「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 69 70 71 72 73 74 75 76 77 .... 399 400 次へ＞- ETCHING AGENT COMPOSITION AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME
エッチング剤組成物およびこれを用いた半導体デバイスの製造方法 - 特許庁 - In a process S104, an epitaxial substrate is disposed in an etching device 10.
工程Ｓ１０４ではエピタキシャル基板をエッチング装置１０に配置する。 - 特許庁 - ETCHING FLUID COMPOSITION FOR METAL WIRING FORMATION FOR TFT-LCD
ＴＦＴ−ＬＣＤ用金属配線形成のためのエッチング液組成物 - 特許庁 - To measure etching rate with high precision and high reliability on real-time.
精度および信頼性の高いエッチング速度測定をリアルタイムで行う。 - 特許庁 - In a processing chamber, patterning of a processed film is performed, by etching the uncovered region of the processed film with an etching mask.
処理室内において、被処理膜のうち、エッチングマスクによって覆われていない領域をエッチングすることにより、被処理膜のパターニングを行なう。 - 特許庁 - To provide a method for plasma-etching a semiconductor substrate capable of sufficiently obtaining an etching rate in trench working and an improvement in yield.
トレンチ加工におけるエッチングレートと歩留まりの向上が充分に得られるようにした半導体基板のプラズマエッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - Etching stopper film 6es is formed on the interconnect 5w ((B)step).
配線５ｗ上にエッチングストッパ膜６ｅｓが形成される（（Ｂ）工程）。 - 特許庁 - The step of forming the groove 12a in the nonmagnetic layer includes the step of taper-etching the nonmagnetic layer by reactive ion etching with an etching gas containing at least BCl_3 and N_2 among BCl_3, Cl_2 and N_2.
非磁性層に溝部１２ａを形成する工程は、ＢＣｌ_３、Ｃｌ_２、Ｎ_２のうち少なくともＢＣｌ_３とＮ_２を含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングによって、非磁性層をテーパエッチングする工程を含む。 - 特許庁 - In the logic circuit region, the upper part of a conductive layer is removed, too, by performing over-etching when a stopper layer is removed by etching.
ロジック回路領域において、ストッパ層をエッチングによって除去する際に、オーバーエッチングを施すことにより、導電層の上部も除去する。 - 特許庁 - An etching resist layer is formed at a specified position of the conductor layer 10b.
導体層１０ｂの所定の位置にエッチングレジスト層が形成される。 - 特許庁 - Even if a pad oxide film 102 is removed by wet etching after a silicon nitride film 103 is removed by anisotropy etching where an etching speed to the silicon oxide film is equal to that to the silicon nitride film, no divots are generated.
酸化シリコン膜並びに窒化シリコン膜に対するエッチング速度が等しい異方性エッチングにより窒化シリコン膜１０３が除去された後、ウェット・エッチングによりパッド酸化膜１０２の除去しても、ディボットは発生しない。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a nitride semiconductor device wherein the occurrence of the damage due to dry etching is prevented and the flexibility in dry etching is enhanced.
ドライエッチングによるダメージの発生を防止するとともに、ドライエッチングの自由度の大きい窒化物半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To prevent the etching rate or the deposition rate from decreasing in etching or plasma CVD by suppressing electric field erosion at the channel portion of a heat exchanging mechanism.
熱交換機構の流路部分の電界腐食を抑え、エッチングやプラズマＣＶＤにおいてエッチングレートやデポレートが低下するのを防ぐ。 - 特許庁 - ETCHING METHOD FOR FORMING ANISOTROPIC FEATURE FOR HIGH ASPECT RATIO
高アスペクト比用途の異方性フィーチャを形成するためのエッチング方法 - 特許庁 - To provide an etching process of a semiconductor improved such that etching level difference of a diffusion layer can be increased.
拡散層のエッチング段差を大きくすることができるように改良された半導体のエッチング方法を提供することを主要な目的とする。 - 特許庁 - In the method for regenerating an etching solution in which cuprous chloride contained in an etching solution after the etching of a printed circuit board is reduced into cupric chloride by an oxidizer and is reutilized, as the above oxidizer, ozone is used.
