「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 51 52 53 54 55 56 57 58 59 .... 399 400 次へ＞- To provide a method of manufacturing electrode foil for electrolytic capacitor, in which anions sticking on etching foil can be removed while an etching foil surface layer is prevented from being dissolved after an etching process.
エッチング工程後、エッチング箔表層の溶解を防止しながら、エッチング箔に付着しているアニオンを除去することのできる電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an etching method and apparatus with a uniform etching rate or etching profile that prevents gas dwell time from becoming relatively shorter at the central portion than at the peripheral portion.
ウェハ周縁部に相対してウェハ中央部でのガス滞留時間が短くなるのを防ぎ、エッチング速度又はエッチングプロファイルの均一なエッチング方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a device and a method for etching which enables individual control of parameters relating to etching performances, and thus enables optimization of etching conditions with high precision.
エッチング性能に関わるパラメータを個別に制御可能で、これによりエッチング条件の最適化を高精度に行うことが可能なエッチング装置およびエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an etching agent capable of etching a transparent electrically conductive thin film under a mild condition without producing any etching residual dross at all by using an oxalic acid solution.
透明導電薄膜をシュウ酸溶液を用いたエッチングの際に、エッチング残渣を全く発生せず、且つ、温和な条件下で、エッチングが行えるエッチング剤を提供することにある。 - 特許庁 - To provide an etching liquid and an etching method, capable of etching a metal film composed of silver or silver alloy, and a transparent conductive film, using one liquid, at an industrially satisfactory speed.
銀又は銀合金からなる金属膜と透明導電膜とを一液で、かつ工業的に満足できる速さでエッチングできるエッチング液及びエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - The crystal anisotropic wet etching is known to have different etching rates depending on crystalline planes, and only a specific crystalline plane can be exhibited by crystal anisotropic etching.
結晶異方性ウェットエッチングは結晶面によりエッチング速度が異なることが知られており、結晶異方性エッチングを行うことで特定の結晶面のみを表出することが出来る。 - 特許庁 - In the plasma etching apparatus, an anode oxide film is arranged in the etching processing chamber made of aluminum alloy and between components in the etching processing chamber and a ceramics thermal spraying film superior in plasma resistance.
プラズマエッチング装置において、アルミニウム合金から成るエッチング処理室及びエッチング処理室内部品と耐プラズマ性に良好なセラミックス溶射膜の間に、陽極酸化被膜を配置する。 - 特許庁 - A plate for forming an irregularity is manufactured by drawing a geometrical figure by etching an etching layer of a laminated body in which a carrier layer, a barrier layer and the etching layer are successively laminated.
キャリア層、バリア層及びエッチング層が順次積層されている積層体のエッチング層をエッチングすることにより幾何学図形を描いて凹凸を形成するための版を製造する。 - 特許庁 - Since the silicon nitride layer 2 is an insulator and does not require etching, only the cupreous metal layer should be etched, thus preventing side etching from occurring frequently to achieve fine etching.
さらに、上記窒化シリコン層２は絶縁物であることからエッチングの必要が無く、銅系金属層だけをエッチングすればよいため、サイドエッチングがあまり起こらずに微細エッチングが可能となる。 - 特許庁 - An etching removal part 85 in a wafer comprises: a second layer 77 suited for dry etching; a first layer 75 and a third layer 79 formed on the upper and lower parts and suited for wet etching.
ウエハにおけるエッチング除去部８５は、ドライエッチングに適した第２層７７と、その上下に形成されてウェットエッチングに適した第１層７５及び第３層７９とを含む。 - 特許庁 - To provide a plasma etching device capable of reducing particles generated during etching process in an inductive coupling type plasma etching device, and the cleaning method of the device.
誘導結合型のプラズマエッチング装置において、エッチング処理中に発生するパーティクルを低減することができるプラズマエッチング装置及び当該装置のクリーニング方法を提供する。 - 特許庁 - Even when difference in etching transformation arises in an etching step, a mask pattern can be generated while considering the variation of the pattern on a wafer due to the difference in etching transformation.
これにより、エッチング工程でエッチング変換差が発生する場合であっても、エッチング変換差によるウェハ上でのパターンの変動を考慮したマスクパターンを生成することができる。 - 特許庁 - Thereafter, a portion of the conductive thin film 18c positioned on the barrier metal etching part 16b is patterned by wet etching, and the barrier metal etching part 16b of the barrier metal film 16a is patterned.
