「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 53 54 55 56 57 58 59 60 61 .... 399 400 次へ＞- ETCHING OF ALUMINUM OVER HIGH MELTING POINT METAL WITH CONTINUOUS PLASMAS
連続プラズマによる高融点金属上のアルミニウムのエッチング - 特許庁 - METHOD FOR ETCHING SURFACE OF QUARTZ GLASS TO MANUFACTURE PHASE MASK OR THE LIKE
位相マスク等を作るための石英ガラスの表面エッチング法 - 特許庁 - subsequently, the structure is subjected to wet etching using an etching liquid to remove the island structure 124 used as a mask.
更に、(c)に示すように、エッチング液を用いて、ウエットエッチングすることによりマスクとして使用した島構造１２４を除去する。 - 特許庁 - To fundamentally prevent wafer damage in the separation of a wafer where etching has been completed in a process for etching a wafer back.
ウェーハ背面をエッチングする工程で、エッチング終了ウェーハの分離時におけるウェーハ損傷の恐れを根本的に防止する。 - 特許庁 - The fin structure can be subjected to a crystal-dependent etching.
フィン構造体に結晶依存エッチングを行うことができる。 - 特許庁 - The plurality of phase shifters have different etching depths.
ここで、複数の位相反転部は相異なるエッチング深さを持つ。 - 特許庁 - Etching uniformity is improved by temporal change of the temperature, so that excess etching can be avoided by monitoring the internal temperature.
温度の時間的変更によってエッチング均一性が向上して、内部温度を監視することで過剰エッチングが避けられる。 - 特許庁 - A backside gas pressure is set smaller than that in a main etching condition for a given period of time from the start of etching.
またエッチング開始からある一定時間の裏面ガス圧力をメインエッチング条件の裏面ガス圧力よりも小さく設定する。 - 特許庁 - To provide a dry etching method that forms a fine pattern, provides a high etching selection ratio, and allows patterning at a high aspect ratio.
微細パターンに形成でき、エッチング選択比が高く、かつ高いアスペクト比でパターニングできるドライエッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide an etching processing method of a piezoelectric wafer for forming an etching surface perpendicular to a surface of the piezoelectric wafer in a short time.
圧電ウエハの表面に対して垂直なエッチング面を短時間で形成する圧電ウエハのエッチング加工方法を提供する。 - 特許庁 - The etching may be aqueous solution etching sufficient to increase an amount of light extracted through the substrate.
このエッチングは、基板を介して抽出される光の量を増大させるのに十分な、水溶液エッチングとすることができる。 - 特許庁 - To provide a dry etching device and a dry etching method capable of improving a processing accuracy of a concave part formed on the surface of a substrate.
基板表面に形成する凹部の加工精度を向上させたドライエッチング装置及びドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - The etching residue to be removed is a predetermined part or the whole.
除去するエッチング残りは、所定の一部又は全部である。 - 特許庁 - MANUFACTURE OF MULTISTAGE STRUCTURE USING EMBEDDED ETCHING STOPPING LAYER
埋め込みエッチング停止層を用いた多段構造の製作方法 - 特許庁 - TRANSFER MATERIAL FOR LASER ETCHING, AND MANUFACTURING METHOD FOR MULTI-COLOR MOLDED ARTICLE
レーザエッチング用転写材と多色成形品の製造方法 - 特許庁 - POWER SUPPLY ROLLER IN ETCHING APPARATUS FOR SUPPLYING POWER TO FOIL FOR ELECTROLYTIC CAPACITOR
電解コンデンサ用箔給電型エッチング装置の給電ローラ - 特許庁 - METHOD FOR REMOVING MAGNETORESISTANCE SENSOR CAP DUE TO REACTIVE-ION ETCHING
反応性イオンエッチングによる磁気抵抗センサキャップの除去方法 - 特許庁 - MAGNETIC MATERIAL DRY ETCHING METHOD, MAGNETIC MATERIAL, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM
磁性材のドライエッチング方法、磁性材及び磁気記録媒体 - 特許庁 - Pattern separation is well promoted from the early stage of etching, and makes even early stop of etching less likely to pose a problem.
このためエッチングの初期からパターン分離が良好に促進され、早めにエッチングを停止しても問題が発生しにくい。 - 特許庁 - SILYLATION PROCESSING METHOD, SILYLATION PROCESSING APPARATUS, AND ETCHING PROCESSING SYSTEM
シリル化処理方法、シリル化処理装置およびエッチング処理システム - 特許庁 - (2) Disclosed is a photovoltaic generation substrate manufactured by etching the substrate.
（２）該基板をエッチングして製造される太陽光発電基板。 - 特許庁 - To provide an etching system capable of etching the circumferential edge portion of a semiconductor wafer surely.
この発明は半導体ウエハの周縁部を確実にエッチングすることができるようにしたエッチング装置を提供することにある。 - 特許庁 - Etching is performed by use of a resist 6 as a mask to form the trench 7.
レジスト６をマスクとしてエッチングしトレンチ７を形成する。 - 特許庁 - The etching treatment of a wafer W placed on a lower electrode 106 in a treatment chamber 102 of an etching device 100 is carried out.
