「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 62 63 64 65 66 67 68 69 70 .... 399 400 次へ＞- A tungsten residue 17 which occurs in a peripheral region is removed by wet etching as a second etching processing (refer to Fig. (d)).
第２のエッチング処理として、ウェットエッチングにより周辺領域に発生したタングステン残渣１７の除去を行う（図１（ｄ）参照）。 - 特許庁 - By forming and etching the sacrificial oxide film 14, a damaged layer occurring on the inner wall of the trenches 13 is removed at the time of dry etching.
犠牲酸化膜１４の形成およびエッチングにより、ドライエッチング時にトレンチ１３の内壁に発生した損傷層が除去される。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a guide wire satisfying the operability and the strength by taperedly etching a core material by chemical etching.
化学エッチングによりコア材ワイヤーをテーパ・エッチングして、操作性および強度を満足するガイドワイヤーの製造方法を提供すること。 - 特許庁 - METHOD OF FORMING EMBEDDED WIRING LAYER AND JET-TYPE SPIN-ETCHING APPARATUS
埋込配線層の形成方法及び噴流式スピンエッチング装置 - 特許庁 - FABRICATION OF SEMICONDUCTOR DEVICE FOR IMPROVING ETCHING LAG PHENOMENON
食刻遅延現象を改善する半導体装置の製造方法 - 特許庁 - To provide a plasma etching device capable of properly using a focus ring to its use limit, and a plasma etching method using the same.
フォーカスリングを使用限界まで適正に使用することのできるプラズマエッチング装置およびそれを用いたプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - The ruggedness is formed on the side face by etching the pattern.
このパタンによってエッチングすることで側面に凹凸を形成する。 - 特許庁 - As a result, the plasma etching treatment can be performed with high efficiency.
これにより、プラズマエッチング処理を高い効率で行うことができる。 - 特許庁 - To obtain an etchant for etching a group III-V compound semiconductor containing arsenic as a group V at a stable etching rate.
Ｖ族として砒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を安定したエッチングレートでエッチングすることができるエッチング液を得る。 - 特許庁 - HIGH-RATE ETCHING USING HIGH PRESSURE F2 PLASMA WITH ARGON DILUENT
アルゴン希釈剤と一緒に高圧Ｆ２プラズマを用いる高速エッチング - 特許庁 - The etching gas contains a fluoroalcohol for selective etching a silicon oxide layer or a silicon nitride layer on a silicon substrate.
エッチングガスとして弗化アルコールを含むガスを用いて、シリコン基板上の酸化酸化シリコン層または窒化シリコン層を選択的にエッチングする。 - 特許庁 - A plasma emission spectrum coming from indium in etching processing atmosphere is measured to detect the etching end from the intensity variation of this spectrum.
エッチング処理雰囲気内のインジウム由来のプラズマ発光スペクトルを測定し、このスペクトルの強度変化からエッチング終点を検出する。 - 特許庁 - Etching gas containing HBr is supplied on the surface 31 of the epitaxial layer 3 exposed from an opening 19 of the etching mask 16.
そして、エッチングマスク１６の開口１９から露出するエピタキシャル層３の表面３１に、ＨＢｒを含むエッチングガスを供給する。 - 特許庁 - Oxygen and nitrogen oxidize any kind of exposed silicon to increase the selection ratio of etching and remove the distortions of an etching profile.
酸素及び窒素は、エッチングの選択比を増大させ、エッチングプロファイルの歪みを取り除くために、如何なる露出したシリコンも酸化させる。 - 特許庁 - The trench is formed, by carrying out plasma etching using mixed gas containing hydrogen bromide and nitrogen from an inductive coupling plasma etching device.
誘導結合型プラズマエッチング装置から、臭化水素と窒素とを含む混合ガスを用いてプラズマエッチングを行ってトレンチを形成する。 - 特許庁 - ETCHANT FOR GaInP SYSTEM COMPOUND SEMICONDUCTOR AND ETCHING METHOD
ＧａＩｎＰ系化合物半導体用エッチング液およびエッチング方法 - 特許庁 - This new etchant does not contain chromium, and makes it possible to realize a significantly sufficient etching speed and a significantly satisfactory etching result.
この新規なエッチング液は、クロムを含まず、きわめて十分なエッチング速度およびきわめて満足のいくエッチング結果を可能にする。 - 特許庁 - ANISOTROPIC ETCHING METHOD FOR ORGANIC DIELECTRIC POLYMER MATERIAL BY PLASMA GAS
プラズマガスによる有機誘電ポリマー材料の異方性エッチング方法 - 特許庁 - The silicon nitride film 8 is then subjected to isotropic etching using the polyimide resin 9 as a mask and the silicon oxide film 7 is subjected to anisotropic etching.
このポリイミド樹脂９をマスクとしてシリコン窒化膜８を等方性エッチングした後、さらにシリコン酸化膜７を異方性エッチングする。 - 特許庁 - A damage layer 1a created on a front surface of the semiconductor substrate at the time of anisotropic etching is removed by the subsequent isotropic etching.
また、異方性エッチングの際に生ずる半導体基板表面のダメージ層１ａは、その後の等方性エッチングにより除去される。 - 特許庁 - Further, a gate trench 21 is formed by reactive ion etching (c).
さらに，反応性イオンエッチングにより，ゲートトレンチ２１を形成する（ｃ）。 - 特許庁 - Then, the reflective film 19 is wet-etched using a silver etching solution.
次に、銀エッチング液を用いて、反射膜１９をウェットエッチングする。 - 特許庁 - Peeling is performed while a peeling layer is exposed to an atmosphere of an etching gas.
