「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 73 74 75 76 77 78 79 80 81 .... 399 400 次へ＞- DRY ETCHING METHOD OF SEMICONDUCTOR WAFER AND MANUFACTURE OF EPITAXIAL WAFER
半導体ウェーハのドライエッチング方法およびエピタキシャルウェーハの製造方法 - 特許庁 - a resistant material used for surface protection of a metal plate in etching
エッチングをするときに材料の表面の一部を保護するためのレジスト - EDR日英対訳辞書 - To provide an etching apparatus by which the dispersion of etching rates can be reduced as small as possible in forming a wiring pattern on a printed circuit board.
プリント基板の配線パターンなどを形成するに際し、エッチング速度のバラツキを少なくできるようにしたエッチング装置を提供すること。 - 特許庁 - Fe-Ni ALLOY STOCK FOR SHADOW MASK, EXCELLENT IN PROPERTY OF PIERCING BY ETCHING
エッチング穿孔性に優れたＦｅ−Ｎｉ系合金シャドウマスク用素材 - 特許庁 - METALLIC FOIL STACKED BODY FOR ETCHING, AND METHOD OF PRODUCING ETCHED METALLIC FOIL
エッチング用金属箔積層体及びエッチド金属箔の製造方法 - 特許庁 - To provide a wiring film for a display excellent in wet etching property.
ウェットエッチング性が良好な表示装置用配線膜を提供する。 - 特許庁 - When the etching of the substrate 10 is performed Since the etching of the surface of the substrate 10 is performed while the atmospheric pressure in the furnace 1 is maintained at ≤760 Torr (one atmospheric pressure), the etching rate can be improved and, at the same time, a flat surface can be obtained by removing polishing marks from the surface.
雰囲気圧力を７６０Ｔｏｒｒ（１気圧）より小さい減圧下で行うことで、エッチングレートを向上させるとともに基板の研磨傷を除去し、平坦面を得ることができる。 - 特許庁 - In this state, a chlorine gas is allowed to flow into the etching chamber, and at the same time a plasma is generated by a high-frequency power supply 2 for etching.
この状態で、エッチング室１の内部に塩素ガスを流入させながら、高周波電源２によりプラズマを発生させてエッチングを行う。 - 特許庁 - A step-difference is formed on the alignment mark 21 through the etching process.
このエッチング工程を通して、アライメントマーク２１に段差を形成する。 - 特許庁 - The etching method includes a first process (S1) for etching the zinc oxide-based material by a solution containing oxalic acid and a second process (S2) for removing etching residues generated in the first process by using an alkaline solution.
蓚酸を含有する溶液で酸化亜鉛系材料をエッチングする第１の工程（Ｓ１）と、アルカリ性溶液を用いて、前記第１の工程におけるエッチング残渣を除去する第２の工程（Ｓ２）を有している。 - 特許庁 - To provide a dry etching device capable of attaining plasma etching which decelerate accumulation of sediment by suppressing the sticking local reaction product.
局部的な反応生成物の付着を抑え、堆積物の蓄積速度が減少するプラズマエッチングが達成できるドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - Furthermore, etching, which left the organic compound film currently formed in the position, which overlaps with an electric conduction film, becomes possible by forming the electric conduction film, which serves as an etching stopper, on this organic compound film and by carrying out etching.
さらに、この有機化合物膜上にエッチングストッパーとなる導電膜を形成してエッチングを行うことにより、導電膜と重なる位置に形成されている有機化合物膜を残したエッチングが可能となる。 - 特許庁 - To provide a dry etching device which is capable of carrying out a dry etching work in a short time, and furthermore satisfying strict requirements as to tolerance sufficiently.
短時間でのドライエッチング作業を可能とし、しかも、許容誤差に関する厳格な要求にも十分応えることができるようにする。 - 特許庁 - To prevent dot deformation by etching, not accompanied by a working yield.
加工歩留りを伴うことなく、エッチングによるドット変形を防止する。 - 特許庁 - The grooves 34 and 36 have a U-shape made by chemically etching the leads.
