「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 66 67 68 69 70 71 72 73 74 .... 399 400 次へ＞- Such a milling is also executed using an etching method jointly.
このようなミーリング加工はエッチング法と併用して行うこともできる。 - 特許庁 - To prolong the using period of an etching soln. composed of ferric chloride and to reduce the amt. of waste water treatment in an etching treating device in which the etching soln. is sprayed on an alloy contg. iron, and surface treatment is executed.
鉄を含有する合金に塩化第二鉄からなるエッチング液をスプレーして表面処理を行うエッチング処理装置において、当該エッチング液の使用期間を延ばし、廃液処理の量を少なくすること。 - 特許庁 - In second etching, the auxiliary mask 15a is hardly etched.
第２のエッチングにおいては、補助マスク１５ａはほとんどエッチングされない。 - 特許庁 - Thereby, micro bubbles that may be produced in the case of wet etching can be avoided and a homogeneous etching rate can be obtained.
これによって、湿式エッチングの際に生じうる微細泡（Ｍｉｃｒｏ ｂｕｂｂｌｅ）を防止することができ、均一なエッチング率が得られる。 - 特許庁 - To provide a plasma etching method capable of making compatible a control of an etching shape and a restraint of a residue when a lower layer resist film of a three layer resist is dry-developed by using a plasma of an O_2 based etching gas.
Ｏ_２系エッチングガスのプラズマを使用して３層レジストの下層レジスト膜をドライ現像する際に、エッチング形状の制御と残渣の抑制を両立させることが可能なプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To improve a sealing nature for the gap formed by a sacrificial-layer etching.
犠牲層エッチングにより形成されるギャップの封止性を改良する。 - 特許庁 - COMPOSITION FOR NANOIMPRINT, PATTERN FORMING METHOD, ETCHING RESIST, AND PERMANENT FILM
ナノインプリント用組成物、パターン形成方法、エッチングレジストおよび永久膜 - 特許庁 - To provide an etching nozzle and an etching device that process a workpiece surface into a desired profile efficiently by making a less number of scans.
被加工物表面をより少ない回数の走査で所望のプロファイルに効率良く加工するエッチングノズル及びエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - In the plasma etching device for the quartz plate with which the quartz plate is made thinner by plasma etching, the quartz plate is loaded on a recessed part 20a of a carrier 20, and the carrier 20 is mounted on a lower electrode 3 for performing plasma etching treatment.
水晶板をプラズマエッチングにより薄化する水晶板のプラズマエッチング装置において、キャリア２０の凹部２０ａに水晶板を装着し、キャリア２０を下部電極３上に載置してプラズマエッチング処理を行う。 - 特許庁 - To achieve etching of high selectivity and high accuracy in manufacturing LSIs.
ＬＳＩ製造において、高選択比、高精度のエッチングを実現する。 - 特許庁 - The resistance of the detector element is measured during etching of a part.
上記一部分のエッチング時に、検出器素子の抵抗が測定される。 - 特許庁 - ETCHING TERMINATION DETECTING APPARATUS AND METHOD
エッチング終末点検出装置及びそのエッチング終末点検出方法 - 特許庁 - To prevent an etching fault near the root of a movable plate and a torsion bar.
可動板とトーションバーの付け根付近でのエッチング不良を防止する。 - 特許庁 - To obtain a display of a high grade by increasing auxiliary capacitors without lowering an aperture ratio and well maintaining the writing potential of respective pixels without the impairment of the brightness and contrast of display images and further to permit the selective etching of only the necessary materials by a dry etching method without requiring intricate etching control.
開口率を低下する事無く補助容量の増大を図り、表示画像の明るさ及びコントラストを損なう事無く各画素の書き込み電位を良好に保持して、高品位の表示を得る。 - 特許庁 - To suppress the fluctuation of pattern dimensions in etching of a reflection preventive film.
反射防止膜のエッチングにおけるパターン寸法の変動を抑制する。 - 特許庁 - The processing unit is a wet etching unit 14 using a chemical liquid capable of dissolving the native oxide of the metal or a dry etching unit 206 using a gas capable of reducing or etching the native oxide of the metal.
処理ユニットは、金属の自然酸化膜を溶解可能な薬液を用いたウェットエッチングユニット１４、あるいは、金属の自然酸化膜を還元可能またはエッチング可能なガスを用いたドライエッチングユニット２０６とする。 - 特許庁 - To provide an etching solution for electrically conductive polymers having excellent etching power to the polymers and provide a patterning method to use the etching solution for conductive polymers.
導電性高分子に対し優れたエッチング処理能力を有する導電性高分子用エッチング液を提供すること、さらには前記導電性高分子用エッチング液を用いたパターニング方法を提供すること。 - 特許庁 - Isotropic etching is then performed at the recess formed by anisotropic etching to round a corner 60b defined by the side surface and the footprint of the recess 58b.
