「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 68 69 70 71 72 73 74 75 76 .... 399 400 次へ＞- To suppress notches in etching a processing object having a layer to be etched made of a silicon-based material that is formed on an etching stop layer.
エッチングストップ層上にシリコン系材料からなる被エッチング層が形成された処理対象物のドライエッチングにおいて、ノッチを抑制する。 - 特許庁 - Plasma etching treatment is applied to the upper surface of the first ferromagnetic layer.
第１の強磁性層の上面はプラズマエッチ処理がなされている。 - 特許庁 - By using the resist pattern 4 for a mask, the insulation film 2 is subjected to wet etching.
レジストパターン４をマスクに用いて、絶縁膜２をウエットエッチングする。 - 特許庁 - By using the resist pattern 4 for a mask, the conductive layer 3 is subjected to dry etching.
レジストパターン４をマスクに用いて、導電層３をドライエッチングする。 - 特許庁 - In this invention, the volatilization speed of the etching liquid in the second layer etching liquid is accelerated, and the phenomenon that the solvent of the second layer etching liquid drops by overheating, and the original organic molecule film is dissolved is prevented.
本発明は第2層エッチング液におけるエッチング液の揮発速度を加速させるもので、過熱することで第２層エッチング液の溶剤が落下し、本来の有機分子膜を溶解するのを防ぐものである。 - 特許庁 - A side wall product is provided to the second polysilicon electrode by the anisotropic etching process, and the anisotropic etching process is stopped before an enough side wall product is formed on an etching residue below the overhang of the first polysilicon electrode.
この異方性エッチングは、第２ポリシリコン電極に側壁生成物を生成し、第１ポリシリコン電極のひさし下のエッチング残存物に充分な側壁生成物が生成されない時点で完了する。 - 特許庁 - In the method for forming an etching mask, a focused ion beam is irradiated to a surface of a substrate 200 and the etching mask 204 used for oblique etching which generates a portion including an ion in the irradiated region is formed.
エッチングマスクの形成方法において、基板２００表面に、集束イオンビームを照射し、該照射領域にイオン含有部分からなる斜めエッチングに用いるエッチングマスク２０４を形成する構成とする。 - 特許庁 - ETCHING METHOD, SUBSTRATE CLEANING METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
エッチング方法、基板洗浄方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁 - To finish an etching epitaxial wafer and a mirror-surface wafer in a high planarity shape over the entire surface from a (high luminance) etching wafer by eliminating shape defects on the wafer periphery due to etching or polishing process works.
エッチング加工や研磨加工によって発生するウエハ外周の形状不良を皆無にすることにより、（高輝度）エッチングウエハを素材とするエッチングエピタキシャルウエハ、及び鏡面ウエハを全面で平坦度の高いものに仕上げる。 - 特許庁 - COMPOSITION FOR NANO-IMPRINT, PATTERN FORMING METHOD, ETCHING RESIST AND PERMANENT FILM
ナノインプリント用組成物、パターン形成方法、エッチングレジストおよび永久膜 - 特許庁 - In constitution of the present invention, since the etching stopper film having durability against etching of the light-shielding film is formed, the ITO semitransmitting film can be prevented from being worn during etching the light-shielding film.
本発明の構成によれば、遮光膜のエッチングに対して耐性のあるエッチングストッパ膜を設けた構成となるため、遮光膜のエッチング時にＩＴＯ半透過膜が損耗することを抑制することが出来る。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which comprises an etching process which is unavoidable of the deterioration of an etching selection ratio of each oxide film, when the method of manufacturing the semiconductor device is accompanied by the formation of two kinds of oxide films or more, having etching characteristics different from each other.
互いにエッチング特性が異なる２種以上の酸化膜の形成を伴う場合に、エッチング選択比の悪化を回避しうるエッチング工程を含む半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Next, the grazed substrate is immersed in an etching liquid to etch the grazing surface, a squeegee is positioned in parallel with the grazing surface of the grazed substrate, and the etching liquid is given ultrasonic vibration.
次に、グレーズ面を腐食するエッチング液にグレーズド基板を浸漬し、該グレーズド基板のグレーズ面に対して平行にスキージーを位置させる。 - 特許庁 - To provide an etching method capable of precisely applying etching to a substrate by a simple method, a surface acoustic wave element manufactured by using the etching method, and an electronic apparatus provided with the surface acoustic wave element.
基材を簡易な方法で精密にエッチングすることができるエッチング方法、このエッチング方法を用いて製造された弾性表面波素子、および、かかる弾性表面波素子を備える電子機器を提供すること。 - 特許庁 - A control part 4 supplies an acid solution to a wet etching tank 111.
制御部４は、酸溶液をウェットエッチング槽１１１に供給させる。 - 特許庁 - In the pre-process, an etching treatment is carried out but the coating layer is not attached by an etching liquid and a part other than the coating layer 2 is only etched.
