「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 78 79 80 81 82 83 84 85 86 .... 399 400 次へ＞- Next, an etching resistant film 5 is brought into tight contact therewith so as to cover the superposition markers X4 and is subjected to wet process etching, by which hemispherical recessed parts 6 are formed.
次に、重ね合せマーカＸ４を覆うように耐エッチングフィルム５を密着させ、湿式エッチングを行って半球状の凹部６を形成する。 - 特許庁 - As indicated in Figure (b), the silicon nitride film and the oxide film after the over-etching step has a reverse tapered shape in etching or a notched shape 5, while the trench is being etched.
図１（ｂ）に示すようにオーバーエッチング後のシリコンチッカ膜、酸化膜エッチング形状は、逆テーパー形状またはノッチ形状５とし、トレンチのエッチングを行う。 - 特許庁 - To easily form an etching mask in which opening holes for fine etching are scattered to be moderately spaced from one another, which is suitable to form an irregular structure.
凹凸構造を形成することに適するような、微細なエッチング用の開口穴が適度に間隔を開けて散在するエッチングマスクを容易に形成する。 - 特許庁 - An aluminum foil 50 is subjected to chemical etching or electrolytic etching to obtain an aluminum foil 51 in which many through holes 52 are formed while being scattered.
アルミニウム箔５０をケミカルエッチング又は電解エッチングに供して、多数の貫通孔５２が分散して形成された孔あきアルミニウム箔５１となす。 - 特許庁 - The state of an etching liquid is grasped from the etched space and treatment conditions in crystal anisotropic etching in the following lot is adjusted.
このエッチング空間からエッチング液の状態を把握し、次ロットにおける結晶異方性エッチングにおける処理条件を調整することができる。 - 特許庁 - In the second etching, a second mixed gas is used in which O_2 concentration is set so that the etching rate of the via hole 8 is set larger than that of the via hole 9.
第２ドライエッチングではビアホール８のエッチングレートがビアホール９のエッチングレートよりも大きくなるようにＯ_２濃度が設定された第２混合ガスを用いる。 - 特許庁 - An etching amount is discriminated by utilizing structural/optical changes generated in the thin line patterns 3a, 3b, 3c, 3d caused by the etching of the sacrificial layer 5.
犠牲層５のエッチングにより細線パターン３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄに生じる構造的・光学的変化を利用してそのエッチング量を判別する。 - 特許庁 - In this case, the etching selectively advances from a grain boundary, and the grain of a specific plane orientation remains, so that a residue 20b functioning as an etching mask is formed.
この場合粒界から選択的にエッチングが進行し、特定の面方位のグレインが残り、エッチングマスクとして機能する残渣２０ｂが形成される。 - 特許庁 - To provide high shape control of a silicon structure having a narrow opening, and formed by combining anisotropic etching high in an aspect ratio with anisotropic etching.
開口が狭く、アスペクト比が高い異方性エッチングと等方性エッチングとを組み合わせたシリコン構造体の高度な形状制御を提供する。 - 特許庁 - Etching is performed by an etching process up to the first n-GaN electrode layer 303 to create an optical waveguide 320 of a deep ridge waveguide structure.
エッチングプロセスにより第１のｎ−ＧａＮ電極層３０３に至るまでエッチングを行い、ハイメサ導波路構造の光導波路３２０を作製している。 - 特許庁 - To precisely calculate an etching speed during dry etching processing, to determine whether the processing is normal/abnormal, and to improve the yield of the processing.
ドライエッチング処理中に精度よくエッチング速度を算出可能であると共に、処理の正常・異常の判定が可能で、処理の歩留まりを向上させる。 - 特許庁 - Then, the etching resist 22 are exposed and sensitized, whereby a hole having a diameter of 140 μm is bored in the etching resist 22 at a point where the through-hole 14 of a metal mask 13 is to be provided.
