「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 64 65 66 67 68 69 70 71 72 .... 399 400 次へ＞- The uneven part etc., can be formed by etching the semiconductor substrate.
凹凸部等は、半導体基板をエッチングすることで形成できる。 - 特許庁 - COLORING ETCHANT FOR OBSERVING MICROSTRUCTURE OF STEEL, AND ETCHING METHOD
鋼のミクロ組織観察用着色エッチング液およびエッチング方法 - 特許庁 - To provide a plasma etching method and plasma etching apparatus which can etch an SiC layer with high selectivity with respect to an SiOC layer.
ＳｉＯＣ層に対して選択性高くＳｉＣ層をエッチングすることのできるプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - The first thermal oxidation film 6 is eliminated by e.g. wet etching.
第１の熱酸化膜６を、例えばウェットエッチングにより除去する。 - 特許庁 - Then, a resist pattern is formed in a lithography process and a groove is formed by dry-etching the organic thin film using the pattern as an etching mask.
次いで、リソグラフィ工程によりレジストパターンを形成し、それをエッチングマスクとして、前記有機薄膜をドライエッチングして、溝を形成する。 - 特許庁 - METHOD TO OBTAIN LOW K DIELECTRIC BARRIER WITH SUPERIOR ETCHING RESISTIVITY
優勢エッチング抵抗性を具備する低Ｋ誘電バリアを得る方法 - 特許庁 - Plural intervals are plural pits obtained by etching an Si substrate with aid of DRIE etching treatment.
上記複数の間隔は、ＤＲＩＥエッチング処理の補助によってＳｉ基板をエッチングすることによって得られた複数のピットである。 - 特許庁 - SILICON ELECTRODE PLATE FOR PLASMA ETCHING NOT DAMAGING COOLING PLATE
冷却板を損傷することのないプラズマエッチング用シリコン電極板 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR AND COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT
化合物半導体のドライエッチング方法および化合物半導体素子 - 特許庁 - A contact hole is formed by etching the exposed etching inhibiting film while the antireflection film 114 is left on the polysilicon film 112.
ポリシリコン膜１１２上に反射防止膜１１４を残しながら、露出したエッチング阻止膜をエッチングして、コンタクトホールを形成する。 - 特許庁 - To provide a plasma etching method by which even a micro metal gate electrode can be stably etched, and to provide a plasma etching apparatus.
微細なメタルゲート電極であっても、安定したエッチングを行うことができるプラズマエッチング方法、及びプラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - To flatten the surface of an SiC substrate by hydrogen etching.
ＳｉＣ基板の水素エッチングにより、基板表面を平坦化させる。 - 特許庁 - A wet etching completion point detection device detects the wet etching completion point from the change in the wavelength distribution spectrum to be outputted from a light detection element 2.
本装置は、光検出素子２から出力される波長分布スペクトルの変化からウエットエッチングの終了時点を検出する。 - 特許庁 - IMPURITY CONTROL IN HDP-CVD DEPOSITION/ETCHING/DEPOSITING PROCESSES
ＨＤＰ−ＣＶＤ堆積／エッチング／堆積プロセスの不純物コントロール - 特許庁 - APPARATUS AND METHOD FOR ETCHING SILICON SUBSTRATE HAVING FORMED CIRCUIT PATTERN
回路パターン形成済シリコン基板のエッチング装置およびエッチング方法 - 特許庁 - By conducting etching in Step S30 using such a resist mask, a residual volume of the workpiece after etching can be averaged.
かかるレジストマスクを使用して、ステップＳ３０でエッチングを行うことにより、エッチング後の研磨対象の残存体積の平均化を行う。 - 特許庁 - ION BEAM ETCHING METHOD AND DEVICE, COMPUTER PROGRAM, AND RECORDING MEDIUM
イオンビームエッチング方法、イオンビームエッチング装置、コンピュータプログラム、記録媒体 - 特許庁 - To control so, for example, the mask is formed by using a resin material and dry etching is performed by using etching gas containing oxygen.
このように制御するためには、例えばマスクを樹脂材料により形成し、ドライエッチングを酸素を含むエッチングガスを用いて行う。 - 特許庁 - The spacer includes an etching block liner covering the sidewall of the wiring pattern, and an upper spacer covering the upper part of the sidewall of the etching block liner.
スペーサーは配線パターンの側壁を覆うエッチング阻止ライナーと、エッチング阻止ライナーの上部側壁を覆う上部スペーサーを含む。 - 特許庁 - The method also comprises the step of patterning a three-layer nonmetallic film 6 below the same resist pattern 9 by plasma etching (second stage of second etching).
さらに、同一のレジストパターン９下で、プラズマエッチングにより下方の三層非金属膜６をパターニングする（第２のエッチングの第２段階）。 - 特許庁 - ETCHING TRIPLE METAL FOR CARRYING OUT WIRE BONDING INTEGRATED WIRE TRACE
集積ワイヤー・トレースでワイヤー・ボンディングを行うエッチング三重金属 - 特許庁 - A wet-etching jig 3 holds a substrate 11 in which etching is carried out by immersing in an alkaline liquid 2.
本発明のウェットエッチング用の治具３は、アルカリエッチング液２に浸漬させることでエッチングがなされる基板１１を保持するものである。 - 特許庁 - Etching tanks 1a to 1c containing acidic aqueous solution are provided.