エッチング装置１００の処理室１０２内の下部電極１０６上に載置されたウェハＷにエッチング処理を施す。 - 特許庁 - CRYSTAL DEFECT EVALUATING METHOD OF SOI WAFER AND ETCHING LIQUID
ＳＯＩウエーハの結晶欠陥評価方法およびエッチング液 - 特許庁 - ETCHING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
エッチング方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置 - 特許庁 - QUANTITATIVE ANALYSIS METHOD FOR MIXED LIQUID USED FOR METAL ETCHING PROCESS
金属エッチングプロセスに用いる混酸液の定量分析方法 - 特許庁 - CLEANING AND ETCHING COMPOSITION FOR ELECTRONIC DISPLAY DEVICE AND SUBSTRATE
電子ディスプレイおよび基材の洗浄およびエッチング用組成物 - 特許庁 - METHOD OF MANAGING ETCHING WIDTH AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
エッチング幅の管理方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁 - HIGH STRENGTH ALLOY STRIP FOR FLAT MASK HAVING EXCELLENT ETCHING PIERCEABILITY
エッチング穿孔性に優れたフラットマスク用高強度合金条 - 特許庁 - To provide an etching method for manufacturing a semiconductor device.
半導体素子を製造するためのエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma etching apparatus which can surely remove remaining chlorine adhered to the front surface of a substrate to be etched during an etching process.
エッチング時に被エッチング基板の表面に付着した残留塩素を確実に除去できるプラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - PLASMA ETCHING APPARATUS AND METHOD OF FORMING INNER WALL IN PLASMA PROCESSING CHAMBER
プラズマエッチング装置及びプラズマ処理室内壁の形成方法 - 特許庁 - To provide an etching apparatus to surely realize the etching of only the circumferential edge of a semiconductor wafer.
この発明は半導体ウエハの周縁部だけを確実にエッチングすることができるようにしたエッチング装置を提供することにある。 - 特許庁 - A substrate 1 is provided with a layer of first material 2, a first etching mask 4, a covering layer 3 and a second etching mask.
基板１には、第１の材料２の層と、第１のエッチングマスク４と、カバリング層３と、第２のエッチングマスクとが設けられている。 - 特許庁 - ETCHING APPARATUS AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE UTILIZING THE SAME
エッチング装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁 - ETCHING APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING ETCHED SUBSTRATE THEREWITH
エッチング装置およびそれを用いたエッチング基板の製造方法 - 特許庁 - ETCHING SOLUTION FOR METAL AND METHOD FOR MANUFACTURING PRINTED WIRING BOARD
金属のエッチング液及び及びプリント配線板の製造方法 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING STRUCTURE HAVING UNEVEN PATTERN, AND ETCHING MASK
凹凸パターンを有する構造体の製造方法及びエッチングマスク - 特許庁 - To improve working precision of a etching shaped article compared to an etching method of working a shaped article such as a quartz crystal substrate, etc.
水晶基板等の被成形物を加工するためのエッチング方法に対し、エッチング成形品の加工精度の向上を図る。 - 特許庁 - To sustain etching rate stably for silicon nitride film and silicon oxide film while exhibiting a high etching select ratio for both of them.
シリコン酸化膜のエッチングレートが非常に小さいシリコン窒化膜のエッチング液，その製造方法及びエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a halftone mask capable of suppressing side etching of an etching stopper layer in washing processing using concentrated sulfuric acid.
濃硫酸を用いた洗浄処理においてエッチングストッパ層のサイドエッチングを抑制することができるハーフトーンマスクを提供する。 - 特許庁 - The phosphoric based (or sulfuric acid based) selection-wet etching and the hydrochloric acid based selection wet etching are performed by two steps (S6-S9).
リン酸系（又は硫酸系）の選択ウエットエッチングと、塩酸系の選択ウエットエッチングを２回に分けて行う（Ｓ６−Ｓ９）。 - 特許庁 - In this case, the used mask has a two-step structure, and a lot of etching seeds are involved in etching in comparison with a single-step structure.
ここで用いるマスクは２段構造を有しており、１段構造に比べてより多くのエッチング種をエッチングに関与させる。 - 特許庁 - To provide a method of measuring an etching rate and a device for measuring the same allowing simple and accurate measurement of the etching rate.
簡単且つ精度よくエッチング速度を測定することができるエッチング速度の測定方法および測定装置を提供する。 - 特許庁 - To realize etching characteristics of a hetero-junction capable of being fined.
微細化が可能なヘテロ接合のエッチング特性を実現する。 - 特許庁 - Then, by the second etching process, the polishing stop layer and the metal layer are etched using the covered layer 18A as an etching mask.
次に、第２のエッチング工程により、被覆層１８Ａをエッチングマスクとして用いて研磨停止層および金属層をエッチングする。 - 特許庁 - To provide a method of removing copper by isotropically etching the copper using a formulation and an isotropic copper etching formulation.
調合物及び等方性銅エッチング調合物を利用して銅を等方的にエッチングして除去する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a process by which stable productivity can be obtained by reducing aged change of etching property, in the etching of silicon.
シリコンのエッチングにおいて、エッチング特性の経時変化を低減させ、安定した生産性が得られるプロセスを提供する。 - 特許庁 - ETCHING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF CIRCUIT DEVICE USING THE SAME
エッチング方法およびそれを用いた回路装置の製造方法 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