異方性エッチングにより形成された凹部に等方性エッチングを施し、凹部５８ｂの側面と底面とに挟まれるコーナー６０ｂを丸める。 - 特許庁 - Prior to etching, only open/close valves 72 and 74a are opened for compounding an etching solution of a prescribed concentration in a mixing valve 73, and the etching solution is fed and kept in the tank 60.
エッチング処理に先立って、開閉バルブ７２、７４ａのみが開いてミキシングバルブ７３内で薬液濃度のエッチング用処理液が調合されるとともに、このエッチング用処理液が補助槽６０に送液されて貯留される。 - 特許庁 - To prevent short-circuiting between the wiring for etching and the p^+ impurity diffusion layer in electrochemical etching in an integrated pressure sensor having a diaphragm section formed by the electrochemical etching and an integrated circuit section in a silicon chip.
シリコンチップに、電気化学エッチングにより形成されたダイアフラム部、集積回路部を有する集積化圧力センサにおいて、電気化学エッチング時におけるエッチング用配線とｐ^+不純物拡散層との短絡を防止する。 - 特許庁 - With the structure explained above, entry of etching product to the side wall portion 15 is controlled and generation of platinum compound including etching product at the side wall portion 15 during the etching process of substrate 8 can be prevented.
この構造により、側壁部１５へのエッチング生成物の進入が抑制され、基板８のエッチング時に側壁部１５にエッチング生成物を含む白金化合物の発生を未然に防止することが可能になる。 - 特許庁 - An ITO pixel electrode is patterned by etching, using the solution.
これを用いたエッチングによりＩＴＯ画素電極をパターン形成する。 - 特許庁 - In this construction, the rough pattern is provided on the etching rate gradient film so that the etching rate of the etching rate gradient film makes the corners of recessed portions of the rough pattern round-shaped depending on the gradient distribution.
本発明の構成によれば、エッチングレート傾斜膜に凹凸パターンを設けることにより、エッチングレート傾斜膜のエッチングレートが傾斜分布に応じて、凹凸パターンの凹部の角をラウンド形状とすることが出来る。 - 特許庁 - METAL FOIL LAMINATED BODY FOR ETCHING, AND MANUFACTURING METHOD OF ETCHED METAL FOIL
エッチング用金属箔積層体及びエッチド金属箔の製造方法 - 特許庁 - Here, during etching the etch stop layer, the dielectric layer is covered.
ここで、誘電体層はエッチング止め層のエッチングの間覆われている。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which can perform etching more accurately than the case where termination of etching is managed by time, and to provide a manufacturing method for the device.
エッチングの終了を時間管理する場合よりも精度良くエッチングできる半導体装置とその製造方法を提供することにある。 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM RESONATOR, AND APPARATUS OF ETCHING THIN FILM RESONATOR
薄膜共振子の製造方法、及び薄膜共振子のエッチング装置 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND PLASMA ETCHING DEVICE TO BE USED FOR IT
半導体装置の製造方法、及びそれに用いるプラズマエッチング装置 - 特許庁 - A plurality of plasma dry etching steps are provided between a step of forming the floating gate 13 and a step of etching a passivation film 37.
フローティングゲート１３を形成する工程からパッシベーション膜３７をエッチングする工程の間に複数のプラズマドライエッチング工程を有する。 - 特許庁 - The surface of an Si substrate 22 is exposed in an etching window 34 where the sacrifice layer 35 is removed, so that the cavity 23 is produced below the etching window 34 by the crystal anisotropic etching of the Si substrate 22.
犠牲層３５の除去された跡のエッチング窓３４にはＳｉ基板２２の表面が露出しているので、エッチング窓３４の下方ではＳｉ基板２２が結晶異方性エッチングされて空洞２３が生じる。 - 特許庁 - METHOD FOR REMOVING HARD ETCHING MASK AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
ハードエッチングマスクの除去方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁 - Therefore, no interference is generated between light without transmitting through the etching stopper layer 54a and light transmitting through the etching stopper layer 54a.
このため、エッチングストッパー層５４ａを透過しない光と、エッチングストッパー層５４ａを透過した光との間において干渉が発生しない。 - 特許庁 - Since SiO_2 is employed as the material of a guide ring 9, O_2 atoms out of the SiO_2 subjected to sputter etching with Ar ions contributes to etching at the end portion of a body 6 to be etched thereby raising etching rate at the end portion.
ガイドリング９の材質をＳｉＯ_2にすることにより、ＡｒイオンによりスパッタエッチングされたＳｉＯ_2のうちのＯ_2原子が被エッチング体６の端部のエッチングに寄与し、端部のエッチング速度を上げることができる。 - 特許庁 - THIN SHEET OF LOW THERMAL EXPANSION ALLOY SUPERIOR IN ETCHING PROPERTY FOR ELECTRONIC COMPONENT
エッチング性に優れた電子部品用低熱膨張性合金薄板 - 特許庁 - In a method for detecting a dry etching endpoint, spectral analysis of plasma-emitted light is used in a dry etching process of a contact hole or the like.
