「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 65 66 67 68 69 70 71 72 73 .... 399 400 次へ＞- First, the linewidths of an etching pattern in the wafer surface of a wafer is measured, the wafer having been subjected to a photolithography process and then to an etching process.
先ず、フォトリソグラフィー処理が終了し、その後エッチング処理が終了したウェハのエッチングパターンのウェハ面内の線幅を測定する。 - 特許庁 - ETCHING METHOD AND METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL/ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME
エッチング方法およびそれを用いた光／電子デバイスの製造方法 - 特許庁 - At this time, an etching condition for preventing the lower layer wiring 13 from being exposed is set for forming a recess 14a in the etching stop layer 14.
このとき、下層配線１３が露出しないようにエッチング条件を設定してエッチング停止層１４に凹部１４ａを形成する。 - 特許庁 - To provide a spin etching method capable of preventing a cleaning processing solution to an object to be subjected to spin etching processing from going round the back surface of the object.
スピンエッチング処理される被処理体への洗浄処理液の裏面回り込みを防止するスピンエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - METHOD OF PRODUCING LOW THERMAL EXPANSION ALLOY THIN SHEET EXCELLENT IN ETCHING PROPERTY
エッチング性に優れた低熱膨張合金薄板の製造方法 - 特許庁 - Dry etching treatment is not applied to the magnetoresistance effect film at all.
磁気抵抗効果膜には全くドライエッチング処理は施されない。 - 特許庁 - VERY SMALL GROOVE ETCHING METHOD, AND MANUFACTURING METHOD OF FLUID DYNAMIC PRESSURE BEARING
微小溝加工方法及び流体動圧軸受の製造方法 - 特許庁 - A plasma etching processing apparatus 1 comprises a nozzle head 10 for implementing an etching processing by spraying etching gas 4 to the surface of a silicon substrate 2 to be processed, and a cleaning head 20 for cleaning the silicon substrate 2 to remove residues such as ammonium silicofluoride and ammonium fluoride or the like formed by a reaction between a silicon compound produced by the etching processing and etching gas.
プラズマエッチング処理装置１は、被処理物であるシリコン基板２の表面にエッチングガス４を吹き付けてエッチング処理するノズルヘッド１０と、エッチング処理により生じたシリコン化合物とエッチングガスとが反応して形成されたケイフッ化アンモニウムやフッ化アンモニウム等の残渣物を除去するべくシリコン基板２を洗浄する洗浄ヘッド２０とを備える。 - 特許庁 - When the end point T3 as a reference of etching ending time is obtained from etching characteristics characteristic of etching by a plasma etching in an etching chamber 2, a specific wavelength light output of the spectrum of an object 10 to be etched is corrected, by the selected spectrum wavelength light output different from the specific output to decide the point T3.
エッチング室２内のプラズマ放電によるエッチング特有のエッチング特性からエッチング終了時間の基準となるエンドポイントＴ３を求める場合に、被エッチング対象物１０のスペクトルの特定波長光出力を、これと異なる選択されたスペクトル波長光出力で補正することにより、エンドポイントＴ３を決定する。 - 特許庁 - Processes for forming the ridge stripe structure (9) includes a first etching process for dry-etching a second conductive type second clad layer 7 leaving a prescribed thickness, and a second etching process for wet-etching and removing the second conductive type second clad layer 7 having the prescribed thickness to a second conductive type etching stop layer 6.
リッジストライプ構造（９）を形成する工程は、ドライエッチングにより、第２導電型の第２クラッド層７を所定の厚さ残してエッチングする第１のエッチング工程と、ウエットエッチングにより、所定の厚さ残した第２導電型の第２クラッド層７を第２導電型のエッチングストップ層６までエッチングして除去する第２のエッチング工程とを有する。 - 特許庁 - The hard mask film is partially etched by an etching process using a photoresist pattern formed by performing the exposure process, a damascene trench is formed by progressing the etching process with the hard mask film 104 as an etching mask to sequentially perform a partial etching on the trench oxide film 103, the etching preventive film 102, and the interlayer insulating film 101.
