「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 61 62 63 64 65 66 67 68 69 .... 399 400 次へ＞- A bump and a wiring pattern are formed by half etching at the same time.
ハーフエッチングにより、バンプと配線パターンが同時に形成される。 - 特許庁 - The reactive etching gas is a component of a continuously flowing gas flow.
反応性エッチングガスは、連続的に流れるガスフローの成分である。 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR ETCHING LASER MARKED DISK-LIKE MEMBER
レーザマークがされた円板状部材のエッチング方法及びその装置 - 特許庁 - The etching composition contains silicon fluoride and phosphoric acid.
フッ化ケイ素及びリン酸を含んでなるエッチング用組成物を用いる。 - 特許庁 - ETCHING METHOD FOR METAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC STORAGE DEVICE
金属膜のエッチング方法および磁気記憶装置の製造方法 - 特許庁 - The first insulation film is partially removed by etching using CF_4 gas.
第１の絶縁膜の一部をＣＦ_４ガスによりエッチング除去する。 - 特許庁 - The uniformity of etching treatment improves by adjusting the foregoing impedance to miss the resonance point at the time of etching treatment.
エッチング処理時に，前記インピーダンスを共振点から外れるように調整することによって，エッチング処理の面内均一性が向上する。 - 特許庁 - ETCHING METHOD FOR GALLIUM ARSENIDE LAYER AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR ELEMENT
ＧａＡｓ層のエッチング方法および半導体素子の製造方法 - 特許庁 - ETCHING METHOD, MICRO-LENS SUBSTRATE, TRANSPARENT TYPE SCREEN AND REAR TYPE PROJECTOR
エッチング方法、マイクロレンズ基板、透過型スクリーンおよびリア型プロジェクタ - 特許庁 - PLASMA ETCHING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED USING THE SAME
プラズマエッチング方法およびこれを用いて製造された半導体装置 - 特許庁 - During main etching, a part of the BARC 120 remains in the via holes to protect an etching stopper 104 on the bottoms of the via holes 116.
主要なトレンチエッチングの間、ＢＡＲＣ１２０の一部がビア内に残って、ビア１１６の底部のエッチング停止材１０４を保護する。 - 特許庁 - CRYSTALLINE SUBSTRATE ETCHING METHOD AND LIQUID INJECTION HEAD MANUFACTURING METHOD
結晶基板のエッチング方法及び液体噴射ヘッドの製造方法 - 特許庁 - To form an ohmic electrode by repairing damage by etching.
エッチング処理によるダメージを修復してオーミック電極を形成する。 - 特許庁 - To provide an etching processing method and a device therefor for protecting one side of a wafer and etching or rinsing the other side of the wafer.
ウェーハの片面を保護して他の片面をエッチングまたはリンス処理を行うエッチング処理方法およびその装置を提供する。 - 特許庁 - By this anisotropic dry etching, a conical etching residue 6 having an apex made of the crystal defect 4 is left on the surface of the wafer 2.
この異方性ドライエッチングにより、ウェーハ２の表面には結晶欠陥４を頂点とする円錐状のエッチング残渣６が残される。 - 特許庁 - To realize an etching apparatus and an etching method thereof with capability to etch a titanium Ti film with high throughput, in spite of a low price of the apparatus.
装置設備が安価でありながら、高スループットでチタンＴｉ膜をエッチングできるエッチング装置およびその方法を実現する。 - 特許庁 - To provide a method for inspecting the etching that facilitates obtaining the size of a reverse taper in the etching by a reverse-taper condition.
本発明は、逆テーパ条件によるエッチングにおいて逆テーパの大きさを容易に求めることができるエッチング検査方法の提供。 - 特許庁 - To efficiently carry out etching of the surface of a processed object in a short time.
短時間で効率よく被加工物の表面をエッチングすること。 - 特許庁 - Then, a substrate 1 is etched to form a surface-enlarged etching layer 2.
その後、基板１をエッチングで拡面処理エッチング層２を形成する。 - 特許庁 - To manufacture an integrated circuit device without generating etching fences.
エッチングフェンスを発生させずに集積回路装置を製造すること。 - 特許庁 - Etching is applied to the silicon substrate 101 through the opening portion until at least the etching stop layer 103 is exposed.
そして、前記開口部を通して、少なくともエッチングストップ層１０３が露出するまで、シリコン基板１０１をエッチングする工程と、を含む。 - 特許庁 - To increase the uniformity of an etching rate in the plane of a semiconductor substrate when the removal of an insulating film of the substrate is carried out by dry etching.
半導体基板の絶縁膜除去をドライエッチングで行う場合に、基板面内におけるエッチングレートの均一性を向上させる。 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING LOW-TEMPERATURE EXPANSION ALLOY SHEET SUPERIOR IN ETCHING PROPERTY
エッチング性に優れた低熱膨張合金薄板の製造方法 - 特許庁 - SUBSTRATE CONTAINER, SUBSTRATE ETCHING METHOD AND SUBSTRATE CLEANING METHOD
基板収納容器，基板のエッチング方法及び基板の洗浄方法 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR ETCHING SILICON WAFER AND IMPURITY ANALYZING METHOD
シリコンウェーハのエッチング方法とその装置及び不純物分析方法 - 特許庁 - Then, the group III-V compound semiconductor 16a is subjected to dry etching using the etching mask M, thus forming a plurality of recesses 44.