溝部は、リードを化学的エッチングして設けたＵ字溝となっている。 - 特許庁 - METAL FOIL STACKED BODY FOR ETCHING, AND METHOD FOR PRODUCING ETCHED METAL FOIL
エッチング用金属箔積層体及びエッチド金属箔の製造方法 - 特許庁 - Micropores 113 used for etching are sealed by an insulating film.
そして、エッチングに使用した微細孔１１３を絶縁膜で封止する。 - 特許庁 - To provide dry etching method and system in which etching rate can be raised at the end portion of a body to be etched and in-plane etching rate can be made uniform.
ドライエッチング方法およびその装置に関し、被エッチング体の端部のエッチング速度を上げ、かつ、面内のエッチング速度を均一化することができるドライエッチング方法およびその装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The etching device is composed of: a fixture 10 to which a glass substrate 20 can be stuck; a jetting means 54 jetting an etching liquid to the glass substrate 20; and a progression line 12 transferring the fixture 10 into the etching device.
前記エッチング装置は、ガラス基板２０が付着できるジグ１０と、ガラス基板２０にエッチング液を噴射する噴射手段５４と、ジグ１０をエッチング装置の中に移送する進行ライン１２とで構成される。 - 特許庁 - The method also comprises the steps of thereafter, lightly etching the surface of an N-type GaAs buffer layer 22.
その後、ｎ型ＧaＡsバッファ層２２の表面を軽くエッチングする。 - 特許庁 - ETCHING APPARATUS, AND APPARATUS AND METHOD FOR EVALUATING SUBSTRATE SURFACE
エッチング装置、基板表面評価装置、及び基板表面評価方法 - 特許庁 - The BARC etching can be used in a via hole-preceding dual-damascene technique.
ＢＡＲＣエッチングをビア先行デュアルダマシン法に用いることができる。 - 特許庁 - The method for manufacturing the semiconductor device of this invention comprises a step of forming the silicon nitride film having a part with the arsenic included and a part without the arsenic included; a first etching step of etching the part with the arsenic included out of the silicon nitride film by a dry etching; and a second etching step for etching the part without the arsenic included out of the silicon nitride film by the wet etching.
本発明の半導体装置の製造方法は、砒素が含まれている部分と砒素が含まれていない部分とを有するシリコン窒化膜を形成する工程と、ドライエッチングにより、前記シリコン窒化膜のうちの前記砒素が含まれている部分をエッチングする第１のエッチング工程と、ウェットエッチングにより、前記シリコン窒化膜のうちの前記砒素が含まれていない部分をエッチングする第２のエッチング工程と、を含む、ことを特徴とする - 特許庁 - To provide an etchant and an etching method that can greatly facilitate a processing shape confirming operation in etching processing which should have been done frequently by suppressing a temporal decrease in etching speed during continuation of warming unique to an etchant containing hydroxylamines, in etching processing of silicon, especially, anisotropic etching of silicon in a manufacturing process of an MEMS component.
シリコンのエッチング加工、特にＭＥＭＳ部品の製造工程におけるシリコンの異方性エッチング加工において、ヒドロキシルアミン類を含有するエッチング液に特有な加温継続時のエッチング速度の経時低下を抑制することによって、頻繁に行わざるを得なかったエッチング処理中の加工形状確認操作を大幅に簡略化できる、エッチング液およびエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - Sulfate, hydrogen sulfate, azoles and carbonate are incorporated into an etching solution comprising sulfate peroxide as the main agent, so that the easily treatable etching solution for copper and copper alloys free from the occurrence of unpleasant gas, having satisfactory work environmental properties, a high ratio (etching factor) between the etching rates in vertical and in horizontal directions and improved etching accuracy is prepared.
過酸化硫酸塩を主剤とするエッチング液に、硫酸塩、硫酸水素塩およびアゾール類、さらに炭酸塩を含有することで、不快なガスなどの発生も無く、作業環境性が良く、取り扱いも簡単で，垂直方向へのエッチング速度と左右方向へのエッチング速度の比（エッチファクター）が大きく、エッチング精度が向上する銅および銅合金のエッチング液。 - 特許庁 - The mold for molding with the spacer is produced by forming an etching prevention film 102 on a glass substrate 100, forming an opening array 104 on the etching prevention film, forming a recess array 106 in the glass substrate under the opening array by the liquid phase etching, removing the etching prevention film of the member of the recess array, and fixing the spacer in at least three portions of the residual etching prevention film.
