「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 60 61 62 63 64 65 66 67 68 .... 399 400 次へ＞- To provide a pattern forming method that improves etching pattern precision.
エッチングのパターン精度を良くするパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - In the case that the resist material is condensed, resistance to etching is improved and insufficiency of a resist etching mask due to reduction of thickness of the resist pattern which occurs in the slimming process can be compensated for.
レジストパターンを形成した後、所望の部分にDUVあるいは電子線を照射して選択的にレジストをスリミングする。 - 特許庁 - To provide a copper-clad laminated sheet reduced in warpage after etching.
エッチング後の反りが小さい銅張り積層板を提供すること - 特許庁 - To permit dry etching inhibiting the amount of pattern shift and obtaining desired etching shapes regardless of the pattern to be formed.
形成しようとするパターンに関係なく、寸法シフト量を抑制でき且つ所望のエッチング形状が得られるドライエッチングを可能とする。 - 特許庁 - ETCHING METHOD OF CONDUCTOR LAYER AND MANUFACTURE OF PRINTED WIRING BOARD
導体層のエッチング方法およびプリント配線板の製造方法 - 特許庁 - To provide an etching method of an SOI substrate which allows for flat wet etching of an Si substrate at high speed.
ＳＯＩ基板のエッチング方法であって、Ｓｉ基板を高速かつ平坦にウェットエッチングすることのできるエッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - After the heat treatment, the liner oxide film 22 is made thinner by etching.
熱処理後に、エッチングにより、ライナー酸化膜２２が薄膜化される。 - 特許庁 - To provide a method and a device for end point detection which can accurately detect an etching end point for a gas-switching etching method.
ガススイッチングエッチング法において、正確にエッチング終点を検出することができる終点検出方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - The etching rate or the dissolution rate of the second thin film 40 is lower than the etching rate or the dissolution rate of the third thin films 52, 50.
そして、第二薄膜４０のエッチング速度又は溶解速度は、第三薄膜５２，５０のエッチング速度又は溶解速度よりも低い。 - 特許庁 - When the etching depth is controlled for the thickness of the substrate 1 by the etching time, a diaphragm part 3 of desired thickness is provided.
基板１の厚さに対して、彫り込み深さをエッチング時間にて制御することで、所望厚さの振動板部３が与えられる。 - 特許庁 - This etching treatment unit 1 is provided with an etching treatment tank 3, a tank 4, a heat exchanging temperature adjusting materials 5, a pump 6, and a filter 7.
エッチング処理装置１は、エッチング処理槽３とタンク４と熱交換温調材５とポンプ６とフィルタ７とが備えられている。 - 特許庁 - Amorphous etching is applied on the upper layer side of one part of the insulation layer.
前記絶縁層の一部の上層側を異方性エッチングする。 - 特許庁 - After a trench 7 has been formed by dry etching, a wet etching treatment is performed using a mixed solution of H2O2 and HF as an etchant.
ドライエッチングを用いてトレンチ７が形成された後に、H_2O_2とHFとを含む混合液をエッチャントとして用いて、ウェットエッチングが実行される。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for measuring the side etching amount wherein the side etching amount in a semiconductor device can be measured.
半導体装置におけるサイドエッチング量の測定を可能にしたサイドエッチング量の測定方法及び測定装置を提供する。 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR ETCHING SURFACE OF WIRING BOARD
配線基板の表面エッチング方法及びこれに用いるエッチング装置 - 特許庁 - WET ETCHING DEVICE AND METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
ウェトエッチング装置及び方法並びに半導体装置製造方法 - 特許庁 - In this case, the ratio dX/dY of the side etching quantity in the X-axis direction to the side etching quantity in the Y-axis direction is 3.0 or higher.
この際Ｘ軸方向のサイドエッチング量のＹ軸方向のサイドエッチング量に対する比率（ｄＸ／ｄＹ）が３．０以上である。 - 特許庁 - To form a fine high-accuracy resist pattern excellent in etching resistance.
微細、高精度で、エッチング耐性に優れたレジストパターンを形成する。 - 特許庁 - LOW THERMAL EXPANSION ALLOY THIN SHEET HAVING EXCELLENT PRODUCTIVITY AND ETCHING PROPERTY
製造性およびエッチング性に優れた低熱膨張合金薄板 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD FOR ETCHING LEAD FRAME, AND CUTTING APPARATUS USING SAME
エッチングリードフレームの製造方法およびこれに用いる切断装置 - 特許庁 - METHOD FOR ESTIMATING ETCHING DEPTH AND METHOD FOR EVALUATING ELEMENT CONCENTRATION DISTRIBUTION
エッチング深さ推定方法および元素濃度分布評価方法 - 特許庁 - CONTROL METHOD OF PENETRATING HOLE DIAMETER IN THE CASE OF ETCHING POLYIMIDE FILM BASE SUBSTANCE
ポリイミドフィルム基材のエッチングにおける貫通孔径制御方法 - 特許庁 - PATTERNING METHOD BY DRY ETCHING AND METHOD FOR MANUFACTURING INKJET HEAD
ドライエッチングによるパターニング方法及びインクジェットヘッドの製造方法 - 特許庁 - Through the treatment of the water solution before etching, melting removal speed during etching is improved, and the end edge of the circuit wire is made clear.
