「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 72 73 74 75 76 77 78 79 80 .... 399 400 次へ＞- MANUFACTURING METHOD FOR NIOBIUM OR TANTALUM COMPONENT BY ELECTROCHEMICAL ETCHING
ニオブまたはタンタルの成形品を電気化学エッチングで製造する方法 - 特許庁 - ELECTRODIALYSIS METHOD FOR REFINING SILICATE-CONTAINING POTASSIUM-HYDROXIDE ETCHING LIQUID
珪酸塩含有水酸化カリウムエッチング液を精製する電気透析法 - 特許庁 - LAPPING POLISHING CLOTH, AND METHOD OF LAPPING SILICON ELECTRODE FOR PLASMA ETCHING DEVICE
ラッピング用研磨布、プラズマエッチング装置用シリコン電極のラッピング方法 - 特許庁 - To efficiently conduct wet etching in a short time by a small quantity of an etchant.
少量のエッチング液で、ウェットエッチングを効率よく短時間で行う。 - 特許庁 - To provide semiconductor processing method and device capable of performing optimum etching without installing a monitoring device in an etching device.
エッチング装置にモニタ装置を設置することなく最適なエッチングを行うことのできる半導体処理方法及び処理装置を提供する。 - 特許庁 - METHOD FOR REFINING COPPER CHLORIDE ETCHING WASTE LIQUID AND REFINED COPPER CHLORIDE SOLUTION
塩化銅エッチング廃液の精製方法及び精製塩化銅溶液 - 特許庁 - A mixed gas of Cl_2 gas with O_2 gas is used as the etching gas.
エッチングガスには、Ｃｌ_2ガスおよびＯ_2ガスを含む混合ガスを用いる。 - 特許庁 - Thus, the etching rate in the semiconductor wafer surface can be adjusted.
これにより、半導体ウェハ面内のエッチングレートの調整が可能である。 - 特許庁 - The etching solution is for selectively etching a nitride film, and is a hydrofluoric acid-added phosphoric acid solution.
本発明のエッチング液は、窒化膜を選択的にエッチングするためのエッチング液であり、前記エッチング液は、フッ酸が添加された燐酸溶液からなる。 - 特許庁 - Thereafter, by performing etching in such a manner that etching may progress along the reformed regions 7, the ingot is cut along the expected cut plane 5.
その後、エッチング処理を施してエッチングを改質領域７に沿って進行させることで、インゴットを切断予定面に沿って切断する。 - 特許庁 - ETCHING PROCESSING METHOD AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
エッチング処理方法および炭化珪素半導体装置の製造方法 - 特許庁 - ALKALI ETCHING LIQUID, SILICON WAFER ETCHING METHOD USING THE SAME, AND METHOD FOR DISCRIMINATING FRONT AND REAR SURFACES OF SILICON WAFER USING THE SAME METHOD
アルカリエッチング液及びこのエッチング液を用いたシリコンウェーハのエッチング方法並びにこの方法を用いたシリコンウェーハの表裏面差別化方法 - 特許庁 - Then, the semiconductor layer part is etched 0.2 μm by dry-etching.
そして、ドライエッチングにより半導体層部分を約０．２μｍエッチングする。 - 特許庁 - ETCHANT, ROUGHENING TREATING METHOD FOR SILICON-WAFER SUBSTRATE SURFACE AND ETCHING EQUIPMENT
エッチング液、シリコンウエハ基板面の粗面化処理方法、及びエッチング装置 - 特許庁 - The surface of a mirror-finished silicon wafer W is alkali-etched by 40 nm using alkaline etching liquid with less roughness on the etching surface.
鏡面仕上げされたシリコンウェーハＷの表面に、エッチング面のあれが少ないアルカリ性エッチング液を使用し、４０ｎｍだけアルカリエッチする。 - 特許庁 - Also, since the Ti layer 15 functions as an etching stopper, etching of each Au layer and AuGe-Ni-Au alloy layer can be carried out independently.
また，Ｔｉ膜は，エッチングストッパとして働くため，Ａｕ層，ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ合金層それぞれのエッチングは，完全に独立して行われる。 - 特許庁 - In the etching method for etching a surface of a single-crystal silicon substrate to form an uneven shape, etching is performed using the etchant composition containing the alkali compound, the organic solvent, and the surfactant.