前工程のなかで、エッチング処理を行うが、塗料層２はエッチング液に侵されず、塗料層２以外の部分のみがエッチングされる。 - 特許庁 - To provide an etching method of ZnSe poly crystal, which is improved to obtain a flat etching surface.
平滑なエッチング面を得ることができるように改良された、ＺｎＳｅ多結晶のエッチング方法を提供することを主要な目的とする。 - 特許庁 - This SiCN etching stopper film has a low dielectric constant (5 to 5.5) and a sufficient etching selection ratio can be taken with respect to a layer insulating film 106.
このＳｉＣＮ系エッチングストッパ膜は、低誘電率（５〜５．５）を有し、かつ、層間絶縁膜１０６に対して十分なエッチング選択比が取れる。 - 特許庁 - The first etching step includes a combination of etching in an atmosphere containing a hydrocarbon-based etchant and ashing in an oxygen-containing atmosphere, in which a protection layer is deposited on the side face of an active layer formed by the etching step.
第１のエッチングでは、炭化水素系エッチャントを含む雰囲気におけるエッチングと酸素を含む雰囲気におけるアッシングとの組み合わせで、該エッチングで形成された活性層側面に保護層を堆積させる。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a dielectric device, in which good etching selectivity for a mask can be obtained while securing an etching rate.
エッチングレートを確保しつつ、マスクに対する良好なエッチング選択性を得ることができる誘電体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing an acceleration sensor that performs etching with high accuracy, and also reduces nonuniformity in etching upon etching a plurality of substrates, and to provide the acceleration sensor manufactured by the method.
高精度にエッチングすることができるとともに複数の基板をエッチングする際のエッチングのバラツキを低減することのできる加速度センサの製造方法及びその製造方法で製造された加速度センサを提供する。 - 特許庁 - To provide a method of etching a top electrode/ferroelectric stack film.
上部電極／強誘電体積層膜のエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - Thereafter, etching is carried out so as to form the spring of the surface layer, and the mass element and the spring are separated from the substrate by additional etching.
次いで、表面層からばねを形成するようにエッチングが行われ、さらなるエッチングにより、基板から質量要素及びばねが分離される。 - 特許庁 - The apparatus is provided with an etching unit 10 and a rinse unit 30.
基板処理装置はエッチングユニット１０およびリンスユニット３０を備える。 - 特許庁 - The SiO2 film 20 is removed and the n-InGaP etching barrier layer 17 on a groove bottom face is etched.
SiO_2膜20を除去し、溝底面のn-InGaPエッチング阻止層17をエッチングする。 - 特許庁 - Further, the eaves of the mask formed in the first etching is temporarily removed, and the desired length (s) of the eaves 17 is obtained only in the second etching.
さらに、１回目のエッチングで形成されたマスクの庇を一旦除去し、所望の庇１７の長さｓを２回目のエッチングのみで得る。 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR ETCHING INSULATING FILM BETWEEN ORGANIC LOW DIELECTRIC CONSTANT LAYERS
有機系低誘電率層間絶縁膜のエッチング方法および装置 - 特許庁 - To provide a technique capable of effecting a uniform etching process upon applying plasma processing or etching processing, for example, on a workpiece.
被処理体に対してプラズマ処理例えばエッチング処理を行うにあたり、均一なエッチング処理を行うことができる技術を提供すること。 - 特許庁 - Since the amount of side etching is suppressed when wet type etching is performed with a ferric chloride solution to which the additive for suppressing side etching is added, a copper printed circuit board having a circuit pattern with a fine line width is realized.
このサイドエッチング抑制用添加剤が添加された塩化第二鉄溶液で湿式エッチングするとき、サイドエッチング量が抑制されるので、微細な線幅の回路パターンを有する銅プリント配線板が実現される。 - 特許庁 - DRY ETCHING PROCESS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME
ドライエッチングプロセスおよびそれを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁 - This reactive etching gas is integrated into plasma when the high frequency power is applied from the electrode 12, and the dry etching of the sample 14 is carried out by the plasma.
この反応性エッチングガスは、電極１２から高周波電力が印可されてプラズマ化し、このプラズマによりサンプル１４がドライエッチングされる。 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE OF LOW-ENERGY ELECTRON ACCELERATION ETCHING AND CLEANING OF SUBSTRATE
基板の低エネルギー電子促進エッチング及びクリーニング方法及び装置 - 特許庁 - METHOD AND SYSTEM FOR DRY ETCHING AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
ドライエッチング方法、ドライエッチング装置及び半導体装置の製造方法 - 特許庁 - SUBSTRATE MANUFACTURING APPARATUS AND SUBSTRATE CLEANING CLEANING AND SUBSTRATE ETCHING DEVICE
基板製造装置および基板洗浄装置および基板エッチング装置 - 特許庁 - To provide a thin-film multilayer circuit board together with its manufacturing method, wherein no side-etching or resticking of an etching residue takes place.