次に、露光・感光を行なって、メタルマスク１３の透孔１４の形成予定箇所のエッチングレジスト２２に、直径１４０μｍの穴を開ける。 - 特許庁 - By dividing the etching into two steps, two different roles of (1) vertical working of the sidewall and (2) the assurance of a high selection rate to Si are made to be carried independently by the two etching steps.
エッチングを２つのステップに分割し、 サイドウォールの垂直加工と、 対Ｓｉ高選択比確保という二つの異なった役割を独立して担わせる。 - 特許庁 - To provide a gas for dry etching or the like that yields improved etching characteristics and least affects the environment, even if it is discharged into the atmosphere.
優れたエッチング特性が得られ、さらに大気中に放出されても環境への影響が極めて小さいドライエッチング用ガス等を提供する - 特許庁 - To provide a method for producing a shadow mask material free from the generation of the unevenness in strips after etching and excellent in etching properties in an Fe-Ni invar shadow mask material.
Ｆｅ−Ｎｉ系インバ−シャドウマスク材において、エッチング後のスジムラの発生しないエッチング性に優れたシャドウマスク材の製造方法を提供する。 - 特許庁 - At this time, the first insulating film pattern around the contact plug is prevented from being etched more or less due to the first etching ratio and the second etching ratio.
このとき、前記第１食刻比と第２食刻比によって前記コンタクトプラグの周辺の第１絶縁膜パターンが食刻されることが多少緩和される。 - 特許庁 - Further, an effect for suppressing the corrosion of a metal material contacting with the etching liquid together with the metal oxide material is obtained in accordance with pH rise of the etching liquid.
更に、エッチング液のｐＨ上昇に伴って、金属酸化物材料とともにエッチング液に接触する金属材料の腐食を抑制する効果がある。 - 特許庁 - The etching mask patterns of the first mask structure and the second mask structure are etched isotropically to remove the etching mask pattern from the first mask structure.
第１マスク構造物及び第２マスク構造物のエッチングマスクパターンを等方性エッチングし、第１マスク構造物からエッチングマスクパターンを除去する。 - 特許庁 - The main etching process is performed from the state shown in Fig. 1 (a) using a gas including at least HBr as an etching gas under a first pressure of <13 Pa.
図１（ａ）に示す状態から、エッチングガスとして、少なくともＨＢｒを含むガスを用い、１３Ｐａ未満の第１の圧力で、メインエッチング工程を行う。 - 特許庁 - To prevent both the etching residue of a plating base film and an excessively etched electrode pad in removing the plating base film used for bump formation by etching.
バンプ形成に用いためっき下地膜をエッチングによって除去する場合に、めっき下地膜のエッチング残りや、電極パッドの過剰エッチングを共に防止する。 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR END POINT DETECTION OF PLASMA ETCHING, METHOD AND APPARATUS FOR PLASMA ETCHING, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTROOPTIC SUBSTRATE, ELECTRO-OPTICAL APPARATUS, AND ELECTRONIC APPARATUS
プラズマエッチングの終点検出方法及び装置、プラズマエッチング方法及び装置、並びに電気光学基板の製造方法、電気光学装置、電子機器 - 特許庁 - Then, the mask is stripped with the etching protective film thereon, and the panel is immersed in an etching liquid and the exposed surface of the glass substrate is polished to a predetermined thickness.
その後、マスキングを、その上のエッチング保護膜と共に剥離してエッチング液に浸漬し、露出したガラス基板の表面を所定厚に研磨する。 - 特許庁 - Now, the etching rate when the intermediate layer 6 is wet-etched is faster than that of the etching-stop layer 5 and the third clad layer 7 and its film thickness is 0.5 μm or less.
ここで、中間層６は、ウェットエッチングの際のエッチングレートが、エッチング停止層５および第３のクラッド層７より速く、膜厚が０．５μｍ以下である。 - 特許庁 - The SP film 7 on the substrate 1 in the silicide region is removed by etching with the use of the SP film 6 as an etching stopper.