その後、導電性薄膜１８ｃのうちバリアメタルエッチング部１６ｂ上に位置する部分をウェットエッチングによってパターニングし、バリアメタル膜１６ａのうちバリアメタルエッチング部１６ｂをパターニングする。 - 特許庁 - To provide a positive radiation-sensitive resin composition suitable for use as an etching mask material, particularly a mask material for etching gold, excellent in resolution during pattern formation and also in etching properties.
パターン形成時の解像度に優れ、しかもエッチング性に優れる、エッチング用マスク材、特に金エッチング用マスク材として好適なポジ型感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - To reduce irregularity of etching caused when an etching processing is performed by a reactive ion etching (RIE) device for forming fine ruggedness on the surface of a silicon substrate for solar cell.
太陽電池用シリコン基板の表面に微細な凹凸を形成するための反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）装置で、エッチング処理する際に生じるエッチングのムラを低減すること。 - 特許庁 - To provide a cleaning liquid composition capable of removing a residue (especially a polymer residue) generated on an etching wall surface in the case of the dry etching of an insulation film without varying an etching shape.
エッチング形状を変化させることなく絶縁膜のドライエッチングの際にエッチング壁面に生じる残渣（特にポリマー残渣）を除去可能な洗浄液組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide, for example, an etching waste liquid regenerating apparatus which can remove a Mo component and an Al component contained in a phosphoric acid-containing etching waste liquid to regenerate an etching waste liquid in a more cost effective and more efficient manner.
より低コストで且つより効率的に、リン酸を含むエッチング廃液中のＭｏ成分及びＡｌ成分を除去して再生するエッチング廃液再生装置などを提供する。 - 特許庁 - To provide a dry etcher which is equipped with an etching portion where a cleaning process is added to the dry etcher to expand the applicability of the dry etching to a metal film etching process and a cleaning portion.
ドライエッチャに洗浄工程を付加してドライエッチャの適用範囲をメタル膜エッチング工程まで拡大させるエッチング部と洗浄部とを兼備したドライエッチャを提供する。 - 特許庁 - The occurrence of the unstable etching period is avoided by generating the plasma by supplying a gas that does not contribute to etching to a reaction chamber 1 and, after the plasma is stabilized, replacing the gas with a gas used for etching through gas replacement.
反応室１にエッチングに寄与しないガスを供給し、プラズマを発生させ、プラズマ安定後、ガス置換によりエッチングを行うガスに置換し、エッチングが不安定な期間を回避する。 - 特許庁 - The first etching liquid treated is injected into a second treatment container, and a second etching liquid is prepared by adding the HF liquid, and then the metal impurity in the sample surface layer is included in the second etching liquid.
処理後の第１エッチング液を第２処理容器に注入し、ＨＦ液を添加して第２エッチング液を調製し、サンプル表層の金属不純物を第２エッチング液中に含ませる。 - 特許庁 - The etching under the CW conditions is carried out, until the wiring film is subject to etching to its full thickness and is separated, thus eliminating a factor caused for etching residue to be generated later.
配線膜が全厚さにわたってエッチングされて配線膜が分離されるまではＣＷ条件でのエッチングを行うことで、後にエッチング残渣が生じる要因を解消する。 - 特許庁 - For example, in the first step the etching speed of an oxide 108 is increased, and in the second step, the etching speed of the oxide is reduced and the etching speed of other material 114 is increased.
例えば、第１のステップは、酸化物１０８のエッチング速度を速くし、第２のステップは、酸化物のエッチング速度を遅くして他の材料１１４のエッチング速度を速くする。 - 特許庁 - To provide an etching apparatus capable of finely and precisely etching an article to be etched while preventing variations in the dimension of etched pits, and further capable of saving time for its own maintenance, and to provide an etching method.
微細加工を精度よく行えるとともに、エッチングばらつきの発生を防止でき、さらに装置のメンテナンスに時間をとられないエッチング装置およびエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma etching method capable of etching a layer to be etched into a more fine pattern than in a conventional technique, a control program, a computer storage medium, and a plasma etching apparatus.
従来に比べて被エッチング層を更に微細なパターンにエッチングすることのできるプラズマエッチング方法、制御プログラム、コンピュータ記憶媒体及びプラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an etching method of a conductor layer which enables formation of a conductor circuit with almost rectangular cross sectional contour without etching so far as a lower part of etching resist excessively.
エッチングレジストの下部にまで余計にエッチングすることがなく、略矩形状の断面形状を有する導体回路を形成することができる導体層のエッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - The unevenness of the etching can be prevented by carrying out the etching divided into a plurality of times and by carrying out the cleaning to remove bubbles on the surface of the phosphorous semiconductor layer in an interval of etching.