次に、エッチングマスクＭを用いてIII−Ｖ族化合物半導体層１６ａをドライエッチングすることによって、複数の凹部４４を形成する。 - 特許庁 - TRANSFER MATERIAL FOR LASER ETCHING, AND METHOD FOR MANUFACTURING MULTICOLOR MOLDED ARTICLE
レーザエッチング用転写材および多色成形品の製造方法 - 特許庁 - To enable the uniform etching of works and the adequate application to products to be formed with fine patterns by etching.
被処理品を均一にエッチングすることができ、エッチングによって微細なパターンを形成する製品に好適に適用することを可能にする。 - 特許庁 - An etching stop layer formed of a material whose etching resistance is different from that of the interlayer insulating film is formed on a surface of the interlayer insulating film.
層間絶縁膜の表面上に、層間絶縁膜とはエッチング耐性の異なる材料からなるエッチング停止層を形成する。 - 特許庁 - FINELY-PROCESSED METALLIC PRODUCT BY SPRAY ETCHING, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
スプレーエッチングによる金属微細加工製品及びその製造方法 - 特許庁 - ETCHING SOLUTION FOR MASK FOR DISPLAY, AND METHOD FOR MANUFACTURING MASK FOR DISPLAY
ディスプレイ用マスクエッチング液およびディスプレイ用マスクの製造方法 - 特許庁 - The second dry etching process can be carried out using HCl gas.
第２のドライエッチングはＨＣｌガスを用いて行うことができる。 - 特許庁 - To provide the manufacturing method of a semiconductor element without etching irregularities.
エッチングむらの無い半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing semiconductor devices which constitutes a method of etching that replaces selective etching of SiN film that uses phosphoric acid.
ＳｉＮ膜の燐酸を用いた選択的エッチングに代替するエッチング方法を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - APPARATUS AND METHOD FOR ETCHING AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
エッチング装置、エッチング方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁 - The etching rate of the base layer 11 is lower than those of the magnetic layers.
下地層１１のエッチングレートは、各磁性層のそれよりも低い。 - 特許庁 - Then, a dry etching or a wet etching is applied to the second layer film 130 by using a pattern 150 formed on the resist layer 140 as a mask.
次に、レジスト層１４０に形成されたパターン１５０をマスクとして第二層膜１３０にドライエッチング、又はウェットエッチングを施す。 - 特許庁 - Since the etching gas is prevented from entering a gap between the coating layer and the optical fiber, useless etching is avoided, suppressing deterioration of the strength.
被覆層と光ファイバ間の隙間へのエッチングガスの浸入が防止されるので、無用なエッチングが回避されて強度劣化を抑制する。 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD FOR COLD ROLLED SHEET OF Fe-Ni BASED ALLOY FOR ETCHING
エッチング素材用Ｆｅ−Ｎｉ系合金冷延板の製造方法 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which has a simplified wiring pattern and in which recesses can be formed in a short time by performing etching via etching holes.
配線パターンが単純となり、エッチングホールを介してエッチングして窪みを短時間で製造できる半導体装置を提供すること - 特許庁 - To provide an etching agent enabling an amorphous ITO film to be etched under a mild condition without causing etching residue at all.
非晶質ＩＴＯ膜を、温和な条件下で、エッチング残渣を全く発生せずにエッチングが行えるエッチング剤を提供することにある。 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING SIDE ETCHING AMOUNT OF SEMICONDUCTOR DEVICE
半導体装置のサイドエッチング量の測定方法及び測定装置 - 特許庁 - Subsequently suitable heating, ashing, etching or additional developing are carried out.
その後、適度の加熱、アッシング、エッチングもしくは追加現像を行う。 - 特許庁 - Thereby, when the groove formed by the etching becomes deeper than the concentration control point 6, thickness of an etching controlled coating 5 becomes thin.
これにより、上記エッチングで形成される溝が濃度制御点６よりも深くなるとエッチング抑制被膜５の厚さが薄くなる。 - 特許庁 - To stably realize a high etching process performance at a high yield.
高度なエッチングプロセス性能を高歩留まりで安定して実現する。 - 特許庁 - ETCHING METHOD, THIN FILM TRANSISTOR MATRIX SUBSTRATE AND ITS PRODUCTION
エッチング方法、薄膜トランジスタマトリックス基板、およびその製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR ETCHING, AND MANUFACTURING OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE METHOD
エッチング方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁 - METHOD AND SYSTEM FOR SELECTIVELY ETCHING DIELECTRIC MATERIAL RELATIVE TO SILICON
シリコンに対する誘電材料の選択エッチング方法及びシステム - 特許庁 - A first etching processing chamber 1 and a second etching processing chamber 9 which hold an airtight state are coupled via a gate valve 8.
気密状態を保持する第１のエッチング処理室１と第２のエッチング処理室９とがゲートバルブ８を介して連結されている。 - 特許庁 - The p-type AlGaAs layer 18 is isolated by etching, and this etching is stopped in the undoped AlGaAs resistive layer 17 between the p-type AlGaAs layers 18.
p型AlGaAs層１８の分離はエッチングにて行われており、このエッチングがp型AlGaAs層１８間のアンドープAlGaAs抵抗層１７で止まっている。 - 特許庁
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