そして、第１のＳＰ膜６をエッチングストッパに用いて、シリサイド領域における半導体基板１上の第２のＳＰ膜７をエッチングして除去する。 - 特許庁 - That is, the supply of the hydrofluoric acid L2 is stopped intermittently during the etching processing, the film thickness measuring process is performed and the end point of etching is detected.
すなわち、エッチング処理の間、断続的にフッ酸Ｌ２の供給を停止して膜厚測定工程を行いエッチングの終点を検出する。 - 特許庁 - When roughness of the substrate surface increases by etching, NH_3 gas having an effect of suppressing etching can be appropriately mixed in the atmosphere.
また、エッチングにより基板表面の凹凸が激しくなるような場合は、エッチングを抑制する効果のあるＮＨ3ガスを適度に雰囲気中に混合してもよい。 - 特許庁 - To provide a method for forming an electrode substrate in which an etching angle and an etching amount are not brought into instability and to provide an electrode substrate constitution.
エッチング角度およびエッチング量に不安定をきたすことをなくする、電極下地形成方法および電極下地構成を提供すること。 - 特許庁 - After a resonance plane is formed by etching, a ridge which is composed of a p-side contact layer 20 and a p-side clad layer 19 is formed by the further etching.
エッチングして共振面を形成した後、更にエッチングによりリッジ（ｐ側コンタクト層２０及びｐ側クラッド層１９よりなる）を形成する。 - 特許庁 - The reinforcing frame body 16 is formed by wet-etching the n-type substrate 10a with the support film 14 as an etching stopper, leaving the periphery.
補強枠体１６は、ｎ基板１０ａが支持膜１４をエッチングストッパーとして周縁部を残してウエットエッチングされることにより形成されたものである。 - 特許庁 - It does not therefore happen that the etching rate is extremely high at the crossing or coincidence, which can reduce the dispersion of etching rates.
故に、その交差部や重なり部でエッチング速度が極端に速くなるということがなくなり、エッチング速度のバラツキを低減することが可能になっている。 - 特許庁 - To provide a method which enables reproducible and highly efficient etching by eliminating etched products generated during the etching in the previous wafer treatment.
エッチング処理中に、前のウエハ処理によって発生したエッチング生成物を除去することにより再現性のよい高効率のエッチング加工が可能とする。 - 特許庁 - To provide a device and method for dry etching, simplifying a gas supply system and capable of improving the anisotropy of an etching shape.
ガス供給系の簡略化を図るとともに、エッチング形状の異方性を向上することができるドライエッチング装置及びドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - By using the etching mask formed in this way, dry etching is performed in a condition wherein the reflecting mirror part is formed vertically and smoothly as shown in figure (D).
このように形成したエッチングマスクを用いて、反射ミラー部が（Ｄ）に示すように、垂直かつ平滑に形成される条件でドライエッチングを行う。 - 特許庁 - At this time, a major component in an etching gas is a combination of chlorine gases (of Cl2, BCl3, HCl, etc.), which is the same as in the etching of the metallic film 3.
そのときのエッチングガスの主成分は、金属膜のエッチングと同一の、塩素系ガス（Ｃｌ_2、ＢＣｌ_3、ＨＣｌ等、Ｃｌを含むガス）を組み合わせたものにする。 - 特許庁 - A resist layer 3 is provided on an insulation base material 1, and only a desired part thereof is machined thin through plasma etching or wet etching.
絶縁べ−ス材１上にレジスト層３を設け、プラズマエッチング又はウエットエッチングにより絶縁べ−ス材１の所望の個所のみを薄く加工する。 - 特許庁 - An under etching residual film 20 is eliminated by etching using the resist 16 on which the deposit 18 is stuck as a mask, and a lower electrode material film 12 is patterned.
堆積物１８が付着したレジスト１６をマスクとして、エッチングによりアンダーエッチング残膜２０を除去し、下部電極材料膜１２をパターニングする。 - 特許庁 - Consequently, the etching reaction in the cleaning gas supplying-side region A is slowed and the etching reactions in the regions B, C, and D on the exhaust side are successively made faster.