露光工程を実施して形成されるフォトレジストパターンを用いたエッチング工程によって前記ハードマスク膜を部分エッチングし、ハードマスク膜１０４をエッチングマスクとして用いたエッチング工程を進行して、トレンチ酸化膜１０３、エッチング防止膜１０２および間絶縁膜１０１を順次部分エッチングしてダマシントレンチを形成する。 - 特許庁 - In order to solve the problem, in this invention, in the etching jig for storing the piezoelectric element plate in a basket storing an etching solution and swinging and rotating it, a mesh material of 0.5-0.9 mm by a gap distance is used on at least a part of the etching jig so as to improve the flowability of the etching solution to the etching jig.
課題を解決するために本発明は、エッチング溶液を蓄えるカゴの中に、圧電素板を格納し揺動、回転するエッチングジグにおいて、前記エッチングジグに対するエッチング溶液の流れ性を向上するために、前記エッチングジグの少なくとも一部に隙間距離で０．５ｍｍ〜０．９ｍｍのメッシュ材料を用いたことを特徴とするエッチングジグである。 - 特許庁 - In the etching method for etching a semiconductor substrate 1 to form a pattern, a pseudo pattern 3 is provided on the region of the semiconductor substrate 1 other than a region on which a desired pattern is formed, the end point of etching of the pseudo pattern 3 is monitored simultaneously with the etching, and the etching is terminated when the end point reaches a predetermined depth D.
半導体基板１をエッチングしてパターンを形成するエッチング方法において、半導体基板１に形成する所望のパターンの領域以外に疑似パターン３を設け、エッチングと同時に疑似パターン３のエッチングの終点を監視し、この終点が所定の深さＤになったときに、エッチングを終了させることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide an etching solution that etches a Ni-based multilayered thin-film at a higher etching angle of 60-90 degrees than a conventional one does, has a satisfactory balance between etching rates to each metallic thin film and oxide thin film thereof, which compose the Ni-based multilayered thin-film, and causes little aging of the etching solution, and to provide an etching method.
従来のエッチング液よりも、ニッケル系薄膜の積層薄膜に対して、そのエッチング角度を６０〜９０度にエッチングすることができ、ニッケル系積層薄膜を構成する各々の金属薄膜およびその酸化物薄膜に対してエッチング速度のバランスがよく、エッチング液の液疲労が少ないエッチング液およびエッチング方法の提供。 - 特許庁 - After the etching stopper film 4 is exposed at the bottoms of the opening parts OP3, anisotropic dry etching shall be continued, and using the etching stopper film as an etching mask, contact holes CH1 penetrating an interlayer insulating film 3 to source, drain regions 11, 13 are formed, thereby obtaining the opening parts OP3 and the contact holes CH1 simultaneously in the same etching process.
開口部ＯＰ３の底部にエッチングストッパ膜４が露出した後も異方性ドライエッチングを続行し、エッチングストッパ膜４をエッチングマスクとして、層間絶縁膜３を貫通してソース・ドレイン領域１１および１３に達するコンタクトホールＣＨ１を形成することで、開口部ＯＰ３とコンタクトホールＣＨ１とを同じエッチング工程で同時に得る。 - 特許庁 - The method for manufacturing the substrate for mounting the chip comprises the steps of providing an etching resist 3 for covering the copper wiring 2 formed on the surface of the substrate 1; removing the etching resist 3, until the surface of the copper wiring 2 is exposed; etching the copper wiring 2 partway; and exfoliating the etching resist 3.
基板１表面に形成した銅配線２を覆うエッチングレジスト３を設ける工程と、前記銅配線２表面が露出するまで前記エッチングレジスト３を除去する工程と、前記銅配線２を途中までエッチングする工程と、前記エッチングレジスト３をはく離する工程とを有する。 - 特許庁 - Since reaction between the etching gas and the radical takes place on the surface of the substrate 15, and intermediate products of reaction between the etching gas and the radical react quickly on the etching object, the intermediate products are not discharged excessively from the processing chamber 12 and high etching efficiency is ensured.
