「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 49 50 51 52 53 54 55 56 57 .... 399 400 次へ＞- In a release etching method used to manufacture the structure, the material layer protects the conductor layer from the damage which may be caused by etching agent.
構造を製造する剥離エッチング法において、材料層は、導体層をエッチング剤による損傷から保護する。 - 特許庁 - To provide a wet etching apparatus which can be improved in efficiency of removing reactive products in an etching bath in comparison with the conventional one.
従来に比べて、エッチング槽内の反応生成物の除去率を向上し得るウェットエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - In the semiconductor manufacturing apparatus, the pressure in an etching tank never rises to a level higher than required, and no moisture content flows outside the etching tank.
槽内の圧力が必要以上に上がらず、しかもエッチング槽外へ水分が流れ出ない事を両立できる。 - 特許庁 - Then, the GaAs substrate 1 and the buffer layer 2 are removed from the laminate by etching, and then an etching stop layer 3 is removed.
次に、エッチングによって、まずＧａＡｓ基板１とバッファー層２とを除去し、続けてエッチング停止層３を除去する。 - 特許庁 - This etching apparatus has a rotary holding plate 30 having a work base and an etching solution supply device 36 facing the work base.
エッチング装置は、作業台を有する回転保持板と、作業台に面するエッチング溶液供給機とを有する。 - 特許庁 - To provide etching equipment of high reliability wherein a uniform etching characteristic can be obtained over the diameter of a silicon substrate.
シリコン基板の直径にわたって均一なエッチング特性が得られる信頼性の高いエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an underwater remote investigation device capable of preventing the leakage of an etching solution and capable of shortening the execution time of etching.
エッチング液の漏洩を防止でき、エッチングの施工時間を短縮できる水中遠隔調査装置を提供する。 - 特許庁 - The etching of a DBC substrate formed by etching a copper plate which is bonded to a ceramic substrate is tested.
本発明は、セラミック基板の上に接合された銅板をエッチングすることにより形成されるDBC基板のエッチングを試験する。 - 特許庁 - To provide an apparatus and etching method allowing increase of mask selection ratio, improving anisotropy and enabling a deeper etching.
マスク選択比を大きくでき、異方性に優れ、深くエッチングすることのできるエッチング方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - For example, the etching may be carried out by a reactive ion etching method whose temperature condition is made about 200°C and which uses chlorine gas.
例えば、温度条件を２００℃程度とし、塩素ガスを用いた反応性イオンエッチング法によりエッチングすればよい。 - 特許庁 - DRY-ETCHING SYSTEM, METHOD OF CLEANING DRY-ETCHING SYSTEM, AND DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRO-OPTIC DEVICE
ドライエッチング装置、ドライエッチング装置のクリーニング方法、電気光学装置の製造装置及び電気光学装置の製造方法 - 特許庁 - To considerably reduce a time and a cost required for a dummy etching after exchanging a deposition-preventive shield in a pre-etching chamber.
前処理エッチングチャンバー内の防着シールドの交換後のダミーエッチングに要する時間とコストを大きく低減させる。 - 特許庁 - To provide an etching liquid which rapidly dissolves nickel, chromium or a nickel-chromium alloy, and can suppress the etching of copper.
ニッケル、クロム若しくはニッケル・クロム合金を速やかに溶解し、かつ銅のエッチングを抑制できるエッチング液を提供する - 特許庁 - The optical base plate is placed on the etching stopper layer exposed from the surface layer by the etching.
前記エッチング処理により前記表層から露出した前記エッチングストッパ層上に前記光学基板が載置されている。 - 特許庁 - The silicon oxide layer 62 can be dry-etched continuously to the dry etching of the conductive layer 63 without changing an etching gas.
エッチングガスを変更することなく、導電性層63のドライエッチングに連続して酸化シリコン層62をドライエッチングできる。 - 特許庁 - To control the depth of etching when a contact hole is out of low layer wiring in the case of etching when forming the contact hole.
コンタクトホール形成時のエッチングにおいてコンタクトホールが下層配線を踏み外す場合のエッチング深さを制御する。 - 特許庁 - A sample stage 9 for mounting a wafer 10 is provided in an etching treatment chamber 4 in a microwave plasma etching system.
