「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 56 57 58 59 60 61 62 63 64 .... 399 400 次へ＞- To provide an etching method which does not cause damages to a copper thin film.
銅薄膜にダメージを与えないエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - Then, wet etching is executed, and the corners of the irregularities are made smooth.
その後、ウエットエッチングを行い凹凸２の角を滑らかにする。 - 特許庁 - In the aluminum foil, the above outermost layer is used as an etching layer.
アルミニウム箔においては、前記最外層がエッチング層となる。 - 特許庁 - electrical device used for etching by electrolytic means
電気分解質によって腐食させるのに用いられる電気装置 - 日本語WordNet - METHOD OF ETCHING CAPACITOR STACK ASSOCIATED WITH FERROELECTRIC MEMORY CELL
強誘電体メモリセルに関連するキャパシタスタックのエッチング方法 - 特許庁 - ETCHING METHOD, CLEANING METHOD, PLASMA PROCESSING APPARATUS, AND MATCHING CIRCUIT
エッチング方法、クリーニング方法、プラズマ処理装置及び整合回路 - 特許庁 - PLASMA ETCHING CHAMBER AND METHOD FOR PRODUCING PHOTOMASK USING IT
プラズマエッチングチャンバ及びこれを利用したフォトマスクの製造方法 - 特許庁 - APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING ETCHING FOIL FOR ELECTROLYTIC CAPACITOR
電解コンデンサ用エッチング箔の製造装置および製造方法 - 特許庁 - After the etching of the silicon oxide film 104 and the etching of silicon, the condensation layer 105 on the substrate W is removed by heating.
シリコン酸化膜１０４のエッチング及びシリコンのエッチングの後、基板Ｗ上の凝縮層１０５を加熱して除去する。 - 特許庁 - A light-sensitive polyimide resin is used as a mask for etching machining.
感光性ポリイミド樹脂をエッチング加工用マスクとして用いる。 - 特許庁 - In this case, the etching shape of the polyimide film 32 is not formed in vertical shape but formed so as to have a tapered shape relative to the etching direction.
この際、ポリイミド膜３２のエッチング形状は、垂直ではなく、エッチング方向に対して、テーパ形状を持つようにする。 - 特許庁 - ETCHING DEVICE, SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATE, DIE, AND MOLDED ARTICLE
エッチング装置、基板、基板の製造方法、型、ならびに成型品 - 特許庁 - The diameters of the hole parts 6a and 7a are thereafter enlarged by etching.
その後、エッチングにより孔部６ａ、７ａの径を拡大する。 - 特許庁 - To provide an etching processing method of a piezoelectric wafer by which a perpendicular etching is performed on a surface of the piezoelectric wafer in a short time.
圧電ウエハの表面に対して垂直なエッチング面を短時間で形成する圧電ウエハのエッチング加工方法を提供する。 - 特許庁 - Changing of the selection ratio of the dry etching and changing, etc., of etching points make changing of groove angles and changing of groove shapes possible.
ドライエッチングの選択比の変更、エッチングエンドポイントの変更等によって溝角度の変更、溝形状の変更が可能となる。 - 特許庁 - When an amorphous silicon layer of a photodiode device 18 on the etching stopper layer 35 is etched, the circuit board 17 is protected by the etching stopper layer 35.
エッチングストッパ層35上でフォトダイオード素子18のアモルファスシリコン層をエッチングする際、エッチングストッパ層35で回路基板17を保護する。 - 特許庁 - ETCHING METHOD FOR MULTILAYER RESIST AND MANUFACTURING METHOD FOR THIN FILM MAGNETIC HEAD
多層レジストのエッチング方法と薄膜磁気ヘッドの製造方法 - 特許庁 - To improve etching rate in uniformity within the surface of a substrate in the etching process of removing an oxide film from the substrate.
基板の酸化膜除去をドライエッチングで行う場合において、基板面内におけるエッチングレートの均一性を向上させる。 - 特許庁 - An insulating film 201 is subjected to plasma etching using an etching gas composed of fluorocarbon gas and a resist pattern 202 as a mask.
絶縁膜２０１に対してレジストパターン２０２をマスクにして、フルオロカーボンガスよりなるエッチングガスを用いてプラズマエッチングを行なう。 - 特許庁 - The protective film 224 protects the external connection terminal 220 against an etching liquid in the etching step for removing the seed film.
保護膜２２４は、シード膜を除去するためのエッチング工程において外部接続端子２２０をエッチング液から保護する膜である。 - 特許庁 - DRY ETCHING APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SILICON RING
ドライエッチング装置及び半導体装置の製造方法、Ｓｉリング - 特許庁 - Then processing the switching active element protection film by dry etching using patterned etching resist 10 forms a contact part 6.
その後、パターニングされたエッチングレジスト１０を用いてスイッチング能動素子保護膜７をドライエッチングしコンタクト部位６を形成する。 - 特許庁 - FORMING METHOD OF ETCHING MASK AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
エッチングマスクの形成方法、及び半導体装置の製造方法 - 特許庁 - To provide an etching apparatus which performs high-quality etching treatment by removing a bad condition where a temperature during treatment cannot be controlled.
処理時の温度が制御できなくなる不具合をなくし、高品質なエッチング処理が可能となるエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - Then, an etching liquid for etching the silicon substrate 21 is supplied into each of the through holes 23 from the silicon oxide film 22 side.