また、エッチングガスとラジカルとの反応は基板１５表面で起こるため、エッチングガスとラジカルとの反応により生成される中間生成物は速やかにエッチング対象物と反応するため、中間生成物が過剰に処理室１２から排気されることなく、エッチング効率が高い。 - 特許庁 - Part of the second etching stopper film, second insulation film, and first etching stopper film is so etched as to form a storage node hole to expose part of the first insulation film to form a second etching stopper film pattern, second insulation film pattern, and first etching stopper film pattern.
第１絶縁膜の一部の表面を露出させるストレッジノードホールが形成されるように第２エッチング阻止膜、第２絶縁膜及び第１エッチング阻止膜の一部をエッチングして第２エッチング阻止膜パターン、第２絶縁膜パターン及び第１エッチング阻止膜パターンを形成する。 - 特許庁 - To provide a composition of etching liquid for conductor film assuring higher stability in processes and excellent economic processes for enabling effective etching of a conductor film without generation of residues after the etching process, suppressing generation of bubbles during the etching processes, and ensuring excellent solubility of indium oxalic acid.
導電膜を効率よくエッチングすることが可能で、しかも、エッチング後に残渣を生じることがなく、かつ、エッチング時の発泡を抑制することが可能で、さらには、シュウ酸インジウムの溶解性が高く、操業安定性、経済性にも優れた導電膜用エッチング液組成物を提供する。 - 特許庁 - In an upper layer main etching step for removing unnecessary parts of a Ti/TiN layer 16 and a BARC (bottom anti-reflective coating) layer 17, the etching rates of the Ti/TiN layer 16 and the BARC layer 17 are larger than the etching rate of an AlCu layer 15 as its etching conditions.
Ｔｉ／ＴｉＮ層１６およびＢＡＲＣ層１７の不要な部分を除去するための上層メインエッチング工程では、エッチング条件が、Ｔｉ／ＴｉＮ層１６およびＢＡＲＣ層１７のエッチングレートがＡｌＣｕ層１５のエッチングレートよりも大きくなるような条件とされる。 - 特許庁 - Moreover, the MOSFET is formed into a constitution such that the shape of a planar layout is formed into a mesh shape, a non-trench etching region is left within a trench etching region on a mesh pattern of island shape or into a shape of pleats, and trench etching region is formed within the non-trench etching region on the mesh pattern insularly or into a shape of pleats.
また、平面的なレイアウト形状をメッシュ形状とし、メッシュパターンのトレンチエッチング領域の中に非トレンチエッチング領域を島状や襞形状に残したり、メッシュパターンの非トレンチエッチング領域の中にトレンチエッチング領域を島状や襞形状に形成した構成とする。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for accurately measuring the etching depth, even when an initial depth varying at each sampling time before etching is present or when the etching rate is not constant in the depth direction, and to provide an etching system employing it.
エッチング加工前のサンプル毎に変動する初期深さが存在する場合でも、また、エッチングレートが深さ方向に対して一定でない場合でも、正確にエッチング深さを算出するエッチング深さ測定方法および測定装置、並びにそれを用いたエッチング装置を提供すること。 - 特許庁 - Then, when reactive-ion etching using mixture gas of fluorine gas (100 sccm) and oxygen gas (100-400 sccm) as etching gas is performed, the dry etching of the silicon nitride film 22 in areas under the resist film 23 is performed, and its etching rate is about 2,000 Å/min.
そして、エッチングガスとしてフッ素ガス（１００ｓｃｃｍ）および酸素ガス（１００〜４００ｓｃｃｍ）の混合ガスを用いた反応性イオンエッチングを行なうと、レジスト膜23下以外の領域における窒化シリコン膜22がドライエッチングされ、そのエッチングレートは約２０００Å／ｍｉｎであった。 - 特許庁 - The method of manufacturing a semiconductor device removes semiconductor burr 74 by dry etching using an etching gas having a longitudinal direction etching rate R2 larger than a depth direction etching rate R1 (namely, R1/R2 is smaller than 1) in a word line parallel direction cross section of a groove 72.