また、単結晶シリコン基板の表面をエッチングして凹凸形状を形成するエッチング方法は、アルカリ化合物と、有機溶剤と、界面活性剤とを含むエッチング液組成物を用いてエッチングを行う、エッチング方法である。 - 特許庁 - Accordingly, the etching rates of the both metals are controlled to be nearly equal and the formation a burr caused by the difference of the etching rates can be suppressed.
したがって、両金属のエッチングレートをぼほ等しくすることができ、エッチングレートの違いに伴うバリの発生を抑制することができる。 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS OF SETTING GAS, ETCHING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM
ガス設定方法，ガス設定装置，エッチング装置及び基板処理システム - 特許庁 - COPPER ALLOY FOR LEAD FRAME EXCELLENT IN ETCHING WORKABILITY AND ITS PRODUCTION
エッチング加工性に優れたリードフレーム用銅合金とその製造方法 - 特許庁 - To provide an ion beam etcher capable of more uniformly etching.
より均一なエッチングを行うことができるイオンビームエッチング装置の提供。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of etching a ruthenium film with good reproducibility at the same time obtaining the high etching selection ratio of a resist film.
レジスト膜に対する高エッチング選択比を得ると同時に、再現性よくルテニウム膜をエッチング加工することのできる技術を提供する。 - 特許庁 - A combination of the etching precursor gas, etching suppression gas, and focused beam selectively etches a first material, as compared to a second material.
このエッチング前駆体ガス、エッチング抑制ガスおよび集束ビームの組合せは、第１の材料を第２の材料に比べて選択的にエッチングする。 - 特許庁 - For dry etching, e.g. (CO+O_2) flame or flame containing an etching gas and no hydrogen nor moisture in its center is used.
ドライエッチングに用いる火炎は、たとえば、（ＣＯ＋Ｏ_２）火炎、あるいは、火炎の中心部に水素や水分を含まず、エッチングガスを含む火炎とする。 - 特許庁 - To suppress adsorption of particles while controlling the etching amount accurately.
エッチング量を正確に制御しつつ、パーティクルの吸着を抑制する。 - 特許庁 - In the process (c), the first etching-resistant film 32 is formed by diffusing atoms constituting the first etching-resistant film 32 into the substrate 10.
（ｃ）工程で、第１の耐エッチング膜３２を構成する原子を基板１０に拡散させることによって、第１の耐エッチング膜３２を形成する。 - 特許庁 - The part 43 removed by etching is refilled by a polyimide layer 26.
エッチングで除去された部分４３は、ポリイミド層２６によって埋め戻す。 - 特許庁 - A composition for etching constituted, containing fluoride, chloride, and complexing agent, or the a composition for etching constituted, containing silicon fluoride and phosphoric acid is used.
フッ化物、塩化物、及び錯化剤を含んでなるエッチング用組成物、或いはフッ化ケイ素、リン酸を含んでなるエッチング用組成物を用いる。 - 特許庁 - To provide a method where a smooth etching surface can be obtained, etching can be made with excellent reproducibility, and additionally etching is carried out with the same result when a plurality of nitride gallium-based compound semiconductors are etched simultaneously.
平滑なエッチング面が得られ、良好な再現性をもってエッチングでき、加えて複数の窒化ガリウム系化合物半導体を同時にエッチングしたときに同一の結果でエッチングできる方法を提供すること。 - 特許庁 - SELECTIVE ETCHING OF COMPOUND SEMICONDUCTOR, SELECTIVE ETCHING OF NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURE
化合物半導体の選択エッチング方法、窒化物系化合物半導体の選択エッチング方法、半導体装置および半導体装置の製造方法 - 特許庁 - To provide an etching method for a semiconductor element which raises a photoresist selection ratio for formation of a thin photoresist to improve etching efficiency.
薄いフォトレジストのフォトレジスト選択比を高めることで、エッチング効率を向上させることができる半導体素子のエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING ELECTRODE FOIL FOR ELECTROLYTIC CAPACITOR AND ETCHING PIT MOTHER DIE
電解コンデンサ用電極箔の製造方法およびエッチングピット母型 - 特許庁 - Next, while a resist film 5 is used as a mask, a wiring groove 7 to the lower wiring 1 is formed by dry etching using an etching gas containing fluorine.
次に、レジスト膜５をマスクとし、フッ素を含むエッチングガスを用いたドライエッチングにより、下層配線１に至る配線溝７を形成する。 - 特許庁 - To selectively etch TiW films and improve its etching speed.
