
  • FOCUS RING FOR PLASMA ETCHING APPARATUS GENERATING FEWER PARTICLES
    パーティクル発生の少ないプラズマエッチング装置用フォーカスリング - 特許庁
  • ASSEMBLING METHOD FOR ETCHING THIN PLATE FOR FORMING FLUID MODULE
    流体モジュール形成用エッチング薄板の組立方法 - 特許庁
  • Fundamentally, etching or the like of the pattern is not performed after plating.
    基本的には鍍金後に紋様を蝕刻などしない。 - 特許庁
  • To provide a surface treatment method of an aluminum material where, upon the etching of aluminum foil for electrolytic capacitor, satisfactory etching properties are secured by pretreatment.
    電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチングに際し、前処理によって良好なエッチング性を確保する。 - 特許庁
  • DRY ETCHING METHOD, AND PATTERNING METHOD FOR METAL THIN FILM
    ドライエッチング方法及び金属薄膜のパターニング方法 - 特許庁
  • DRY ETCHING METHOD OF InP AND METHOD OF FORMING VIA HOLE
    InPのドライエッチング方法およびビアホール形成方法 - 特許庁
  • To provide high shape control of a silicon structure formed by combining anisotropic etching with isotropic etching.
    異方性エッチングと等方性エッチングとを組み合わせたシリコン構造体の高度な形状制御を実現する。 - 特許庁
  • A sacrificial layer remover is introduced from the etching hole 10 to reduce residues 17 of the sacrificial layer generated by the electrolytic etching.
    エッチング孔10から犠牲層除去剤を導入し、電解エッチングによる犠牲層の残渣17を低減する。 - 特許庁
  • In the dry etching method, a high frequency voltage is modulated in an amplitude modulation(AM) manner and then applied as a bias voltage in a plasma etching apparatus.
    プラズマエッチング装置において、高周波電圧をAM変調したものをバイアス電圧として印加する。 - 特許庁
  • METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING LEVEL DIFFERENCE, AND ETCHING METHOD
    段差測定方法とその装置およびエッチング方法 - 特許庁
  • ETCHING METHOD, SURFACE ACOUSTIC WAVE ELEMENT, AND ELECTRONIC APPARATUS
    エッチング方法、弾性表面波素子および電子機器 - 特許庁
  • METHOD OF PLASMA ETCHING, AND CARRIER FOR USE IN SUCH METHOD
    プラズマエッチング方法及び該方法に使用する載置台 - 特許庁
  • To accurately detect an etching defective lot and to suppress the generation of a following etching defective lot simultaneously.
    エッチング不良のロットを精度よく発見できると同時に、後続のエッチング不良のロットの発生を抑制する。 - 特許庁
  • An acid etching liquid is then brought into contact with the laminate to apply acid-etching only to the peripheral part of each wafer of the laminate.
    次いで積層体に酸エッチング液を接触させ、積層体の各ウェーハの外周部のみを酸エッチングする。 - 特許庁
  • PHOTORESIST SUBJECTED TO POST ETCHING, STRIPPER CONTAINING ACETAL OR KETAL FOR REMOVING ETCHING POLYMER AND RESIDUAL MATERIAL
    ポストエッチングしたフォトレジスト、エッチングポリマーおよび残留物を除去するためのアセタールまたはケタールを含有するストリッパー - 特許庁
  • The profile formed by anisotropic etching is controlled by defining the depth and the profile of the etching guide hole.
    エッチング誘導孔の深さと形状を規定することにより、異方性エッチングで形成する形状を制御する。 - 特許庁
  • METHOD FOR CONTROLLING FERRIC CHLORIDE ETCHING SOLUTION AND APPARATUS THEREFOR
    塩化第二鉄エッチング液の管理方法および装置 - 特許庁
  • ITO DRY ETCHING DEVICE AND METHOD USING THE SAME
    ITOドライエッチング装置およびこれを用いる方法 - 特許庁
  • A de-smearing step (S21) is performed after a pattern etching step (S5).
    パターンエッチング(S5)の後に、デスミヤ処理(S21)を行う。 - 特許庁
  • PLASMA ETCHING OF CARBONACEOUS LAYER WITH SULFUR-BASED ETCHANT
    硫黄系エッチャントを用いた炭素質層のプラズマエッチング - 特許庁
<前へ 1 2 .... 41 42 43 44 45 46 47 48 49 .... 399 400 次へ>

例文データの著作権について

  • 特許庁
    Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.