溝７２のワード線平行方向断面における深さ方向エッチレートＲ１よりも横方向エッチレートＲ２が大きい（Ｒ１／Ｒ２が１より小さい）エッチングガスを用いて、半導体バリ７４をドライエッチングにより除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁 - The method for manufacturing the etching parts by etching the metallic base material consisting of the iron-nickel alloy containing 30 to 50 wt.% nickel by using a ferric chloride solution comprises etching the metallic base material in the state that the potential of the metallic base material in etching exceeds 150 mV.
ニッケルを３０〜５０重量％含有する鉄−ニッケル合金からなる金属基材を、塩化第二鉄溶液にてエッチング加工するエッチング部品の製造方法において、エッチング加工時の前記金属基材の電位が１５０ｍＶを越える状態でエッチングを行うことを特徴とする。 - 特許庁 - In the piezoelectric element forming process, even when the etching residue of the upper electrode film 83 is generated between the extracting electrodes 90, the etching residue of the upper electrode film 83 is separated by the etching, thereby holding an insulating state between the extracting electrodes 90 formed on the etching residue of the upper electrode film 83.
圧電素子形成工程の際に、エッチング残り上電極膜８３が引出電極９０間に生じても、エッチング残り上電極膜８３がエッチングによって分断され、エッチング残り上電極膜８３に形成される引出電極９０間の絶縁を保つことができる。 - 特許庁 - The treatment gases comprise fluorine rich polymer-forming etching gas that promotes a high etching rate, carbon rich polymer-forming etching gas that promotes a high polymerization deposition rate, polymer control gas (such as oxygen or nitrogen) that delays polymerization deposition rate, and inactive dilution gas that alleviates tapering-off of etching profile.
処理ガスは、高エッチング速度を促進するフッ素リッチ重合エッチングガス、高重合体堆積速度を促進する炭素リッチ重合エッチングガス、重合体堆積速度を遅延させる重合体管理ガス（例えば、酸素又は窒素）、エッチングプロファイルの先細りを軽減する不活性希釈ガスを含む。 - 特許庁 - The photomask blank includes a chromium-free film 14 which can be etched by fluorine-based dry etching as well as by oxygen-containing chlorine-based dry etching, layered on a light-shielding film 13 containing chromium, which in turn cannot be substantially etched by fluorine-based dry etching but etched by oxygen-containing chlorine-based dry etching.
フッ素系ドライエッチングでは実質的なエッチングがされず且つ酸素含有塩素系ドライエッチングでエッチングが可能なクロムを含む遮光膜１３の上に、フッ素系ドライエッチング且つ酸素含有塩素系ドライエッチングでエッチングが可能なクロムを含まない膜１４が積層される。 - 特許庁 - To provide dry etching gas selectively etching a resist and underlying silicon while avoiding a reduction of an etching speed of a silicon oxide film, a silicon nitride film, and a silicon-containing film such as a silicon-containing low dielectric constant film in a manufacturing process of a semiconductor device; and to provide an etching method using the same.
半導体デバイスの製造プロセスにおいて、シリコン酸化膜、窒化シリコン膜、シリコン含有低誘電率膜等のシリコン含有膜のエッチング速度の低下を防ぎ、レジストや下地のシリコンなどに対して、選択的にエッチングすることができるドライエッチングガス及びそれを用いたエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To suppress the occurrence of variation in width and depth of a groove formed by electrolytic etching by achieving stabilization of the electrolytic etching, in particular, by stabilizing the shape of the groove formed by the electrolytic etching by advantageously solving the problem in the conventional continuous electrolytic etching of an indirect energizing method.