スペーサ付き成形型は、ガラス基板１００上にエッチング阻止膜１０２を成膜し、エッチング阻止膜に、開口アレイ１０４を形成し、液相エッチングによって、開口アレイの下部のガラス基板に凹部アレイ１０６を形成し、凹部アレイの部分のエッチング阻止膜を除去し、残されたエッチング阻止膜上の少なくとも３個以上の箇所にスペーサを固着することで作製される。 - 特許庁 - This analysis method of the quartz member has the first process for etching by supplying etching liquid to the quartz member, and the second process for analyzing a metal in the etching liquid used in the first process; and has the characteristic that the supplying of the etching liquid in the first process is performed into a recessed etching liquid holding part formed on the quartz member.
石英部材にエッチング液を供給してエッチングする第１の工程と、前記第１の工程で用いた前記エッチング液中の金属を分析する第２の工程と、を有する石英部材の分析方法であって、前記第１の工程の前記エッチング液の供給は、前記石英部材に形成された凹状のエッチング液保持部にされることを特徴とする石英部材の分析方法。 - 特許庁 - The method of controlling dimensions of structures formed on the substrate using the etching process includes a step 204 of measuring pre-etching dimensions of the respective elements of a patterned etching mask, a step 206 of adjusting the process recipe of the etching process using the results of the pre-etch measurements, and a step 208 of adjusting the process recipe of the etching process, using the patterned etch mask.
エッチングプロセスを用いて基板上に形成された構造物の寸法を制御する方法がパターン化されたエッチングマスクのそれぞれの素子のエッチング前の寸法を測定するステップ２０４、前記エッチング前の測定結果を用いてエッチングプロセスのプロセスレシピを調整するステップ２０６及びパターン化されたエッチングマスクを用いてエッチングプロセスを行い、プロセスレシピを調整するステップ２０８を有する。 - 特許庁 - The method for manufacturing a three-dimensional structure includes: a step of preparing the substrate 200; a mask forming step of forming the etching mask 204 to the surface of the substrate 200 by using the method for forming the etching mask; and an etching step of dry-etching the substrate from a diagonal direction using the etching mask 204 and of forming a plurality of holes.
また、３次元構造体を製造するに際して、基板２００を準備する工程と、前記基板２００表面に、上記したエッチングマスクの形成方法を用い、エッチングマスク２０４を形成するマスク形成工程と、前記エッチングマスク２０４を用い、前記基板を斜め方向からドライエッチングして複数の開孔を形成するエッチング工程と、を有する製造方法を用いる。 - 特許庁 - This manufacturing method includes a process S101 for forming an etching mask material by a lithography process on a silicon substrate, a process S102 for forming a slit in the etching mask material by cutting the etching mask material formed on the silicon substrate by focused ion beam and a process S104 for forming a groove in a slit portion formed in the etching mask material by etching.
電子部品の製造方法は、シリコン基板上にリソグラフィ工程によってエッチングマスク材を形成する工程Ｓ１０１と、シリコン基板上に形成されたエッチングマスク材を集束イオンビームで切断してエッチングマスク材にスリットを形成する工程Ｓ１０２と、エッチングによってエッチングマスク材に形成されたスリット部分に溝を形成する工程Ｓ１０４とを含む。 - 特許庁 - The detection method of the etching end point in the dry semiconductor etching step is to search for the etching end point from the surfaces of a semiconductor substrate and of a film selected from among multilayer films on the substrate, while spectrally analyzing the beam, in terms of etching time, which is emitted in the course of a plasma etching step onto the semiconductor substrate introduced into the processing chamber.
本発明の半導体乾式エッチング工程でエッチング終了点の検出方法は、工程チェンバー内に投入された半導体基板上にプラズマエッチング工程を進行する過程で発生された光をエッチング時間によるスペクトル分析で、半導体基板上及びその基板上の多層膜の中で選択された膜上からエッチング終了点を探すものである。 - 特許庁 - A cleaning method includes: a step for etching deposits including a thin film adhering to the inner wall of a reaction tube by supplying the etching gas into the reaction tube composed of a heat-resistant nonmetallic member after forming a thin film on a substrate; and a step for etching the surface of the inner wall of the reaction tube by supplying the etching gas into the reaction tube after etching the deposits.