マイクロ波プラズマエッチング装置のエッチング処理室４に、ウェハ１０を載置するための試料台９が設置されている。 - 特許庁 - In general, carbon contributes to the improvement of etching durability of the resist film and, therefore, the etching durability of the resist pattern 2 is improved.
一般に炭素はレジスト膜のエッチング耐性の向上に寄与するので、レジストパターン２のエッチング耐性は向上される。 - 特許庁 - The anisotropic etching process and the isotropic etching process are alternately repeated to etch the color filter on the support member 32.
異方性エッチング処理と等方性エッチング処理とを交互に繰り返して支持体３２上のカラーフィルタをエッチングする。 - 特許庁 - After the etching, the excessive etching stopper layer 35 can easily be removed using oxalic acid having no influence on the circuit board 17.
エッチング後には、余分なエッチングストッパ層35を回路基板17に影響のない蓚酸を用いて容易に除去できる。 - 特許庁 - The significant negative etching bias of the BARC etching is then utilized to etch an opening, having a reduced critical dimension into the substrate layer.
ＢＡＲＣエッチングの大きな負のエッチングバイアスを利用して、限界寸法の減じた開口部を、基板層にエッチングする。 - 特許庁 - To provide a plasma etching method capable of restraining an active gas unhelpful to plasma etching from being discharged out into the air.
プラズマエッチングに寄与しない活性ガスの大気への排出を抑えることのできるプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an etching device capable of improving precision in a pattern formed by dry etching using a resist.
レジストを使用してドライエッチングにより形成されるパターンの精度を高くすることができるエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - Further, the ridge height becomes strictly controllable by making wet etching stop by use of an etching stop layer 5.
また、ウェットエッチングは、エッチングストップ層５を利用して停止させることにより、リッジ高さを厳密に制御することができる。 - 特許庁 - Then, an etching solution is supplied into the slits 74 to remove the non-doped silicon layers 73 by wet etching.
次に、スリット７４内にエッチング水溶液を導入することにより、ノンドープドシリコン層７３をウェットエッチングして除去する。 - 特許庁 - To enable high-speed etching by simultaneously improving mask selection ratio and shape of anisotropy in the etching process of Si.
Ｓｉのエッチングにおいて、マスク選択比および異方性形状を同時に向上させ、高速エッチングも可能とすること。 - 特許庁 - The salt exists in the etching agent in sufficient amount for etching a support layer, and can have a melting temperature exceeding about 200°C.
塩は、支持層のエッチングに十分な量でエッチング剤中に存在し、約２００℃を上回る溶融温度を有し得る。 - 特許庁 - In a process of forming the micro passage 12A in Fig. 1(c), wet etching may be used instead of anisotropic dry etching.
なお、図１（ｃ）のマイクロ流路１２Ａを形成する工程では、異方性ドライエッチングに代えて、ウェットエッチングを用いてもよい。 - 特許庁 - To provide an etching method of an acceleration cavity preventing adhesion of bubbles to a metal surface used as an etching object.
エッチングの対象となる金属表面への気泡の付着を防止する加速空胴のエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - Under the aforementioned etching conditions, an etching-resistant deposit is formed except for the region near the spacer projection 2.
このようなエッチング条件であると、スペーサ突起２に近接した個所を除いて、耐エッチング性の堆積物５が形成される。 - 特許庁 - To provide an etching method by which an etching hole having a tapered periphery can be formed efficiently in a short time.
周辺部がテーパ状のエッチング孔を短時間で効率よく形成することができるエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - Then, an etching process is performed using the first mask pattern 121 and the second mask pattern 123 as etching masks.
そして、第１マスクパターン１２１及び第２マスクパターン１２３をエッチングマスクとして使用してエッチング工程を実施する。 - 特許庁 - The anisotropic etching is implemented with an etching solution such as potassium hydroxide aqueous solution to form a V-shaped groove.
この後水酸化カリウム水溶液等のエッチング液により、異方性エッチングを行いＶ型の溝２５，２６を形成する。 - 特許庁 - Further, there is not etching damage caused by etching of the epitaxial layer and the GaN-HFET 21 has no variation in characteristics.
また、上記エピタキシャル層のエッチングによるエッチングダメージがなく、ＧaＮ‐ＨＦＥＴ２１に特性にばらつきが生じない。 - 特許庁 - An etching grade when etching the SiO_2 of the gate oxide film 5 with a buffered hydrofluoric acid (BHF about 7%) is 1 nm/sec or more and 3 nm/sec or less.