従来の間接通電方式の連続電解エッチングの問題点を有利に解決して、電解エッチングを安定化させることを可能とし、特に、電解エッチングにより形成される形状を安定化させて、溝幅や溝深さにバラツキが生じるのを抑えることを可能とする。 - 特許庁 - To provide a selective etching method whereby, without raising the cost for selectively etching one of copper or copper-base films of a metal laminate 1 having an etching barrier layer 3 intervenient between copper films 2 and 3, the fear that the etching barrier layer 3 is corroded, resulting in the corrosion of the other copper film 4 or copper-base film, is eliminated.
銅膜２・４膜間にエッチングバリア層３を介在させた金属積層板１の一方の銅膜又は銅系膜に対する選択的エッチングに要するコストを高めることなく、エッチングバリア層３が侵されて他方の銅膜４又は銅系膜までが侵される虞をなくす。 - 特許庁 - To provide an etchant for GaInP system compound semiconductor and an etching method which are treated easily, realize the etching at the etching rate which is relatively approximated to that of the etchant for the AlGaInP system and As system compound semiconductors, and obtain a resulting smooth and uniform surface after the etching process.
手軽に取り扱うことができ、かつAlGaInP系およびAs系化合物半導体などのエッチング液と比較的近いエッチング速度でエッチングが行え、かつエッチング後に得られる表面が平滑かつ均一であるGaInP系化合物半導体用エッチング液およびエッチング方法の提供。 - 特許庁 - In this case, in order to prevent air bubbles 27 included in the etching liquid 24 from adhering to the electrode 15', before etching using the etching liquid 24, the projection section is covered with a buffer layer 21 to prevent the air bubbles 27 included in the etching liquid 24 from adhering to the electrode 15'.
この際にエッチング液２４に含まれている気泡２７の電極１５’への付着を防止するために、エッチング液２４を使用してエッチングする前に、突出部をバッファ層２１で覆い、エッチング液２４に含まれている気泡２７が電極１５’に付着することを防止する。 - 特許庁 - That is, after the formation of the trench 9a by dry etching, the polyimide film is removed by a method other than dry etching, and the inside of the connection hole 4 is exposed, so that etching at lower aspect ratio becomes possible as compared with the case of forming the trench 9a and the connection hole 4 with one dry etching.
すなわち、トレンチ９ａをドライエッチングで形成してから、ドライエッチング以外の手法でポリイミド膜５を除去し、接続孔４内部を露出させるので、トレンチ９ａと接続孔４とを一度のドライエッチングで形成することに比べて、低いアスペクト比でのドライエッチングが可能となる。 - 特許庁 - In etching exposing the striation of the semiconductor crystal, an etching liquid 3 of an oxidation-reduction potential ≥2.0 V (with a standard hydrogen electrode as a reference) is used, and the etching is performed while light having a larger energy than an energy of a bad gap of the semiconductor is irradiated during the etching.
半導体結晶のストリエーションを露呈させるエッチングにおいて、酸化還元電位が２．０Ｖ（標準水素電極基準）以上であるエッチング液３を用い、エッチング中に半導体のバンドギャップのエネルギーよりも大きなエネルギーを有する光を照射しながらエッチングする。 - 特許庁 - To provide a technology of uniformizing an etching state in the middle and the surrounding part of a tape by carrying a flexible board at etching without causing deflection corresponding to the flexibility of the flexible board, and uniformly and efficiently spraying etching liquid to the flexible board so as to etch the flexible board without leaving fatigued etching liquid.
フレキシブル基板の柔軟性に対応し、エッチング時のフレキシブル基板を撓みなく搬送することにより、エッチング液をフレキシブル基板に均一に効率よく噴射し、疲労したエッチング液を残留させることなくエッチングし、テープ中央部と周辺部でのエッチング状態を均一にすること。 - 特許庁 - The processing method includes the selective etching of a nitride film by using the etching solution, that is, the hydrofluoric acid-added phosphoric acid solution, and a means for determining the content of hydrofluoric acid in the etching solution for controlling, based on the thus-determined content, the concentration of hydrofluoric acid in the etching solution.