サイドエッチングやエッチング残渣の再付着の生じない薄膜多層回路基板の製造方法および薄膜多層回路基板を提供する。 - 特許庁 - Grooves or holes are machined thinner than pattern dimensions in a BARC etching step, and etching is made under the conditions of a high mask selection ratio containing N_2 or O_2.
BARCエッチングステップにてパターン寸法よりも溝又は孔を細く加工し、N_２またはO_２を含む高マスク選択比条件にてエッチングを行う。 - 特許庁 - To enhance throughput of an etching device and reduce the manufactur ing cost of a semiconductor device, by increasing the etching speed of an organic film.
有機膜のエッチングにおけるエッチング速度を向上させて、エッチング装置のスループットを向上させ、半導体装置の製造コストの低減を図る。 - 特許庁 - To provide an etching method and an etching device which enable both processing of high precision and processing of high selectively to a fine pattern without casing charge-up and etching shape abnormality in a treatment object.
被処理物にチャージアップやエッチング形状異常を与えることなく、微細パターンに対して高精度の加工と高選択比の加工とを両立することができるエッチング方法及びエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - The use of alkaline etching enables etching to be accomplished with a high degree of flatness achieved on the wafer top surface, and the use of acid cleaning after etching prevents the wafer top surface from heavy metal pollution.
アルカリエッチングを採用したことによりウェーハ表面の高い平坦度を確保しつつエッチング行うことができ、エッチング後に酸洗浄を実施することによりウェーハ表面の重金属による汚染を防止できる。 - 特許庁 - MEASUREMENT METHOD OF PROFILE, ETCHING DISPERSION ESTIMATION METHOD AND MEASUREMENT DEVICE
プロファイルの測定方法、エッチングばらつき予測方法および測定装置 - 特許庁 - To provide a method and a device for recycling an etching liquid by which heavy metals, aluminum hydroxide or the like in an etching liquid are removed without being subjected to physical treatment, and the etching liquid can be recycled without changing its composition.
エッチング液中の重金属類や水酸化アルミ等を物理的処理をすることなく除去し、エッチング液の組成を変化させずリサイクルを可能としたエッチング液のリサイクル方法及びその装置の提供。 - 特許庁 - Consequently, the time to be elapsed after completing removal of organic substances before starting etching is shortened and etching can be carried out with excellent uniformity.
このため、有機物除去処理の完了からエッチング処理開始までの時間が短く、優れた均一性をエッチング処理を行うことができる。 - 特許庁 - It is preferred that a thickness of the plasma etching electrode is 3-10 mm.
プラズマエッチング電極の厚さが３〜１０ｍｍであると好ましい。 - 特許庁 - The etching gas supply means supplies, to the reaction room 11, an etching gas capable of forming reaction products by reacting with the target to be processed.
エッチングガス供給手段は、加工対象と反応して反応生成物を生成可能なエッチングガスを反応室１１内に供給する。 - 特許庁 - Melting rate of the crystal for etching liquid is different in each direction of the substrate 1 and a reverse pyramidal cavity is formed by etching.
エッチング液によって結晶が溶けていく速さは基板１の各方向によって異なり、エッチングにより逆ピラミッド型の空洞が形成される。 - 特許庁 - The liner layer at the boundary portion between the trench etching mask and oxide film is removed.
トレンチエッチングマスクと酸化膜境界部分のライナー層を除去する。 - 特許庁 - To form a capacitor and an NVM cell in an integrated fashion so that etching of the capacitor is useful in end point detection of etching of the NVM cell.
キャパシタのエッチングはＮＶＭセルのエッチングの終点検出に有用になるようにキャパシタおよびＮＶＭセルを集積するように形成する。 - 特許庁 - A plasma chamber 1 is supplied with etching gases A, B and C from etching gas cylinders 4 and 5 at flow rates of (a-a1), (b-b1) and (c-c1), respectively.
プラズマチャンバ１にエッチングガスボンベ４、５からエッチングガスＡ、Ｂ及びＣが夫々流量（ａ−ａ_1）、（ｂ−ｂ_1）及び（ｃ−ｃ_1）で供給される。 - 特許庁 - A gate electrode 31 is covered with a silicon nitride film 7, which has a larger etching selection ratio than that of an NSG film 14 under prescribed etching conditions.
ゲート電極３１２が所定のエッチン条件においてＮＳＧ膜１４より選択比の大きなシリコン窒化膜７により覆われている。 - 特許庁 - To provide a semiconductor laser device which is equipped with an etching stop layer which a high etching-controllability and capable of preventing light absorption from an active layer.
エッチング制御性が高く、かつ、活性層からの光吸収を生じさせないエッチングストップ層を備えた半導体レーザ装置を提供する。 - 特許庁
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