プリント配線板をエッチングした後のエッチング液に含まれる塩化第一鉄を酸化剤により塩化第二鉄に還元して再利用するエッチング液の再生方法において、前記酸化剤としてオゾンを用いる。 - 特許庁 - To provide a silicon oxide film selective wet etching solution that can effectively remove a BPSG (silicon) oxide film by suppressing etching of a metal silicide film to increase the etching selectivity of a silicon oxide film.
金属シリサイド膜のエッチングを抑制してシリコン酸化膜のエッチング選択比を向上させることで、ＢＰＳＧ（シリコン）酸化膜を効果的に除去できるシリコン酸化膜選択性湿式エッチング溶液を提供する。 - 特許庁 - A nitrided sapphire substrate is subjected to alkali etching to clean the nitrided sapphire substrate.
窒化サファイア基板をアルカリエッチングし、窒化サファイア基板を清浄化する。 - 特許庁 - To provide noncombustible etching compound for selectively etching non-easily soluble hafnium oxide without giving damage on the other semiconductor material.
難溶性の酸化ハフニウムを、他の半導体材料にダメージを与えることなく、選択的にエッチングできる不燃性のエッチング組成物を提供する。 - 特許庁 - The semiconductor device is manufactured using a dry etching unit having a configuration where an upper electrode 8 and a support substrate 1 having an etching film face each other.
上部電極８と、被エッチング膜を有する支持基板１とが対向する構成のドライエッチング装置を用いて、半導体装置を製造する。 - 特許庁 - For etching of the titanium film, ammonia water or aqueous hydrogen peroxide is used.
チタン膜のエッチングには、アンモニア水もしくは過酸化水素水を用いる。 - 特許庁 - MULTILAYER RESIST AND PROCESSING METHOD THEREOF, AND ETCHING METHOD USING MULTILAYER RESIST
多層レジストとその加工方法及び多層レジストを用いたエッチング方法 - 特許庁 - COMPOUND FOR PHOTORESIST, PHOTORESIST SOLUTION, AND ETCHING METHOD USING THE PHOTORESIST SOLUTION
フォトレジスト用化合物、フォトレジスト液、およびこれを用いるエッチング方法 - 特許庁 - To provide an anisotropic dry etching method of copper capable of performing anisotropic etching to copper without causing corrosion of the copper by halogens.
ハロゲンによる銅の腐食を生じさせずに銅を異方性エッチングすることができる銅の異方性ドライエッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - To stabilize the etching rate in a method for dry etching an article containing silicon and titanium or a titanium compound and an organic matter by the plasma of etching gas containing fluorine atoms.
フッ素原子を含むエッチングガスのプラズマにより、シリコンとチタンまたはチタン化合物と有機物を含む被エッチング物をエッチングするドライエッチング方法において、エッチング速度を安定にする方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To obtain a polyimide composition capable of being subjected to surface roughness by alkali etching.
アルカリエッチングによる表面粗化が可能なポリイミド組成物を得る。 - 特許庁 - A cantilevered beam is formed in a cavity to an accurate length by isotropically etching a fast-etching material, such as hydrogen sillsquioxane.
水素シルセスキオキサン等のエッチングの速い物質を等方的にエッチングすることによって凹所内に片持ち梁型ビームを正確な長さに形成する。 - 特許庁 - Moreover, a hard mask 10a is formed by etching the hard mask layer 10 formed thereof with the plasma etching method using a gas including fluorine atoms.
さらに、この上に形成したハードマスク層１０を、フッ素原子を含むガスを用いたプラズマエッチングによりエッチングしてハードマスク１０ａを形成する。 - 特許庁 - METHOD FOR FORMING CONTACT HOLE OF SEMICONDUCTOR ELEMENT USING REACTIVE ION ETCHING
反応性イオンエッチングを用いた半導体素子のコンタクトホール形成方法 - 特許庁 - As an etching gas, a gas mixture containing a halogen gas and an oxygen gas is used.
エッチングガスとしてハロゲンガスと酸素ガスを含む混合ガスを用いる。 - 特許庁 - The method for etching the aluminum-based material includes etching the aluminum-based material having a resist pattern mask formed on its surface with an etching solution containing at least ferric chloride and ammonium chloride.
表面にレジストパターンマスクが形成されてなるアルミニウム系材料を少なくとも塩化第二鉄と塩化アンモニウムを含有するエッチング溶液でエッチング処理することを特徴とするアルミニウム系材料のエッチング方法。 - 特許庁 - At that time, etching is controlled by controlling the temperature or the like of the etchant 5.