本発明の処理方法は、フッ酸が添加された燐酸溶液からなるエッチング液を用いて、窒化膜を選択的にエッチングすることを含み、前記エッチング液中のフッ酸の含有量を検出し、前記含有量に基づき、前記エッチング液のフッ酸の濃度を制御する手段を含む。 - 特許庁 - The semiconductor device is provided with an N-type epitaxial wafer 11, an etching preventing electrode provided on the wafer 11, and a P electrode which is provided on the etching preventing electrode and is etched, in a prescribed electrode pattern by an etchant which is different from that used for etching the etching preventing electrode.
Ｎ型エピタキシャルウェハー１１と、Ｎ型エピタキシャルウェハー１１上に設けられたエッチング防止電極と、エッチング防止電極の上に設けられ、エッチング防止電極をエッチングするエッチング剤とは異なるエッチング剤でエッチングされ、所定の電極パターンが形成されるＰ電極とを備える。 - 特許庁 - An exposed portion of the insulation layer 11 corresponding to an aperture 13a of a mask layer 13 is etched with the reactive ion etching, an element remaining in the process atmosphere after this reactive ion etching process is then eliminated and thereafter further etching is conducted with the sputter etching process to form a through hole.
マスク層１３の開口１３ａに対応する絶縁層１１の露出部分を反応性イオンエッチングによってエッチングし、次いでこの反応性イオンエッチング後に処理雰囲気中に残留する成分を除去した後、スパッタエッチングによってさらにエッチングして貫通させる。 - 特許庁 - At the same time, an etching reaction suppressing agent 9, such as pure water is fed around the polishing pad 4 on the substrate 1, the etching operation of the etching liquid is suppressed except for the abutting area of the substrate 1 and the polishing pad 4, etching nonuniformity is eliminated and the substrate is planarized uniformly a whole.
同時に、純水等のエッチング反応抑制剤９を基板１上の研磨パッド４の周辺に供給し、基板１と研磨パッド４の当接領域以外でのエッチング液７によるエッチング作用を抑制し、エッチングむらをなくし全面を均一に平坦化する。 - 特許庁 - By performing dry etching in a dry etching step, while controlling the temperature of the lower electrode of an etching device equal with or lower than 10°C, volatilization of a subproduct is suppressed, more stable sidewall protection effect can be obtained, and a uniform etching shape reducing the working shape difference between a coarse portion and a tight portion can be obtained.
前記ドライエッチング工程にて、エッチング装置の下部電極温度を１０℃以下に制御しドライエッチングを行うことにより、副生成物の揮発を抑制し、より安定した側壁保護効果が得られ、疎部、密部における加工形状差の少ない均一なエッチング形状が得られる。 - 特許庁 - At evenly scraping the surface of a silicon substrate comprising a horizontal surface and a slope an anisotropic dry-etching method, the etching condition of a reactive ion etching cycle comprising deposition and etching is set to a following condition: E1<D1, D2<E2, and D3<E3.
水平面及び傾斜面を有するシリコン基板の表面を異方性ドライエッチング法により一様に削り取るに際し、デポジションとエッチングとからなる反応性イオンエッチングのサイクルのエッチング条件を下記で示される条件に設定することを特徴とするシリコンウエハ構造体の製造方法。 - 特許庁 - To provide a dry etching apparatus, where sediments deposited on an inner wall face in an etching treatment chamber from dropping on a face to be treated in a body to be treated and from adhering to it during etching treatment, and the drop in the yield of a semiconductor device due to etching residue can be prevented.
エッチング処理中に、エッチング処理室の内壁面等に堆積した堆積物が被処理体の被処理面上に落下して付着することを防止して、エッチング残渣に起因する半導体装置の歩留り低下を防ぐことができるドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - The metal thin film 14 is subjected to reactive ion etching treatment, pattern formation being faithful to the mask 17 is carried out by the ion etching, isotropic etching of a radical is utilized for advancing the etching from the gap between the mask 17 and the metal thin film 14, and the sectional shape of a gate electrode 18 is tapered.