そして、シリコン酸化膜２２側から各貫通孔２３内に、シリコン基板２１をエッチングするためのエッチング液が供給される。 - 特許庁 - Lastly, a couple of leads are formed by plasma etching.
最後に、プラズマエッチング加工を施して一対のリードを形成する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of optical element without using dry etching and without performing a plurality of times of etching steps.
ドライエッチングを使用することなく、かつ、エッチング工程を複数回行わずに、光学素子を製造する方法を提供する。 - 特許庁 - In the trench etching step, a planarizing state of the trench wall face can be obtained and a trench having a flat wall face can be obtained during etching.
トレンチエッチング中に、トレンチ壁面を平坦化する状態が得られ、平坦な壁面を持つトレンチをエッチングすることができる。 - 特許庁 - METHOD OF ETCHING ORGANIC FILM AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE
有機膜のエッチング方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁 - The further etching step of the back channel portion is preferably conducted by dry etching using an N_2 gas or a CF_4 gas with bias not applied.
バックチャネル部の更なるエッチングにはＮ_２ガス又はＣＦ_４ガスにより無バイアスで行うドライエッチングを用いることが好ましい。 - 特許庁 - PLASMA ETCHING MACHINING METHOD AND METHOD OF MANUFACTURING LIQUID INJECTION HEAD
プラズマエッチング加工方法及び液体噴射ヘッドの製造方法 - 特許庁 - To provide a detecting method of etching depth with excellent time responsiveness for calculating the etching depth in a short time.
エッチング深さを短時間で計算することができる時間応答性に優れたエッチング深さの検出方法を提供する。 - 特許庁 - A plurality of acoustic holes 7 is formed by applying etching to the support layer 2 of the diaphragm region till the etching reaches the insulation layer 3.
そしてダイアフラム領域の支持層２に、絶縁層３までエッチングすることで複数のアコースティックホール７を形成する。 - 特許庁 - METHOD OF ETCHING METAL FILM, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
金属膜のエッチング方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁 - A second stage of etching of the electrode layer 4a is executed by a wet etching method to expose the heating resistor layer 3.
次に、ウエットエッチング法により、電極層４ａの第２段階目のエッチングを行い、発熱抵抗層３が露出するようにする。 - 特許庁 - To establish a general technique for not generating an etching remainder at etching a source wiring film for forming source wiring.
ソース配線を形成するためのソース配線用膜をエッチングする際にエッチング残りが生じない一般的な技術を確立する。 - 特許庁 - After the etching, the resin-made sheet of the laminate 20 is removed.
エッチング後に、積層体２０の樹脂製シートが除去される。 - 特許庁 - To provide a method and equipment for etching a photomask.
フォトマスクをエッチングするための方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - To conduct an etching having an excellent reproducibility by using a trend at a previously measured etching rate regarding a manufacturing method for a semiconductor device.
半導体装置の製造方法に関し、予め計測したエッチングレートのトレンドを用いて再現性の良いエッチングを行う。 - 特許庁 - At this time, mold molding, etching or a laser ablating method is used.
そのとき、モールド成形、エッチング又はレーザーアブレーション法を用いる。 - 特許庁 - To provide a composite silicon ring for a plasma etching device for supporting a wafer, which makes the etching rate of the wafer uniform.
ウエハのエッチングレートを均一にすることが出来るウエハを支持するためのプラズマエッチング装置用複合シリコンリングを提供する。 - 特許庁 - As shown in Fig. 8, the etching of insulating layers 68 and 81 is performed with an etching solution that include 1,2-ethanediol, hydrogen fluoride, and ammonium fluoride.
絶縁層６８，８１のエッチングは、１，２−エタンジオール，フッ化水素およびフッ化アンモニアを含むエッチング溶液を用いて行われる。 - 特許庁 - THIN FILM DRY ETCHING METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
薄膜のドライエッチング方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁 - WET ETCHING METHOD AND METHOD FOR PROCESSING TUNING FORK TYPE PIEZOELECTRIC ELEMENT STRIP
ウエットエッチング方法及び音叉型圧電素子片の加工方法 - 特許庁 - A Ti-W etching liquid must dissolve the Ti-W layer 12 quickly, without etching aluminum, copper, and lead-tin solder.
Ｔｉ−Ｗエッチング液はアルミニウム、銅、鉛−すず半田をエッチングせず、Ｔｉ−Ｗを速やかに溶解しなければならない。 - 特許庁 - ROTATION AND REVOLUTION TYPE BARREL ETCHING DEVICE AND WORKING METHOD USING MEDIA
自公転式バレルエッチング装置、及びメディアを用いた加工方法 - 特許庁 - Aluminum foil 2 is passed through the etching tanks 1a to 1c in order.
エッチング槽１ａ〜１ｃにアルミニウム箔２を順次通過させる。 - 特許庁 - A fixed electrode 31 is formed by etching the active layer 3.
固定電極３１は、活性層３をエッチングして形成される。 - 特許庁 - To provide aluminum alloy foil for printed circuits which has excellent etching accuracy for etching treatment when forming printed circuits.
印刷回路を形成する際のエッチング処理においてエッチング精度に優れた印刷回路用アルミニウム合金箔を提供する。 - 特許庁 - Thereafter, an unnecessary part as the stopper during contact etching except for a contact region is removed by photolithography and dry etching.
その後、コンタクト領域以外のコンタクトエッチング時のストッパとして不要な部分をフォトリソグラフィ及びドライエッチングによって除去する。 - 特許庁