ＴｉＷ膜を選択的にエッチングし、そのエッチング速度を向上させる。 - 特許庁 - In an etching process P2, etching treatment is carried out under the environment wherein light of a short wavelength less than excitation wavelength of about 880 nm is blocked by an etching bath 62 and a lid 66 and not injected to the semiconductor wafer 46.
エッチング工程Ｐ２において、半導体ウェハ４６に880(nm)程度のその励起波長以下の短波長の光がエッチング槽６２および蓋６６で遮られて入射しない環境下でエッチング処理が行われる。 - 特許庁 - A large quantity of an etching liquid remains on the surface of the substrate W immediately after being carried out from a dip tank 20 for performing dipping etching processing.
浸漬エッチング処理を行うディップ槽２０から搬出された直後の基板Ｗの表面には多量のエッチング液が残留している。 - 特許庁 - The groove 12 can be also formed by means of laser processing or etching.
溝１２は、レーザ加工や、エッチングなどによって形成することもできる。 - 特許庁 - First etching gas is supplied into the reaction chamber and plasma is generated by discharge from the plasma etching system in order to etch the antireflection film 2.
反応室内に第１のエッチングガスを供給し、プラズマエッチング装置からの放電によりプラズマを生成して反射防止膜２をエッチングする。 - 特許庁 - Fe-Ni ALLOY SHEET EXCELLENT IN ETCHING PIERCEABILITY AND SHADOW MASK
エッチング穿孔性に優れたＦｅ−Ｎｉ系合金板及びシャドウマスク - 特許庁 - To provide a fluorene compound excellent in heat resistance and etching resistance.
耐熱性や耐エッチング性において優れたフルオレン化合物を提供する。 - 特許庁 - When a lanthanum oxide film formed on a silicon board is subjected to plasma etching by the plasma etching device 1, an etching rate of the lanthanum oxide film can be made higher than that of the silicon board to offer a high selection rate.
この装置１により、シリコン基板上に形成されたランタン酸化膜をプラズマエッチングすると、ランタン酸化膜のエッチング速度をシリコン基板のエッチング速度よりも大きくすることができ、高い選択比を得ることができる。 - 特許庁 - CONTACT ETCHING CONTAINING NO HYDROGEN FOR FORMING FERROELECTRIC CAPACITOR
強誘電性コンデンサを形成するための水素を含まない接触エッチング - 特許庁 - Subsequently, a wafer is reversed together with a holder such that an ion beam is not directly applied to the wafer during the etching, and dry etching is performed by chlorine radical.
次に、ウエハーをホルダーごと反転させ、エッチング中イオンビームが直接ウエハーに当たらないようにし、塩素ラジカルによるドライエッチングを行う。 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE FORMATION AND DRY ETCHING METHOD
半導体デバイス形成用基板の製造方法及びドライエッチング方法 - 特許庁 - It is preferable that the first etching gas contains the gas for which an etching gas is diluted by the Xe gas or the gas mixture of the Xe gas and an Ar gas.
第１エッチングガスは、エッチングガスをＸｅガス又はＸｅガスとＡｒガスとの混合ガスで希釈したガスを含むことが好ましい。 - 特許庁 - This piezo-resistance device can be formed by using isotropic etching, anisotropic chemical etching, and an insulation material growth.
本発明によるデバイスは、等方性ウェットエッチングや、異方性化学的エッチングや、絶縁体材料成長プロセスを使用して、形成することができる。 - 特許庁 - An etching chamber 10 includes the mounting table 11 of a semiconductor wafer W and a gas feeding head 12 for feeding gas EG for etching inside.
エッチングチャンバ１０は、内部に半導体ウェハＷの載置台１１及びエッチング用のガスＥＧが供給されるガス供給ヘッド１２を含む。 - 特許庁 - SURFACE TREATMENT METHOD OF QUARTZ GLASS SUBSTRATE AND HYDROGEN RADICAL ETCHING APPARATUS
石英ガラス基板の表面処理方法及び水素ラジカルエッチング装置 - 特許庁 - Recessed parts are prepared in the opposite side of the said gate part and directly adjacently thereto by etching in this etching region.
このエッチング領域の中でのエッチングにより、前記ゲート部分の反対側側面の上におよびそれに直接に隣接して凹部が作成される。 - 特許庁 - To provide a toner carrier roller that can be manufactured without turning of metal layer, or without an etching process which produces etching waste liquid.
金属層の旋削加工や、エッチング廃液を発生させるエッチング処理を行うことなく製造することが可能なトナー担持ローラを提供する。 - 特許庁
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