金属薄膜14をリアクティブ・イオン・エッチング処理し、イオンエッチングによってマスク17に忠実にパターン形成し、ラジカルの等方性エッチングを利用してマスク17と金属薄膜14の隙間からエッチングを進行させ、ゲート電極18の断面形状を肩の落ちたテーパ形状にする。 - 特許庁 - A filter composed of an etching resistant mask and a protective film to protect the etching resistant mask provided on the reverse side of a silicon substrate is formed at the same time as the etching when the ink supply section is formed in a silicon substrate by anisotropic etching to prevent refuse or foreign matter from intruding into ink discharge openings.
インク吐出口へのゴミや異物の進入を防止するため、シリコン基板にインク供給部を異方性エッチングによって形成する際に、シリコン基板の裏面に設けた耐エッチングマスクと耐エッチングマスクを保護する保護膜で構成されるフィルターを、該エッチングと同時に形成することを特徴とする。 - 特許庁 - At that time, SF_6 gas is added for etching in addition to Cl_2 and O_2 used for etching gas to make isotropic etching possible, and thereby an amount of etching residues 9 left on the side surface of an FLR 5 can be reduced.
半導体基板３上のＰｏｌｙ−Ｓｉ膜をドライエッチングにより加工し、ゲート電極８Ｇを形成する際、エッチングガスに使用するＣｌ_２及びＯ_２ガスに加え、ＳＦ_６ガスを添加してエッチングすることにより、等方性エッチングを可能にし、ＦＬＲ５の側面のエッチング残り９の量を低減させる。 - 特許庁 - A mask material is formed on the surface of a substrate consisting of silicone, the mask material is processed by anisotropic dry etching and anisotropic wet etching, and after processing a surface approximately parallel with a crystal surface orthogonal to the surface of the substrate by the anisotropic dry etching, a reflection surface is formed by the anisotropic wet etching process.
シリコンからなる基板に、前記基板表面に対してマスク材を形成し、異方性ドライエッチングし、異方性ウエットエッチングし、前記基板表面に直交する結晶面と略平行な面を前記異方性ドライエッチングした後、前記異方性ウエットエッチング工程によって、反射面を形成する。 - 特許庁 - To prevent re-attachment of a cathode material in consideration of etching process, in which the cathode for mounting an etching object is also etched and the cathode material is re-deposited on the etching object, when the etching object is etched by a plasma apparatus.
プラズマ装置を用いて被エッチング物の表面をエッチングする際に、被エッチング物を載置している陰電極も同時にエッチングされ、この陰電極物質がイオン化して被エッチング物に付着する現象が起ることに鑑み、このような陰電極物質の再付着を防止する。 - 特許庁 - In the etching method, a first step performing plasma etching of an article 12 arranged in a processing chamber 5 by supplying etching gas 1 into the processing chamber, and a second step for forming a passivation layer in the etching portion of the article by supplying passivation gas 2 into the processing chamber are repeated alternately.
エッチング方法は、処理室５内にエッチングガス１を供給して該処理室内に配置された被処理物１２のプラズマエッチングを行う第１の工程と、該処理室内にパッシベーションガス２を供給して被処理物のエッチング部にパッシベーション層を生成する第２の工程とを交互に繰り返す。 - 特許庁 - Even if a plurality of etching treatment processes are not carried out, the side etching can be prevented by effecting the coating treatment process between the first etching treatment process and the second etching treatment process, so that a plurality of processed layers can be formed in a desired shape by a smaller number of man-hours.
第１エッチング処理工程と第２エッチング処理工程との間に、被覆処理工程を設けることによって、エッチング処理工程を複数回行わなくても、サイドエッチを防止することができ、少ない工数で、複数の被処理層を所望の形状に形成することができる。 - 特許庁
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