酸性水溶液の入ったエッチング槽１ａ〜１ｃを複数設ける。 - 特許庁 - METHOD FOR ETCHING SILICON NITRIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
シリコン窒化膜のエッチング方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁 - Next, the oxidized film 9 is selectively removed by wet etching.
次いで酸化膜９をウェットエッチングによって選択的に除去する。 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND PLASMA ETCHING APPARATUS
半導体装置およびその製造方法、並びにプラズマエッチング装置 - 特許庁 - To provide a technique for reducing the used amount of a C_5F_8 gas in an etching treatment using the C_5F_8 gas as an etching gas.
Ｃ_５Ｆ_８ガスをエッチングガスとして使用するエッチング処理時において、Ｃ_５Ｆ_８ガスの使用量を削減できる技術を提供する。 - 特許庁 - The step of forming the nozzle part is performed according to a combination of isotropic etching and anisotropic etching.
一方、ノズル部を形成する段階は等方性エッチング及び異方性エッチングの方法を組み合わせて実施することを特徴とする。 - 特許庁 - To provide an aluminum alloy foil for an electrolytic capacitor which is excellent in etching and whose surface area is enlarged enough by etching.
エッチング性に優れ、エッチング処理により十分に表面積が拡大される電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔が提供する。 - 特許庁 - PREPROCESSING METHOD FOR ETCHING TANK AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
エッチング槽の前処理方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁 - To prevent the formation of a burr at the time of etching of multilayer metal layer.
多層金属層をエッチングするに際し、バリの発生を防止する。 - 特許庁 - At this time, the wet etching rate of the second metal film 3 is specified to be higher than the wet etching rate o the first metal film 2.
この際、第２の金属膜３のウェットエッチングレートが第１の金属膜２のウェットエッチングレートより大きくなるように構成する。 - 特許庁 - A trench etching mask for element separation is formed on a semiconductor substrate.
半導体基板上に素子分離用トレンチエッチングマスクを形成する。 - 特許庁 - By using the etching prevention layer, metal by-products due to etching can be prevented from being produced when the light-emitting cells are separated.
エッチング防止層を利用することにより、発光セルを分離するとき、エッチングによる金属副産物の発生を防ぐことができる。 - 特許庁 - ETCHING DEFECT INSPECTION METHOD OF PIEZOELECTRIC VIBRATING CHIP WAFER, AND INSPECTION SYSTEM
圧電振動片ウェハのエッチング欠陥検査方法、及び検査システム - 特許庁 - To provide an etching technique for enhancing an etching selection ratio of silicon nitride for silicon oxide and also for improving size controllability.
酸化シリコンに対する窒化シリコンのエッチング選択比を高め、かつ寸法制御性を向上することのできるエッチング技術を提供する。 - 特許庁 - The metal film 5 is eliminated by wet etching using HCl.
次に、ＨＣｌによるウェットエッチングを施し、金属膜５を除去する。 - 特許庁 - To achieve an etching monitoring method for accurately monitoring etching without being affected by contamination on a sample surface and the charge of electrons.
試料表面の汚染や電子のチャージの影響を受けず、正確なエッチングモニターを行うことができるエッチングモニター方法を実現する。 - 特許庁 - To provide a plasma etching method which controls line width variations among sparse and dense wiring portions formed in an etching object layer.
エッチング対象層に形成される疎密配線部間の線幅ばらつきを小さく抑えることができるプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - Then etching of the trench is performed on the third mask film of the mask layer.
その後、トレンチが、マスク層の第３のマスク・フィルムにエッチングされる。 - 特許庁 - ETCHING AND ASHING APPARATUS, ASHING APPARATUS, AND ASHING AND TREATMENT METHODS
エッチング兼アッシング装置、アッシング装置、アッシング方法及び処理方法 - 特許庁 - The trench element separation film on the trench etching mask, liner layer, and trench etching mask are removed so that the semiconductor substrate is exposed.
そして半導体基板が露出されるようにトレンチエッチングマスク上のトレンチ素子分離膜、ライナー層及びトレンチエッチングマスクを除去する。 - 特許庁 - A Fresnel lens or a holographic diffuser may be formed on a surface by wet chemical etching or dry etching techniques in conjunction with a lithographic technique.
フレネルレンズ、ホログラフィックディフューザは、化学的ウェットエッチング又はドライエッチング技術をリソグラフィー技術と共に用いて面上に形成できる。 - 特許庁 - with the copperplate technique called etching, treatment of the surface of a material
エッチングという銅版画の技法で行う,材料の表面処理 - EDR日英対訳辞書 - To obtain a method for manufacturing a semiconductor device which can prevent etching damage of an underlying gate oxide film and have no defect caused by etching residue.
下地ゲート酸化膜のエッチング損傷を防止し、エッチング残さによる欠陥のない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - ETCHING SOLUTION AND METHOD OF FORMING MAGNETIC MEMORY DEVICE UTILIZING IT
エッチング溶液及びこれを利用した磁気記憶素子の形成方法 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for etching manufacturing processes of a panel.
パネルのエッチング製作プロセスの方法及びその装置の提供。 - 特許庁 - Accordingly, this can realize etching treatment which enables uniform line widths.
したがって均一な線幅をもったエッチング処理を実現できる。 - 特許庁 - To provide a technique for forming a mask having a high etching selectivity.
エッチング選択比の高いマスクを形成する技術を提供する。 - 特許庁 - In performing etching, an etchant which has been refrigerated to have a temperature of 15°C or below is used.
エッチングは１５℃以下に冷却したエッチング液が使用される。 - 特許庁
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