エッチングを複数回にわけて実行し、エッチングの合間にリン系半導体層表面の気泡を除去する洗浄を行うことでエッチングムラを防止することもできる。 - 特許庁 - To perform flat etching by preventing passing of a substrate layer (e.g. a gate oxide film 2) by generating an etching residue due to partial residue of a nature oxide film when etched or partially excess etching.
エッチング時の自然酸化膜の部分的残存によるエッチング残渣の発生や部分的な過大エッチングによる下地層 (例、ゲート酸化膜２) の突抜けを防いで、平坦なエッチングを達成する。 - 特許庁 - To enhance the uniformity of the etching rate within the wafer surface in etching from the rear side of a stencil mask (back etching) and to obtain a stencil mask having high accuracy of the pattern position.
本発明は、ステンシルマスクの裏面からのエッチング（バックエッチング）時のエッチングレートのウエハ面内均一性を向上させ、パターン位置精度の高いステンシルマスクを提供することを課題とする。 - 特許庁 - To secure the shape of the gate electrode at the time of etching the gate electrode of polymetal structure and to improve the etching selection ratio with respect to an etching stopper film constituted of silicon nitride.
ポリメタル構造のゲート電極をエッチング加工する際、ゲート電極の形状を確保すると共に、窒化シリコンからなるエッチングストッパ膜に対するエッチング選択比を向上させる。 - 特許庁 - The electrolytic etching aluminum foil has a large number of etching pits in which the aspect ratio of the etching pit to be obtained by an average length/average diameter is not less than 55.
電解エッチングアルミニウム箔は、平均長さ／平均直径により求めたエッチングピットのアスペクト比が５５以上であることを特徴とする多数のエッチングピットを有するものである。 - 特許庁 - Thus, in later etching treatment, an etching agent is intruded into the modified region 7 through the defective region 22b of the oxide film 22, whereby etching is selectively developed along the modified region 7.
よって、その後のエッチング処理では、酸化膜２２の欠陥領域２２ｂから改質領域７へエッチング剤が侵入され、改質領域７に沿ってエッチングが選択的に進展される。 - 特許庁 - To provide a means for observing an etching state of a semiconductor substrate during a dry etching without spending many hours, and a method of reflecting an observation result thereof to the following etching conditions.
ドライエッチング途中の半導体基板のエッチング状態を時間をかけずに観測する手段を提供し、かつその観測結果を後のエッチング条件に反映する方法を提供すること。 - 特許庁 - An etching simulation device 1 performs a simulation for etching on height field data (an etching object) 29 using mask data 26 generated by using height field data (texture) 25.
エッチングシミュレーション装置１は、ハイトフィールドデータ（テクスチュア）２５を用いて生成したマスクデータ２６を用いて、ハイトフィールドデータ（エッチング対象）２９に対するエッチングを行うシミュレーションを実行する。 - 特許庁 - To provide a device measuring accurately a concentration of an etching liquid component, when performing etching processing to a substrate with a circulating etching liquid, while conveying the substrate.
基板を搬送しながら基板に対しエッチング液を循環させつつ供給してエッチング処理する場合に、エッチング液成分の濃度を正確に測定できる装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a dielectric device manufacturing method and an etching method which enable the enhancement of the etching selectivity between ferroelectric and an electrode, and highly precise etching of ferroelectric.
強誘電体と電極との間のエッチング選択性を高め、強誘電体を高精度にエッチングすることができる誘電体デバイスの製造方法及びエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - In this case, a side etching rate under a mask for etching is higher than an etching rate in the depthwise direction of the semiconductor base material.
この為に、本願発明は、更に、前記孔又は段差を形成するため、エッチング用マスク下のサイドエッチ速度が半導体基体の深さ方向のエッチ速度より早い新らたなウエットエッチング液を用いる。 - 特許庁 - To provide a technique capable of stably detecting an etching endpoint even when a pattern occupation rate of an etching target is fine in dry etching in contact hole processing or the like.
コンタクトのホール加工等におけるドライエッチングにおいて、エッチング対象のパターン占有率が微小であっても、エッチング終点を安定して検出することができる技術を提供する。 - 特許庁 - More concretely, an upper portion is etched by dry etching so that ITO thin film may leave about 50 nm, and etching is continued by wet etching and patterned in this patterning method.