ゲート酸化膜５であるSiO_2をバッファードふっ酸(BHF約7%)でエッチングした場合のエッチングレートを、1 nm/sec以上3 nm/sec以下とした。 - 特許庁 - To shorten a dry etching time and to decrease film reduction in a resist film by increasing the dry etching rate of a light shielding film.
遮光膜のドライエッチング速度を高めることで、ドライエッチング時間が短縮でき、レジスト膜の膜減りを低減する。 - 特許庁 - Wet etching with an etchant having selectivity for AlGaAs is used for etching of the remaining first guide layer.
第１のガイド層の残余のエッチングには、ＡｌＧａＡｓに選択性を有するエッチャントによるウェットエッチングが用いられる。 - 特許庁 - ETCHING COMPOSITION FOR WET ETCHING OF QUARTZ, SURFACE PROCESSING METHOD OF QUARTZ PLATE, AND QUARTZ PLATE OBTAINED FROM PROCESSING METHOD
水晶のウエットエッチング用エッチング組成物、水晶板の表面加工方法、及び該加工方法により得られた水晶板 - 特許庁 - In dry-etching of the SiC layer 2, a nitrogen-containing gas is added to etching as comprising halogen compound.
ここで、ＳｉＣ層２のドライエッチングでは、ハロゲン化合物を含むエッチングガスに窒素を含有するガスを添加して行う。 - 特許庁 - To easily remove dissolved metals accumulated into an iron chloride-based etching liquid containing nickel by being used for an etching.
エッチングを行うことによってニッケルを含む塩化鉄系エッチング液中に蓄積した溶解金属を容易に除去する。 - 特許庁 - To provide an electrostatic chuck device which can be commonly used for both down flow etching and reactive ion etching.
ダウンフロー型のエッチング及びリアクティブイオンエッチングの両方に共用できる静電チャック装置及び載置台を提供する。 - 特許庁 - To provide an aluminum foil for electrolytic capacitor electrodes which has excellent etching characteristics and reliability and by which electroless etching is made possible.
エッチング性および信頼性に優れ、無電解エッチングが可能な電解コンデンサ電極用アルミニウム箔を提供する。 - 特許庁 - Correlation data corresponding to correlation between a flow of a hydrogen gas and an amount of side etching in reactive ion etching is obtained.
反応性イオンエッチングにおける水素ガスの流量とサイドエッチング量との相関を示す相関データを取得する。 - 特許庁 - The planar shape of an etching groove 9 in the upper layer etching process is made to be a groove shape having multiple orientations.
上部層エッチング工程におけるエッチング溝９の平面形状を複数の方向性を持つ溝形状とする。 - 特許庁 - The temperature of an etching liquid is controlled to be the same as that of a wafer prior to the starting of wafer etching treatment.
ウエハに対するエッチング処理の開始に先立ち、エッチング液の温度がウエハの温度と同じ温度に調節される。 - 特許庁 - Etching is carried out as far as the etching stop layer 104 so as to form the second upper clad layer 106 into a ridge 105.
第２上クラッド層１０６をリッジ１０５状に残すように、エッチングストップ層１０４に達するまでエッチングする。 - 特許庁 - To provide a shadow mask material in which irregular etching at etching of piercing is prevented while maintaining low thermal expansion characteristics.
低熱膨張特性を維持しつつ、かつエッチング穿孔時の不規則エッチングを防止したシャドウマスク材を提供する。 - 特許庁 - Thus, the etching of the layer 21 from the side face is prevented in a second etching process.
これによって、第２エッチング処理工程において、被処理層２１が前記側面からエッチングされることが防止される。 - 特許庁 - After the mask member are removed, the metal foil etching process is conducted with the electrolytic plating surface-layer NM as an etching resist.
マスク材を除去した後に、電解メッキ表面層ＮＭをエッチングレジストとした、金属箔のエッチング処理を行う。 - 特許庁 - Subsequently, in a second plasma processing, a silicon substrate 101 is subjected to a plasma etching by using an etching gas to form a trench 120.
引き続き第２のプラズマ処理では、シリコン基板１０１を、エッチングガスを用いてプラズマエッチングし、トレンチ１２０を形成する。 - 特許庁
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