エッチング処理前の水溶液処理によって、エッチング処理時の溶解除去速度が高められ、回路線端縁が鮮鋭になる。 - 特許庁 - Further, the remaining etching time is calculated from the obtained amount to be etched, and second isotropic etching is performed to the insulated layer 12f.
さらに、得られたエッチング量から残りエッチング時間を算出し、絶縁層１２ｆに対して２回目の等方性エッチングを行う。 - 特許庁 - To provide an etching agent for smoothening the surface of copper under a mild condition, and to provide an etching method for smoothening the surface.
穏和な条件で銅表面を平滑にするためのエッチング剤及び前記表面を平滑にするエッチング法を提供すること。 - 特許庁 - FORMING METHOD OF ETCHING MASK, CONTROL PROGRAM, AND PROGRAM STORAGE MEDIUM
エッチングマスクの形成方法、制御プログラム及びプログラム記憶媒体 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING MAGNETIC HEAD, INFORMATION STORAGE DEVICE, AND ETCHING METHOD
磁気ヘッドの製造方法、情報記憶装置、およびエッチング方法 - 特許庁 - To provide an etching method which enables a semiconductor to be etched stably.
半導体を安定してエッチングし得るエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - The anisotropic etching-back is thereafter conducted to each oxide film 5, 7.
次に、酸化膜５，７に対して異方性エッチバック処理を施す。 - 特許庁 - To perform high precision etching treatment on an electroconductive foil of a substrate plate.
導体箔張基板の導体箔を高精度にエッチング処理する。 - 特許庁 - As a result, desired recess etching depth can be stably obtained.
これにより、所望のリセスエッチング深さを安定して得ることができる。 - 特許庁 - To provide a plasma etching method for carrying out satisfactory shape control and high speed etching of a silicon nitride film.
良好な形状制御が可能であり、且つ、高速で窒化シリコン膜のエッチングを行うことの可能なプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - The structure is formed over a light-transmitting etching-stop layer, and the etching-stop layer remains below the structure as a light-transmitting layer.
構造体は、透光性を有するエッチングストップ層上に形成され、エッチングストップ層は、構造体の下に透光層として残存する。 - 特許庁 - The etch stop layer facing to the void area 22 is removed by etching.
ボイド領域２２に面するエッチストップ層をエッチングで除去する。 - 特許庁 - By etching back, a sidewall 541 surrounding the circular cylinder is formed.
このエッチバックにより円柱を囲むサイドウォール５４１が形成される。 - 特許庁 - One part of the etching solution after the surface treatment of which is carried out in a sub-pot 40 is mixed with new etching solution, and recovery treatment is carried out.
サブポット４０において表面処理を行った後のエッチングの一部と、新しいエッチング液とが混合され再生処理される。 - 特許庁 - The cavity is initially filled with a slow-etching material.
その凹所は、初期的に、エッチングの遅い物質で充填されている。 - 特許庁 - The etching agent comprises an aqueous solution containing oxalic acid and a carboxylic acid.
シュウ酸とカルボン酸を含有する水溶液からなるエッチング剤。 - 特許庁 - That is, in an etching treatment, an etching speed at the overcoat is lower than that of the rib material layer, for example, the speed is about 1/10 to 1/3.
すなわち、上記エッチング処理におけるエッチング速度はオーバ・コートがリブ材層よりも低く、例えば1/10〜1/3程度の速度になっている。 - 特許庁 - The flattening method includes a grinding step for grinding the surface of a substrate, and an etching step for etching the surface of the ground substrate.
基板の表面を研磨する研磨工程と、前記研磨された基板の表面をエッチングするエッチング工程とを有する平坦化方法。 - 特許庁 - It is preferable that the etching gas is excited by using microwave.
また、エッチングガスは、マイクロ波を用いて励起されることが好ましい。 - 特許庁 - METHOD OF DETECTING ETCHING END POINT AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
エッチング終点検出方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁 - The method for etching a surface to be processed is provided by using the photoresist solution.
前記フォトレジスト液を使用する被加工表面のエッチング方法。 - 特許庁 - To prevent desorption of nitrogen atoms in GaN in dry etching.
ドライエッチングにおけるＧａＮ中の窒素原子の脱離を防止する。 - 特許庁 - Backside gas pressure from the start of etching for the given length of a time is set shorter than the backside gas pressure of a main etching condition.
また エッチング開始からある一定時間の裏面ガス圧力をメインエッチング条件の裏面ガス圧力よりも小さく設定する。 - 特許庁 - The etching rate profile is deformed by the influence of a distance ε.
エッチングレートプロファイルは、距離εの影響を受けて変形する。 - 特許庁 - To provide a method for ensuring improved etching control in terms of semiconductor fabrication method containing an insulating film dry etching process.
絶縁膜のドライエッチング工程を含む半導体装置の製造方法において、エッチング加工制御性を向上する手段を提供する。 - 特許庁 - ETCHING METHOD, PRODUCTION OF PATTERN FORMING SUBSTRATE AND ACTIVE MATRIX SUBSTRATE
エッチング方法、パタ—ン形成基板の製造方法、アクティブマトリクス基板 - 特許庁 - An interlayer insulating film 5 is formed on the etching stopper film 4.
エッチングストッパ膜４の上には層間絶縁膜５が形成される。 - 特許庁
- 特許庁
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