具体的には、ＩＴＯ薄膜を約５０ｎｍ残すように上部をドライエッチングによりエッチングによりエッチングし、連続してウェットエッチングによりエッチングしてパターニングを行うパターニングを方法。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device that reduces the amount of side etching of wet etching processing while maintaining cleanness of a chemical, and a wet etching device.
本発明は、薬液の清浄度を保ちつつ、ウエットエッチング処理のサイドエッチング量を低減させる半導体装置の製造方法及びウエットエッチング装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The etching chamber is constituted so as to be moved to an etching station containing a steam or gas phase etching agent source, a purge gas source and/or a vacuum source and to be attached thereto.
エッチングチャンバは、蒸気又は気相エッチング剤源、パージガス源及び／又は真空源を含むエッチングステーションに移動しそして取り付けることが比較的容易であるように構成される。 - 特許庁 - To provide an etching method which can suppress side etching and can acquire anisotropy shape, when carrying out plasma etching of the metal film containing the aluminum (Al) formed with a hard mask.
ハードマスクで形成されたアルミニウム（Ａｌ）を含有する金属膜をプラズマエッチングする場合において、サイドエッチングを抑制し異方性形状を得ることができるエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To improve etching uniformity and prevent delay of etching reaction due to natural oxide film generated on a polysilicon surface in etching of polysilicon using XeF2 gas.
ＸｅＦ_2 ガスを用いたポリシリコンのエッチングにおいて発生する、ポリシリコン表面の自然酸化膜によるエッチング反応の遅れを解決するとともに、エッチング均一性の向上を図る。 - 特許庁 - To provide an etchant which does not produce a silver residue when etching silver or a silver alloy, and does not vary an etching rate even when the etchant is repeatedly used, and to provide an etching method.
銀又は銀合金をエッチングする際に銀残渣を発生させず、しかもエッチング液を繰り返して使用してもエッチング速度が変化しないエッチング液及びエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a dry-cleaning method for efficiently removing deposits generated by etching and deposited on etching chamber inner walls for uniformizing photomask substrate etching rate.
フォトマスク基板のエッチングレートを均一にするために、エッチング処理室の内壁に付着するエッチングにより生成する堆積物を効率的に除去するドライクリーニング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method, which can shorten the time required for etching process by suppressing the deterioration of an etching rate during etching processing.
エッチング処理中におけるエッチングレートの低下を抑制することにより、エッチング処理に要する時間を短縮することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。 - 特許庁 - An optical head is manufactured by dipping the bottom surface of the holder and the tip of the fiber into etching liquid for performing etching machining simultaneously, and further by selectively etching only the tip of the fiber.
この光ヘッドはホルダの底面とファイバの先端とをエッチング液に浸漬させて同時にエッチング加工し、さらに、ファイバの先端部分のみを選択的にエッチングすることで作製される。 - 特許庁 - In this etching method, an HBr gas is used as an etching gas in a process of etching an antireflection film 5 and therefore the progression of trimming is suppressed in a resist pattern 6a.
本発明のエッチング方法は、反射防止膜５をエッチングする工程において、エッチングガスとしてＨＢｒガスを用いるので、レジストパターン６ａにおけるトリミングの進行が抑制される。 - 特許庁 - The specimen is subjected to gas etching at a high temperature in the film forming device while hydrogen gas or the like is supplied into the device, the oxide film 4 is removed, and gas etching is stopped at the gas etching stop layer 5.
次に成膜装置で試料を高温に維持した状態で水素ガスなどを供給してガスエッチングを行い、表面の酸化膜４を除去し、ガスエッチング停止層５で停止する。 - 特許庁 - A decision is made whether an etching device is defective or not by comparing the data of etching pattern with the data of an etching pattern to be formed on the surface 20a to be processed and determining occurrence of uneven etching caused by the cooling groove of a substrate stage.
そして、前記エッチングパターンのデータと被処理面２０ａに形成される予定のエッチングパターンのデータとを比較して、基板ステージの冷却溝に起因するエッチングムラの発生の有無を判定し、エッチング装置に欠陥があるか否かを検出する。 - 特許庁 - To provide an inspection method of an etching apparatus which can minimize reduction in yield by discriminating an etching apparatus that is causing uneven etching due to the cooling groove of a substrate stage and preventing occurrence of uneven etching in a substrate to be processed.
基板ステージの冷却溝に起因するエッチングムラを発生させているエッチング装置を判別することにより、被処理基板におけるエッチングムラの発生を抑制して、歩留まりの低下を抑制することができるエッチング装置の検査方法を提供する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