ドライエッチング終点検出方法であって、コンタクトホール等のドライエッチング工程において、プラズマ発光のスペクトル分析を利用するものである。 - 特許庁 - The etching selecting ratio of the diffusion preventive film to the low dielectric constant film is set to about 5-15, and the etching speed can realize about 350 nm/min.
拡散防止膜の低誘電率膜に対するエッチング選択比は５〜１５程度、エッチング速度は３５０ｎｍ／ｍｉｎ程度を実現できる。 - 特許庁 - The incidence plane of the first protrusion is formed by wet etching, and the second protrusion is formed by dry etching on the surface of the first protrusion.
第１突出部は入射面をウェットエッチングして形成され、第２突出部は第１突出部の表面をドライエッチングして形成される。 - 特許庁 - A layer containing Al in the nitride semiconductor or containing Al_xGa_yIn_1-x-yN (0≤x, 0≤y, x+y≤1) is employed as the etching stop layer, while etching is effected by etching gas containing at least oxygen and chlorine.
窒化物半導体においてＡｌを含む層、すなわちＡｌ_xＧａ_yＩｎ__1-x-yＮ（０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）をエッチングストップ層として用い、かつ少なくとも酸素と塩素とを含むエッチングガスによりエッチングを行う。 - 特許庁 - Fe-Ni-BASED ALLOY STOCK FOR SHADOW MASK HAVING EXCELLENT ETCHING PIERCEABILITY
エッチング穿孔性に優れたＦｅ−Ｎｉ系合金シャドウマスク用素材 - 特許庁 - Then, wet etching is made for rounding the unevenness of the surface of the groove formed by the above-described etching and also rounding an apex of the portion that forms an angle.
ここで、当該エッチングで形成した溝の表面の凹凸や角になった部分の先端部を丸めるためにウェットエッチングを行う。 - 特許庁 - By using the resist pattern 4 as a mask, the conductive layer 3 is subjected to dry etching.
レジストパターン４をマスクに用いて、導電層３をドライエッチングする。 - 特許庁 - On a semiconductor substrate 100 including an active layer 102, an etching mask pattern 104 composed of an etching mask 104a for an optical waveguide and an etching mask 104b for the mirror part is formed as shown in Fig. 1 (A).
図１（Ａ）に示すように、活性層１０２を含む半導体基板１００上に、光導波路用エッチングマスク１０４ａ、ミラー部用エッチングマスク１０４ｂから構成されるエッチングマスクパターン１０４を形成する。 - 特許庁 - This etching method blows down on an etching liquid remaining in forcedly discharging portions 30, 40, for instance, by jetting out air 66 before setting a glass panel 1 on a pouring position of an etching liquid 11.
エッチング液（１１）の注入する注入位置にガラスパネル（１）を搬入する前に、エッチング液の吐出部（３０，４０）に残存するエッチング液を、例えば空気を噴射（６６）することにより、強制的に排出しておく。 - 特許庁 - The sacrificial etching segment is positioned between adjacent dual damascene interconnection lines which are formed on the etching stop layer.
犠牲的エッチングセグメントは、エッチング停止層（８１８）上に形成される隣接する二重ダマシーン連結ライン（８６４及び８６６）間に配置される。 - 特許庁 - Thereafter, the exposed fuse 104 is dissolved by wet etching.
その後、湿式エッチングを用いて露出したヒューズ１０４が溶解される。 - 特許庁 - To improve the uniformity of the etching rate on the surface of a mask substrate when the surface of the mask substrate is patterned lay plasma etching.
プラズマエッチングによってマスク基板の表面にパターンを加工する際に、マスク基板の表面におけるエッチング速度の均一性を改善する。 - 特許庁 - A mirror substrate (6) is provided with a circular etching recessed part (21a) formed at the center part of one of four sides by dry etching.
ミラー基板（６）には、４辺の内の１辺の中央部分にドライエッチングによって形成された円形のエッチング凹部（２１ａ）が設けられている。 - 特許庁 - By conducting an etching for forming a concave S by heating in an atmosphere containing hydrogen and using a layer containing Al as an etch-stopping layer 103, controllability of the etching, and yield, can be enhanced without concern on dispersion of etching depth or the like.
また、水素を含む雰囲気中で加熱しＡｌを含む層をエッチングストップ層１０３として用いることにより、エッチング深さのばらつき等の影響を受けず制御性の向上と歩留まりの向上を図れる。 - 特許庁 - To provide a plasma etching method by which a highly accurate etching shape can be attained by preventing stripping of an oxide film and an organic film at the interface.
酸化膜と有機膜との界面での剥離を防止し、精度よくエッチング形状を達成することのできるプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - A wafer conveying robot R carries wafers turning to dry etching objects.
ウェーハ搬送ロボットＲは、ドライエッチング対象となるウェーハを搬送する。 - 特許庁
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