耐熱性非金属部材で構成された反応管内で基板上に薄膜を形成した後の反応管内にエッチングガスを供給して、反応管内壁に付着した薄膜を含む付着物をエッチングする工程と、付着物をエッチングした後の反応管内にエッチングガスを供給して、反応管内壁の表面をエッチングする工程と、を有する。 - 特許庁 - At the time of etching the tungsten film, a CF-based gas is used instead of the SF6.
タングステンのエッチングを、ＳＦ_6に代えて、ＣＦ系のガスを用いて行う。 - 特許庁 - ETCHING METHOD, MANUFACTURING METHOD FOR PHOTOVOLTAIC DEVICE, AND PHOTOVOLTAIC DEVICE
エッチング方法、光起電力装置の製造方法及び光起電力装置 - 特許庁 - Furthermore, gas 20 for electric discharge is introduced to the etching chamber 10.
さらに、エッチングチャンバ１０内には、放電用ガス２０が導入されている。 - 特許庁 - To provide a method for etching a trench section on a thermal ink jet print head.
サーマルインクジェットプリントヘッドのトレンチ部分をエッチングする方法を提供する。 - 特許庁 - A trench 16 is formed, by etching, on the surface of a substrate 12 for connection.
接続用基板１２の表面にエッチングにより溝部１６を形成する。 - 特許庁 - ETCHING ANTICORROSION RESIN COMPOSITION AND MANUFACTURING METHOD OF SHADOW MASK USING THE SAME
エッチング耐蝕樹脂組成物及びそれを用いたシャドウマスクの製造方法 - 特許庁 - THIN-WALL PROCESSING OF SEMICONDUCTOR CHIP AND ETCHING DEVICE FOR THIN-WALL PROCESSING
半導体チップの薄肉加工方法および薄肉加工用エッチング装置 - 特許庁 - ETCHING METHOD FOR MAGNETIC MATERIAL FILM AND METHOD OF PRODUCING THIN FILM MAGNETIC HEAD
磁性材料膜のエッチング方法および薄膜磁気ヘッドの製造方法 - 特許庁 - Further, dry etching processing is employed for a forming means of the crystal resonator chips 10.
また、水晶振動片１０の形成手段がドライエッチング加工である。 - 特許庁 - The substrate is subsequently subjected to deep etching surface-treatment with 15% HF (hydrofluoric acid).
次に、１５％ＨＦ（フッ酸）でディープエッチング表面処理をおこなった。 - 特許庁 - To generate a mask pattern by a simulation in which difference in etching transformation is taken into consideration.
エッチング変換差を考慮したシミュレーションによりマスクパターンを生成する。 - 特許庁 - TEST PATTERN FORMING METHOD, ETCHING CHARACTERISTIC MEASURING METHOD, AND CIRCUIT USING SAME
テストパターン形成方法、それを用いたエッチング特性測定方法及び回路 - 特許庁 - ETCHING METHOD AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME
エッチング方法およびエッチング方法を用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁 - After etching, the wafer W is left as it is in the chamber 102.
エッチング処理後，ウェハＷは，そのまま処理室１０２内に配置される。 - 特許庁 - To perform etching treatment to a rectangular substrate surface efficiently and uniformly.
矩形の基板表面に対して効率よく均一にエッチング処理を行う。 - 特許庁 - APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTORS AND METHOD OF INSPECTING AND REMOVING FOREIGN MATTER DURING DRY ETCHING
半導体製造装置およびドライエッチング時の異物検査・除去方法 - 特許庁 - A third insulating layer 220 is formed over the etching stopper film 210.
第３絶縁層２２０はエッチングストッパー膜２１０上に形成されている。 - 特許庁 - A second insulating layer 220 is formed over the etching stopper film 200.
第２絶縁層２２０はエッチングストッパー膜２００上に形成されている。 - 特許庁
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