これにより、クリーニングガス供給側の領域Ａでのエッチング反応を遅く、排気側の領域Ｂ、Ｃ、Ｄでのエッチング反応を順次速くする。 - 特許庁 - To provide an etching apparatus which can rapidly and reliably detect the advancing state of the etching of a substrate.
この発明は基板に対して行なわれるエッチングの進行状態を迅速かつ確実に検出することができるエッチング処理装置を提供することにある。 - 特許庁 - To detect the state (abnormal or normal) of etching treatment from a light emission spectrum distribution upon etching treatment by a simple method without assuming a substance.
物質を想定することなく、簡易な方法で、エッチング処理の際の発光スペクトル分布から、エッチング処理の状態（異常、正常）を検出する。 - 特許庁 - To provide an endpoint detecting device, a dry etching device and a dry etching method capable of detecting an endpoint even for a low aperture-ratio material to be etched.
低開口率の被エッチング材料に対しても終点検出ができる終点検出装置、ドライエッチング装置及びドライエッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - A microfabrication method for a substrate comprises a thin film formation step, a V-shaped trench formation step, a thin film etching step, a substrate etching step, and a thin film elimination step.
基板の微細加工方法は、薄膜形成過程と、Ｖ字溝形成過程と、薄膜エッチング過程と、基板エッチング過程と、薄膜除去過程と、からなる。 - 特許庁 - To provide a sheet-type etching device that attains superior planarity on the wafer surface as a whole, using a simple device configuration, and to provide a sheet-type etching method.
簡単な装置構成で、ウェーハの表面全体において良好な平坦度が得られるようにした、枚葉式エッチング装置及び方法を提供する。 - 特許庁 - To separate a reaction product produced in etching quickly from an etched layer to suppress nonuniformity of etching rates on an etched surface.
エッチング時に生成した反応生成物を速やかに被エッチング層から離すことにより、被エッチング面内においてエッチングレートが不均一になることを抑制する。 - 特許庁 - The semiconductor device can be less influenced by chamber conditions, and such etching parameters as to obtain a less-varied, stable etching rate can be extracted.
半導体デバイスにおいて、チャンバーコンディションの影響を受け難く、変動の少ない安定したエッチング速度が得られるエッチングパラメータを抽出することができる。 - 特許庁 - To provide an etching device and etching method which efficiently manufacture a printed-wiring board having a micro conductor pattern of a cross-sectional shape closer to a rectangle.
より矩形に近い断面形状の微細な導体パターンを有するプリント配線板を効率よく製造するエッチング装置およびエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To solve the problem that etching solution enters between an element separation area and a semiconductor substrate to produce a gap when a semiconductor layer is removed by wet etching.
ウェットエッチングにより半導体層を除去する際、素子分離領域と半導体基板との間にエッチング溶液が入り込み、空隙が生じる。 - 特許庁 - To solve a problem that residue of etching is generated because deposited substance or altered layer is formed on a film not including oxygen after the etching of a film including oxygen.
酸素含有膜のエッチング後に非酸素含有膜の上に堆積物または変質層が形成され、エッチング残さが発生する問題を解決する。 - 特許庁 - Atomizing the etching liquid results in a spiral spray air current, thus spraying the etching liquid to the entire surface to be etched uniformly.
エッチング液が霧化することで、らせん状のスプレー気流となることにより、エッチング液をエッチングしたい表面全体へ均一にスプレー散布することができる。 - 特許庁 - When the discharge amount of carbon emitted during the etching process exceeds a peak, as well as, becomes not higher than a prescribed value, the etching process is terminated.
更に、エッチング工程中に放出される炭素放出量がピークを超えて、かつ、所定値以下になった場合にエッチング工程を終了する。 - 特許庁 - In a method for etching a material layer, a carbon layer is formed on at least one part of the material layer so that the part of the material layer can be protected from etching.
物質層を蝕刻する方法において、カーボン層は物質層の少なくとも一部の上に形成されて蝕刻から前記物質層の部分を保護する。 - 特許庁
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