剥離層のエッチングガス雰囲気にさらすと同時に剥離を行う。 - 特許庁 - The substrate is heated by the lamp heater when it is transferred after etching.
ランプヒータによる加熱は、エッチング後の基板の搬送の際に行う。 - 特許庁 - To provide a plasma treatment device which is suitable for uniform treatment of etching.
エッチングの均一な処理に好適なプラズマ処理装置の提供。 - 特許庁 - A bowl-shaped recessed part 15 is formed by etching the nozzle pattern 13b.
このノズルパターン１３ｂをエッチングして碗状凹部１５を形成する。 - 特許庁 - To provide an alloy having excellent etching characteristic and low thermal expansion characteristic and to provide a shadow mask excellent in etching pit shape characteristic.
優れたエッチング性と低熱膨張特性を備えた合金を提供し、エッチング孔形状性に優れたシャドウマスクを提供する。 - 特許庁 - To provide a method for reducing wafer damage during an etching process.
エッチングプロセス中にウェーハの損傷を低減する方法を開示する。 - 特許庁 - The etching step may be performed by a dry process.
前記エッチングステップがドライプロセスによって行われるものであってもよい。 - 特許庁 - To easily detect the end point of etching in an RIE apparatus.
ＲＩＥ装置によるエッチングの終点を容易に検知すること。 - 特許庁 - To produce aluminum foil for an electrolytic capacitor anode in which non-etching parts are hard to be formed at the time of etching, and spotlike luster is hard to be generated.
エッチング時に、未エッチング部が生じにくく、点状光沢の生じにくい電解コンデンサ陽極用アルミニウム箔を提供する。 - 特許庁 - METHOD FOR FORMING MASK PATTERN AND METHOD FOR ETCHING MAGNETIC REPRODUCING HEAD
マスクパターンの形成方法および磁気再生ヘッドのエッチング方法 - 特許庁 - The surface of the n-GaN layer is exposed by the etching in the first stage, and a B(boron) contaminated layer is removed by the etching in the second stage.
１段目のエッチングによりｎ−ＧａＮ層の表面を露出させ、２段目のエッチングによりＢ（ボロン）汚染層を除去する。 - 特許庁 - To provide a member for a plasma etching device generating few particles.
発生パーティクルが少ないプラズマエッチング装置用部材を提供する。 - 特許庁 - The first material film is subjected to etching for the formation of the first mask.
そして、第１材料膜をエッチングして、第１マスクを形成する。 - 特許庁 - To provide a rotating etching apparatus having a thickness measuring system.
厚さ測定システムが具備された回転エッチング装置を提供する。 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR ETCHING REMOVAL AS WELL AS METHOD AND APPARATUS FOR CLEANING
エッチング除去方法および装置と洗浄方法および装置 - 特許庁 - To provide a preferred positive resist composition superior in etching resistance.
エッチング耐性に優れた好適なポジ型レジスト組成物の提供。 - 特許庁 - The etching resist may be not separated so as to serve as a coloring layer.
エッチングレジストは剥離せずにそのまま着色層としてもよい。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for detecting an etching ending point which can accurately detect the ending point of etching.
高精度にエッチングの終点を検出することができるエッチング終点検出方法およびエッチング終点検出装置を提供する。 - 特許庁 - RESIST INK COMPOSITION AND METHOD OF ETCHING BY USING THE SAME
レジストインキ組成物及び該レジストインキ組成物を用いたエッチング方法 - 特許庁 - SHADOW MASK MATERIAL EXCELLENT IN ETCHING CHARACTERISTIC AND LOW THERMAL EXPANSION CHARACTERISTIC
エッチング特性および低熱膨張特性に優れたシャドウマスク材 - 特許庁 - The seed film is patterned using the conductive bump as an etching mask.
導電性バンプをエッチングマスクとして用いてシード膜をパターニングする。 - 特許庁 - To provide an etching and plating method suitable for micro/nano structures.
マイクロ／ナノ構造に好適なエッチング及びめっき方法の提供。 - 特許庁 - Since the peelable film 102 has voids, the etching rate of the film 102 is high.
剥離膜１０２は、空隙を有するので、エッチングレートが大きい。 - 特許庁 - Consequently, not only the in-plane distribution of etching amount become uniform but also the etching rate is increased as compared with a conventional rate.
従って、本発明によれば、エッチング量の面内分布がより均一になるだけでなく、エッチング速度が従来に比べて早くなる。 - 特許庁 - The degree of etching permeation in the half-etching region 12 becomes shallower from the porous region side end part, gradually toward he outside in the long edge member direction.
ハーフエッチング領域12のエッチング浸度は有孔領域側端部から長辺方向外側へ向かって徐々に浅くなっている。 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR ETCHING AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM SENSOR
エッチング方法及びエッチング装置並びに薄膜センサの製造方法 - 特許庁 - The control part 4 causes the acid solution to be discharged from the wet etching tank 111 and causes distilled water to be supplied to the wet etching tank 111.
制御部４は、ウェットエッチング槽１１１から酸溶液を排出させ、蒸留水をウェットエッチング槽１１１に供給させる。 - 特許庁 - Therefore, the etching amount is reduced, and bowing does not readily occur in the fluid channels 15 even in dry etching for an aspect ratio of R10 to R100.
よって、エッチング量が小さくなり、アスペクト比がＲ１０〜Ｒ１００のドライエッチングでも、液流路１５にボーイングが発生し難い。 - 特許庁
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