その際、エッチング液５の温度等を制御してエッチングを制御する。 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING NON-ORIENTED ELECTRICAL STEEL SHEET FOR ETCHING-PROCESS, AND METHOD FOR MANUFACTURING MOTOR CORE
エッチング加工用無方向性電磁鋼板とモータコアの製造方法 - 特許庁 - The two-fluid nozzle 9 mixes the supplied etching liquid and air, generates droplets of etching the liquid and can jet them to the substrate W.
二流体ノズル９は、供給されたエッチング液と空気とを混合してエッチング液の液滴を生成し、ウエハＷに向けて噴射できる。 - 特許庁 - RESIN COMPOSITION, ETCHING AND PRINTING AGENT FOR TEXTILE AND TEXTILE PRINTING METHOD USING THE AGENT
樹脂組成物、エッチング捺染剤及びそれを用いた捺染方法 - 特許庁 - A gate electrode is subjected to etching with a specified low gas pressure of not larger than 0.1 Pa.
0.1Pa 以下の低ガス圧力条件でゲート電極のエッチングを行う。 - 特許庁 - The protection film 14 is used as a resist film for etching the transmission and reception part 13b.
保護膜１４を送受信部１３ｂのエッチング用レジスト膜とする。 - 特許庁 - Here, the pits P2 due to a defect, such as a flaw which exists on the counter substrate 20 originally similarly to an etching side E1 are formed on an etching side E2 formed by etching the counter substrate 20.
ここで、対向基板２０をエッチング処理することによって形成されたエッチング面Ｅ２には、エッチング面Ｅ１と同様に、対向基板２０に元々存在していた傷等の欠陥に起因してピットＰ２が形成されている。 - 特許庁 - To provide an etching method for making constant a shape of an etching trench formed by an overetching.
この発明はオーバエッチングによって形成されるエッチング溝の形状を一定にすることができるようにしたエッチング方法を提供することにある。 - 特許庁 - A specified matter of the gas phase etching medium is used.
ガス状エッチング媒体として、特定の成分からなるものが使用される。 - 特許庁 - TWO STEP ETCHING OF BOTTOM ANTI-REFLECTIVE COATING LAYER IN DUAL DAMASCENE APPLICATION
デュアルダマシン用途における下面反射防止コーティング層の２ステップエッチング - 特許庁 - An etching stopper film 4 is formed so that the conductive layer 3 may be covered.
導電層３を覆うようにエッチングストッパ膜４が形成される。 - 特許庁 - The baked and exposed photosensitive resin is developed and is dried by a developing device, and the lower face of the developed metallic sheet 1 is subjected to etching by an etching device.
焼き付け露光した感光性樹脂を現像し現像装置で乾燥し、現像された金属板１の下面をエッチング装置でエッチングする。 - 特許庁 - The etching stopper layer 12 includes a first element and a second element.
エッチングストッパ層１２は、第１の元素と、第２の元素とを含有する。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for the etching manufacturing process of a panel.
パネルのエッチング製作プロセスの方法及びその装置を提供する。 - 特許庁 - The ohmic contact layer 27 between them is removed by etching.
それらの間隙のオーミックコンタクト層２７はエッチングにより除去されている。 - 特許庁 - To provide an etching method for suppressing etching at the center of a bottom of a hole and a groove and bringing a bottom shape close to be flat.
穴や溝の底面中央部におけるエッチングを抑制して、底面形状を平坦に近づけることができるエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - This etching apparatus comprises arranging substrate thickness measuring means 9 and 10 inside of and at a mouth of an etching area 8, and controlling a transferring speed of a substrate 7 based on a measured result with the measuring means, to control the etching condition thereby.
エッチングエリア８の内部および入口に、基板厚み測定手段９および１０を設け、ここでの測定結果に基いて基板７の搬送速度を制御し、それによってエッチング条件を制御する。 - 特許庁 - The protection film 52a remains while the etching mask 52b is removed.
次に、保護膜５２ａを残存させたままエッチングマスク５２ｂを除去する。 - 特許庁 - The carrying/processing control unit 250 controls carrying of wafer and etching processing.
搬送／処理制御部２５０は、ウエハの搬送、エッチング処理を制御する。 - 特許庁
